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[发明专利]聚有机硅氧烷固化物膜、其用途以及制造方法-CN201980054220.3在审
发明人：福井弘;神永洋一;津田武明 -专利权人：陶氏东丽株式会社
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种聚有机硅氧烷固化物膜、其用途以及制造方法，所述聚有机硅氧烷固化物膜可薄膜化，膜的表面和内部的缺陷的个数极少，示出相对于荷电压高的介质击穿强度。本发明的聚有机硅氧烷固化物膜的平均厚度在1～200μm的范围内，所述聚有机硅氧烷固化物膜在膜的任意部位中以15mm×15mm为单位面积的范围内使用光学单元测定其表面缺陷的个数的情况下，表面缺陷的个数优选为0～1个的范围，内部缺陷的个数优选为0～20个的范围。
有机硅固化用途以及制造方法

[发明专利]一种氧缺陷掺杂全无序二氧化钛的制备方法-CN202310964908.3在审
发明人：郝中凯;田苗;张旭;吕静;许国勤;张育新;易双 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01G23/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧缺陷掺杂全无序二氧化钛的制备方法，包括以下步骤：将二氧化钛和还原性物质混合、震荡并压紧实后，放入煅烧装置，在保护气氛围下，高温煅烧得到固体材料；将固体材料浸入去离子水洗涤，固体材料经离心、烘干后，研磨得到氧缺陷掺杂全无序二氧化钛材料。本发明实现了一步法在商用TiO2材料中引入氧缺陷和全无序相共掺杂的结构。本方案以NaBH4为反应活性物质，代替了制备氧缺陷常用的加氢处理或非氢共还原手段，或制备无序相TiO2材料所采用的多步合成策略
一种缺陷掺杂无序氧化制备方法

[发明专利]一种基于富缺陷氧族化合物的肖特基结及其制备方法-CN202010751738.7有效
发明人：雷永鹏;王裕超;宋成叶 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：一种基于富缺陷氧族化合物的肖特基结及其制备方法，所述肖特基结为富缺陷氧族化合物、过渡金属单质和/或合金以及氮掺杂的碳构成的球状复合材料颗粒，富缺陷氧族化合物、过渡金属单质、过渡金属合金以及氮掺杂的碳在颗粒中均匀分布所述方法为：（1）将富缺陷氧族化合物和锌源加入有机溶液中，搅拌，得溶液A；（2）将2‑甲基咪唑有机溶液加入溶液A中，搅拌，过滤，洗涤；（3）分散于有机溶剂，再将过渡金属源有机溶液加入，搅拌，离心，干燥；
一种基于缺陷化合物肖特基结及其制备方法

[发明专利]一种氧缺陷钒酸铋/磷化铁复合光电极及其制备方法和应用-CN202210291042.X有效
发明人：熊贤强;韩得满;张晓;陈啸;武承林;禇雨潇 -专利权人：台州学院;台州市生物医化产业研究院有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23F13/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧缺陷钒酸铋/磷化铁复合光电极及其制备方法和应用，属于防腐材料技术领域，包括基底和负载于所述基底表面的氧缺陷钒酸铋/磷化铁复合材料。本发明提供的复合光电极中钒酸铋含有氧缺陷，能够利用氧空位改善钒酸铋电极的导电性，从而提升钒酸铋光生电荷在体相和表面的分离，磷化铁可以促进钒酸铋电极表面的载流子注入效率，大幅提升水氧化活性，氧缺陷和磷化铁之间具有协同作用
一种缺陷钒酸铋磷化复合电极及其制备方法应用

[发明专利]晶片以及晶片缺陷分析方法-CN201680038645.1有效
发明人：李在炯 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：根据一实施例的晶片缺陷分析方法包括以下步骤：将晶片以不同温度热处理；测量所述经热处理的晶片的氧析出指数；确定使所述氧析出指数最大化的特征温度；以及取决于所述确定的特征温度，来区分所述晶片的缺陷区域的类型
晶片以及缺陷分析方法

[发明专利]一种具有氧缺陷的反尖晶石型钴铁氧体纳米粉体制备及电催化应用-CN201810683023.5在审
发明人：孙旭;郭成英;高令峰;匡轩;张勇;魏琴 -专利权人：济南大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： B01J23/75 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有氧缺陷的钴铁氧体纳米粉体的简单制备方法及其电催化应用。首先，配制碱性钴铁水溶液，加热反应得到钴铁氧体纳米粉体；然后，通过常温还原法将得到的钴铁氧体引入氧缺陷，最终得到具有氧缺陷的钴铁氧体纳米粉体。具有氧缺陷的钴铁氧体应用到电催化产氧反应（OER）中具有优异的催化性能，过电位降为0.330 V（相对标准氢电极），塔菲尔斜率低至44 mV/dec。
钴铁氧体氧缺陷纳米粉体电催化还原法应用纳米粉体制备标准氢电极催化性能反尖晶石加热反应过电位氧反应钴铁制备配制引入

[发明专利]一种氧缺陷钨酸铋纳米带光催化材料的制备方法及产品和应用-CN202011613183.6在审
发明人：崔大祥;吴晓燕;林琳 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： B01J23/30 文献下载
摘要：本发明提供一种氧缺陷钨酸铋纳米带光催化材料的制备方法，氧化钨溶于强碱溶液中搅拌，将上述溶液转移至反应釜中，反应离心洗涤干燥得钨酸盐；钨酸盐溶于去离子水中，超声后加入氢氧化铋溶液，干燥离心洗涤干燥箱得钨酸铋纳米带；钨酸铋纳米带放入管式炉中，通入还原性气体，煅烧得氧缺陷钨酸铋纳米带。本发明提供一种氧缺陷钨酸铋纳米带光催化材料的制备方法，钨酸铋纳米带光催化材料具有较大的比表面积，缺氧型缺陷对提高材料的光催化性能起着很重要的作用。有利于提高材料的光催化性能。在黑暗中首先氧缺陷钨酸铋纳米带对四环素的吸附达到平衡，然后在紫外光催化条件下，经过60 min后，对四环素的降解达到99.2%。
一种缺陷钨酸铋纳米光催化材料制备方法产品应用

[发明专利]一种富含羟基窝的缺陷型沸石分子筛合成方法-CN202111012113.X在审
发明人：刘家旭;贺宁 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明提供一种富含羟基窝的缺陷型沸石分子筛的合成方法，以无机硅源和有机硅源作为混合硅源，与铝源、OSDA模板剂混合，得到溶胶，进行晶化；所得固体经过滤、干燥、焙烧得到富含羟基窝的缺陷型沸石分子筛；所述有机硅源为烷基硅氧烷本发明在分子筛构建骨架的过程中引入烷基硅氧烷，形成了部分Si‑C键连，随后在分子筛焙烧过程中C被烧除掉从而形成分子筛单一T位的骨架点位缺陷形成羟基窝，这种点位缺陷几乎对材料的结晶度无影响，而且极大程度保持了分子筛骨架的完整度；在合成过程中通过控制烷基硅氧烷的种类、含量可相对精确控制分子筛缺陷的程度从而得到富含羟基窝的缺陷型沸石分子筛。
一种富含羟基缺陷型沸石分子筛合成方法

[发明专利]一种低铂/缺陷碳气凝胶氧还原电催化剂的制备方法和应用-CN202210706507.3在审
发明人：杨东江;李道浩;张威;王思雨;王宇;盛俊越;张为栋 -专利权人：青岛大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01M4/88 文献下载
摘要：一种低铂/缺陷碳气凝胶氧还原电催化剂的制备方法和应用，它涉及一种催化剂的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有贵金属Pt基催化剂的价格昂贵，资源稀缺和现有方法制备的杂原子掺杂或富含碳缺陷结构的碳纳米材料在酸性电解液下催化性能差的问题。一种低铂/缺陷碳气凝胶氧还原电催化剂在氢氧燃料电池中应用。本发明制备的低铂/缺陷碳气凝胶，通过调控碳缺陷结构密度，负载微量的贵金属Pt，使其具有很高的ORR性能，其性起始电位、半波电位和电流密度优于商业20wt％Pt/C。本发明可获得一种低铂/缺陷碳气凝胶氧还原电催化剂。
一种缺陷凝胶还原催化剂制备方法应用

[发明专利]用于半导体的单晶硅锭和晶片-CN201480029280.7在审
发明人：洪宁皓;朴玹雨 -专利权人： LG矽得荣株式会社
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：在一个实施方式中的用于半导体的单晶硅锭和晶片包括过渡区域，在包含在间隙主导的无缺陷区域中的晶体缺陷中，所述过渡区域主要含有尺寸为10-30纳米的晶体缺陷。对所述锭和所述晶片进行至少一次热处理之前的初始氧浓度与进行至少一次热处理之后的最终氧浓度之间的差别为0.5ppma或更少。
用于半导体单晶硅晶片

[发明专利]一种氧缺陷型灰色氧化锌及其制备方法和应用-CN202110872615.3有效
发明人：杜高辉;郝亚雯;毕祥;苏庆梅;许并社 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧缺陷型灰色氧化锌及其制备方法和应用，属于材料工程领。所述制备方法通过将锂和萘溶解于溶剂中中，得到锂萘溶液，将白色氧化锌加入所得锂萘溶液中进行反应，反应结束后收集固体产物，将所得固体产物经洗涤后干燥，制得氧缺陷型灰色氧化锌。制得的氧缺陷型氧化锌呈灰色，光吸收能力和光响应范围增强，能够作为气体净化光催化剂的应用。
一种缺陷灰色氧化锌及其制备方法应用

[发明专利]用于纤维增强环氧复合材料内部缺陷的检测平台及方法-CN202310546506.1在审
发明人：孔晓晓;侯程耀;陈允;王义方;张冲;杜伯学;薛润东;李奇 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：本发明涉及用于纤维增强环氧复合材料内部缺陷的检测平台及方法，通过使用不同频率的超声探头测试部件同一位置，将缺陷部位波形峰值与无缺陷部位缺陷峰值做比得出透射率，若不同频率的探头测试计算所得结果一致，则认为其为空气缺陷；由1减去透射率的值与探头晶片尺寸相乘即可得知缺陷面积；避免了传统的超声反射法检测较薄部件波形混杂的难题，对探头性能要求降低，即普通单晶探头即可进行测试，降低设备成本，提升性价比。本发明可以灵敏识别毫米厚度级别的纤维增强环氧复合材料部件的内部空气缺陷，并能根据波形与探头晶片尺寸计算得出缺陷区域面积大小，且本发明能够使用小尺寸探头直接应用于GIS绝缘拉杆的缺陷检测与评估。
用于纤维增强复合材料内部缺陷检测平台方法

[发明专利]一种含高指数晶面氧缺陷的氧化锰超细纳米粉体及其制备方法和应用-CN202210550295.4有效
发明人：张玲霞;代金玉;王榕艳;施剑林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C01G45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种含高指数晶面氧缺陷的氧化锰超细纳米粉体及其制备方法和应用，属于环境催化材料领域。所述氧化锰超细纳米粉体材料为纳米晶粒堆积而成的水钠锰矿δ‑MnO2材料；所述纳米晶粒的粒径为15～35 nm；所述含高指数晶面氧缺陷的氧化锰超细纳米粉体材料中，Sup>3+占锰元素总含量的40%～50%，Mn4+占锰元素总含量的60%～50%，锰的平均氧化价态为3.45～3.60；所述含高指数晶面氧缺陷的氧化锰超细纳米粉体材料的表面吸附氧Oads占氧元素总含量的30%～45%，表面吸附氧Oads与表面晶格氧Olatt
一种指数晶面氧缺陷氧化锰纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种检测浅沟槽隔离区空洞缺陷的方法-CN201610704834.X有效
发明人：曹坚;张亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种检测沟槽隔离区空洞缺陷的方法，其包括：在晶圆上参照正常工艺流程完成双栅氧刻蚀；在完成双栅氧刻蚀的所述晶圆表面生长一层氮化硅；对表面生长一层氮化硅的晶圆进行快速热处理；用去热磷酸将晶圆表面氮化硅去除，并通过光学显微镜扫描浅沟槽空洞缺陷的位置；制备所述浅沟槽空洞缺陷的样品并通过透射电镜精确检测浅沟槽空洞缺陷。因此，本发明提供的检测方法简单且高效，其能实时在线检测浅沟槽空洞缺陷并能快速准确的检测到浅沟槽空洞缺陷的位置，从而有效地解决了半导体器件中因存在浅沟槽空洞缺陷而导致CMOS器件失效和良率下降的问题。
一种检测沟槽隔离空洞缺陷方法

[发明专利]一种高致密复合型原子氧防护薄膜的制备方法-CN202211236543.4在审
发明人：李中华;熊玉卿;周晖;李毅;何延春;王志民;王虎;王艺;李林;高恒蛟;李坤;李学磊;周超;黄骁 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高致密复合型原子氧防护薄膜的制备方法，通过等离子体增强原子层沉积技术在有机材料基底上制备SiOx薄膜种子层。采用化学气相沉积技术在SiOx薄膜种子层上制备硅氧烷膜中间层。采用等离子体增强原子层沉积技术在硅氧烷膜中间层上制备SiOx帽子层。其中SiOx种子层可以有效降低硅氧烷涂层中的微观缺陷，防止形成原子氧剥蚀通道。SiOx帽子层可以有效遮盖硅氧烷表面孔洞、裂纹等缺陷，同时增强原子氧防护性能。既发挥了等离子体制备的硅氧烷涂层的柔韧性，又发挥了原子层沉积的涂层的致密性，使防护涂层的综合性能显著提高。
一种致密复合型原子防护薄膜制备方法