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[发明专利]标记形成设备和标记形成方法-CN201210315744.3无效
发明人：斋藤昭也 -专利权人：索尼公司;索尼信息技术股份有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G11B7/126 文献下载
摘要：本公开提供了一种标记形成设备和标记形成方法，其中标记形成设备包括：头单元，基于激光驱动脉冲通过激光束照射而在记录介质上形成标记；控制信号产生单元，在被提供给头单元的激光驱动脉冲的开始定时处产生控制信号；倍增器，对用于与头单元内在记录介质上形成标记的过程同步的同步参考信号进行倍增而产生倍增信号；以及激光驱动脉冲产生单元，根据控制信号通过以基于倍增信号的分辨率来设置激光驱动脉冲的开始定时而产生激光驱动脉冲
标记形成设备方法

[发明专利]标记形成方法以及形成标记的成形品-CN03801275.8有效
发明人：龙户雅章;安彦忠;梅原俊彦 -专利权人： NOK株式会社
申请日： 2003-10-01 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： B41M5/26 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种标记形成方法以及形成有标记的成形品，所述标记形成方法能够以PTFE作为标记对象，在所述标记对象上简单地形成标记。为了实现上述目的，在用激光照射标记对象形成标记的方法，上述标记对象由PTFE构成，使激光照射上述标记对象，通过只使受所述照射的PTFE表面变质，与没有受所述照射的PTFE表面相比呈现不同的颜色，形成白色系标记标记对象例如可以是由PTFE构成的圆周上一个地方设置有标记的密封件或者用于制造所述密封件的中间成型物。
标记形成方法以及成形

[发明专利]形成标记的方法-CN201210124982.6无效
发明人：李文晖;张一凡;杨仁铭 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明关于一种形成标记的方法，包括提供高能量光束，调整高能量光束形成聚焦点，使聚焦点位于基板内部的显示区，使基板上的聚焦点处的材料产生碳化，以及移动聚焦点，以于基板内部的显示区中形成标记。并可利用上述形成标记的方法，在需组立的不同基板上形成对应标记，以将此些基板进行对位组立。
形成标记方法

[发明专利]对准标记形成装置-CN200810149750.X无效
发明人：原望;城田浩行;中岛直人 -专利权人：大日本网屏制造株式会社
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种对准标记形成装置，其结构简单，在不使用贯穿孔的情况下能够进行在基板的两面上形成的图案的定位。对准标记形成装置(10)具有用于装载基板的工作台(11)、用于定位装载于该工作台(11)上的基板的3个定位销(21)、3个对准标记形成部(51)、倾斜板(12)。对准标记形成部(51)具有一对曝光部，所述一对曝光部分别配设在装载于工作台(11)上的基板的表面侧和背面侧且在同轴上。该一对曝光部通过在基板的非有效区域照射UV光而形成对准标记。
对准标记形成装置

[发明专利]形成识别标记的方法以及通过该方法形成的识别标记-CN201710438202.8有效
发明人：缪卓南;王英男;江争 -专利权人：动力专家有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：一种形成识别标记的方法以及通过该方法形成的识别标记，在由至少部分光学透明材料形成的物品内形成识别标记以用于识别和确认的方法包括以下步骤：(i)通过表面下激光雕刻(SSLE)由至少部分光学透明材料形成记号；和(ii)在作为形成所述记号的步骤的结果的所述至少部分光学透明材料内的所述记号内或者与所述记号相邻地，并且通过所述至少部分光学透明材料中的局部加热和不规则形成多个缺陷，其中所述多个缺陷形成所述识别标记
形成识别标记方法以及通过

[发明专利]基准标记形成方法-CN202211251474.4在审
发明人：大前卷子;宫田谕;小日向恭祐 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明提供基准标记形成方法，能够不使用光致抗蚀剂和掩模而在晶片上容易地形成基准标记。基准标记形成方法包含如下的工序：加工装置准备工序；保持工序，利用卡盘工作台对晶片(38)进行保持；中心坐标计算工序，利用拍摄单元拍摄晶片(38)的外周的至少三处而求出晶片(38)的中心坐标；晶片坐标轴设定工序，将连结中心坐标与方位标记(40)的轴设为晶片(38)的y坐标轴，将通过中心坐标且与y坐标轴垂直的轴设为晶片(38)的x坐标轴；基准标记坐标设定工序，设定形成基准标记(46)的位置的坐标；以及基准标记形成工序，将加工单元(6)定位于在基准标记坐标设定工序中设定的坐标处而形成基准标记(46)。
基准标记形成方法

[发明专利]对准标记及用于形成对准标记的方法-CN202010908840.3在审
发明人：刘彦岑;于正豪;黄正义;石兆立;杨志深 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：提供对准标记及用于形成对准标记的方法。用于形成对准标记的方法为无光刻工艺并且包含以下操作。提供激光束。将激光束划分成彼此隔开的多个激光束。将多个激光束塑形成多个图案化光束，使得多个图案化光束塑形为具有对应于对准标记的图案。将多个图案化光束投影到半导体晶片上。
对准标记用于形成方法

[发明专利]对准标记的形成方法-CN201410184978.8在审
发明人：徐元俊 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种对准标记的形成方法，包括步骤：提供已抛光处理的第一半导体衬底和第二半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成基准标记；将所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合；在所述第二半导体衬底的上形成开口，所述开口暴露出所述第一半导体衬底上的所述基准标记。通过在所述第二半导体衬底的上形成开口，使得所述第一半导体衬底上的基准标记暴露出来，节省了现有的对位过程中需要采用双面光刻，引入对准偏差及机械损伤，导致产品良率低的问题，提高了对位的精准度及产品良率。
对准标记形成方法

[发明专利]对准标记及其形成方法-CN201910149290.9在审
发明人：曹盛宗 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种对准标记及其形成方法，其中所述对准标记的形成方法，在基底上形成具有损坏处的对准标记后，进行修补工艺，形成修补层，对所述对准标记的损坏处进行修补，使得修补后的对准标记不存在缺陷或者即使存在缺陷，该缺陷已经不足以影响对准，因而将修补后的对准标记作为新的对准标记进行对准时，使得对准过程可以顺利进行，同时保证对准的精度。
对准标记及其形成方法

[发明专利]对准标记的形成方法-CN202111012207.7在审
发明人：王思聪;于洪浩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种对准标记的形成方法。所述对准标记的形成方法包括如下步骤：形成对准图案和环绕所述对准图案外周分布的介质层，所述对准图案包括呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元用于增大所述对准图案与所述介质层之间的反射率差；获取所述对准图案的对准反射率、以及所述介质层的介质反射率；判断所述对准反射率与所述介质反射率之间的差值是否高于预设值，若是，则以所述对准图案作为所述对准标记。本发明确保了最终得到的所述对准标记与所述介质层之间的具有较高的反射率差，实现了所述对准标记与所述介质层之间明暗对比度的增大，能够提高对对准标记识别的准确度与清晰度。
对准标记形成方法

[发明专利]对准标记及其形成方法-CN202010911176.8在审
发明人：张瑞麟;邢滨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种对准标记及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括标记区，所述标记区上具有待处理层；在所述标记区上待处理层内形成第一标记开口；以所述第一标记开口作为对准标，在所述标记区上待处理层内形成第二标记开口，所述第一标记开口与所述第二标记开口相互分立。通过在标记区内形成第一标记开口和第二标记开口，且第一标记开口与第二标记开口相互分立，使得所述第一标记开口与所述第二标记开口不会产生重叠，避免因重复刻蚀所述标记区内的同一位置而造成的刻蚀穿透，进而避免了因刻蚀穿透所造成的刻蚀环境污染以及残留物的产生，避免了所述标记区中的残留物进入到器件区中对器件结构造成的影响，有效提升了最终形成的半导体结构的性能。
对准标记及其形成方法

[发明专利]对准标记及其形成方法-CN202110645114.1在审
发明人：张瑞麟;邢滨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种对准标记及其形成方法，其中对准标记包括：衬底，所述衬底包括对准区和芯片区，所述对准区中具有标记原点；位于所述对准区上的第一待处理层；位于所述第一待处理层内的若干相互分立的标记开口，每个所述标记开口在所述对准区上具有对应的投影图形，若干所述投影图形以所述标记原点为圆心分布。通过位于第一待处理层内的若干相互分立的标记开口，使得若干标记开口之间不会产生重叠，避免因重复刻蚀对准区内的同一位置而造成的刻蚀穿透，进而避免了因刻蚀穿透所造成的刻蚀环境污染以及残留物的产生。另外，还避免了对准区中的残留物进入到芯片区中对器件结构造成的影响，有效提升了最终形成的半导体结构的性能。
对准标记及其形成方法

[发明专利]对准标记的形成方法-CN201110335272.3有效
发明人：孙贤波;陈蓓;顾以理 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种对准标记的形成方法，包括：在衬底上形成多层结构；在所述多层结构中形成凹槽，所述凹槽至少贯穿所述多层结构中的两层；向所述凹槽中填充金属材料，形成金属层，所述金属层围成凹陷，所述凹陷为对准标记。本发明形成的对准标记较深，可以提高对准的准确度，提高集成电路的制造良率。
对准标记形成方法

[发明专利]标记结构的形成方法-CN201610079408.1有效
发明人：陆道亮;张宏伟;冯奎 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种标记结构的形成方法，包括：提供包括器件层的衬底，器件层表面具有介质层，介质层表面具有掩膜层，衬底包括标记区和器件区，标记区包括第二标记区以及包围第二标记区的第一标记区；采用第一刻蚀工艺刻蚀部分掩膜层直至暴露出介质层，在器件区内形成第一开口，在第一标记区内形成第一标记，在第二标记区形成标记开口，第一开口和标记开口的底部高于器件层表面，标记开口至少暴露出第二标记区的部分介质层；采用第二刻蚀工艺刻蚀第一开口底部和标记开口底部的介质层，在第一开口底部形成暴露出器件层的第二开口，在标记开口底部的介质层内形成第二标记；在第一开口和第二开口内形成导电结构。所形成的标记结构更清晰，有利于提高标记检测精度。
标记结构形成方法

[发明专利]形成光刻对准标记的方法-CN201710885050.6有效
发明人：张怡;刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成光刻对准标记的方法，包括在衬底上形成第一介质层；刻蚀所述第一介质层，在所述对准区形成一凹槽，然后在所述第一凹槽内填充多晶硅；通过去除所述第一介质层，所述第一凹槽内的多晶硅凸出于所述衬底，形成光刻对准标记，减少了专门利用零光罩在衬底上形成光刻对准标记这一步骤，简化了工艺，节约了光罩，降低了器件的制造成本，并且避免了光刻对准标记随着在衬底上形成的介质层加厚而逐渐模糊产生的对准不精确的问题
形成光刻对准标记方法

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