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[发明专利]一种器件耦合热阻抗的测量装置及方法-CN202310108761.8在审
发明人：张亚昆;刘朝辉;孟昭鹤;邹广才;原诚寅 -专利权人：北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及测量器件耦合热阻抗技术领域，公开了一种器件耦合热阻抗的测量装置及方法，包括：PCB板及设置在PCB板上的第一器件与第二器件，第一器件两端连接有加热电路，加热电路上设置有加热电源及第一信号模块，第二器件两端连接有测试电路，测试电路上设置有测试电源、采集系统及第二信号模块，第二器件通过采集系统采集得到第二器件在小电流下受第一器件温度影响的饱和压降随时间变化曲线。实现测量一次就能够获取测试器件的升温曲线及降温曲线，实现一次性测量出一个器件对多个器件的耦合热阻抗，或多个器件对一个器件的耦合热阻抗。
一种器件耦合阻抗测量装置方法

[发明专利]元器件的选型替代方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310156458.5在审
发明人：丁春光;张家立;韩俊杰;翟芳;于迪;梁安健;李颖;王浩 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种元器件的选型替代方法、装置、计算机设备和存储介质。该方法包括：根据被替代元器件的类别信息，从候选元器件中选择可替代元器件；根据被替代元器件的性能参数和可替代元器件的性能参数，确定被替代元器件和可替代元器件的共有性能参数；根据被替代元器件在共有性能参数下的第一参数值，以及可替代元器件在共有性能参数下的第二参数值，构建原始数据矩阵；根据原始数据矩阵，确定共有性能参数的参数权重；根据原始数据矩阵对应的标准化矩阵，以及参数权重，从可替代元器件中选择被替代元件的目标替代元器件上述方案，不仅实现了元器件选型替代过程的自动化，且提高了元器件选型替代的效率。
元器件选型替代方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]反射式保偏光学器件-CN202310202087.X在审
发明人：刘鈜浚;肖丽;陈向阳 -专利权人：广东三石园科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种反射式保偏光学器件，包括至少一组准直器阵列，一组准直器阵列包括二个以上的保偏准直器；准直器阵列的一端设置有保偏传输组件，保偏传输组件由在光路上依次设置的旋光器件、合光分光器件、偏振态变换器件、滤光器件阵列以及反射器件组成；旋光器件接收由一个保偏准直器输出的具有预设偏振态的光信号，旋光器件将入射光信号的偏振态正方向旋转预设角度；并且，从旋光器件入射到合光分光器件的光信号的位置与从偏振态变换器件入射到合光分光器件的光信号的位置偏移本发明能够减小光学器件的体积，且光学器件的端口扩展非常方便。
反射偏光器件

[发明专利]微型逆变器-CN202310630060.0在审
发明人：刘小雄;肖志伟;吴奇妙;邓子明 -专利权人：深圳市拓普泰克技术股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H02M7/44 文献下载
摘要：其中，壳体内部间隔设置有第一凹腔和第二凹腔；主板设有第一滤波器件和逆变器件，第一滤波器件容置于第一凹腔内，逆变器件容置于第二凹腔内，第一凹腔和第二凹腔将第一滤波器件和逆变器件分隔开，以阻隔逆变器件在工作过程产生的热量，从而降低第一滤波器件的温度。同时，导热组件设于逆变器件和壳体之间并且同时接触逆变器件和壳体，逆变器件产生的热量经导热组件导出至壳体，从而有效降低逆变器件自身的温度，减小逆变器件对其他元器件的热影响，提高了微型逆变器的散热性能以及使用寿命
微型逆变器

[发明专利]显示面板和显示装置-CN202211510938.9在审
发明人：张云颢;黄冠达;卜维亮;余洪涛;李育豪;吴操;杨宗顺;苏冬冬;单庆山 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10K59/35 文献下载
摘要：本发明提供一种显示面板，包括基板、像素单元和透镜，像素单元和透镜依次叠置于基板上，透镜对应像素单元；像素单元包括红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件，蓝色发光器件的开口面积大于绿色发光器件的开口面积，绿色发光器件的开口面积大于红色发光器件的开口面积；红色发光器件和绿色发光器件在基板上的正投影分设于蓝色发光器件在基板上正投影的相邻两侧，且红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件任意相邻两者之间的间隔距离相等该显示面板，通过限定不同颜色发光器件的开口面积，使其在弱微腔效应中对红、绿、蓝光谱出光峰的强度得到平衡，在确保像素单元高亮性质的同时，能改善像素单元光谱的均一性，从而提升显示面板色域。
显示面板显示装置

[发明专利]一种超紧凑高饱和电流的磁芯电感器件的设计方法-CN202110907409.1在审
发明人：武雪琛;黄超颖 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01F41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超紧凑高饱和电流的磁芯电感器件的设计方法，其包括根据器件的工作频率，选定设定的磁性材料；根据器件设定的电感值和饱和电流值，设计器件拓扑结构；对器件拓扑结构进行优化和迭代，使器件性能满足约束指标；并结合器件拓扑结构和磁性材料的非线性电磁特性，采用有限元方法对器件进行处理分析，确定器件最终参数指标。该超紧凑高饱和电流的磁芯电感器件的设计方法通过优化非线性材料的选型和器件结构参数，实现电感器器件达到最优的性能，且实现了非线性材料和线性器件的计算普适性，可使器件的整体性能与实际工作状态相吻合，弥补了现在关于超紧凑高饱和电流的磁芯电感器的设计理论空白
一种紧凑饱和电流电感器件设计方法

[发明专利]检测寄生电容方法、装置、介质、设备及电路仿真方法-CN202211005954.2在审
发明人：翁坤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：该检测半导体器件寄生电容的方法包括：基于预设电路模型构建CBCM电容测量电路；构建多个结构相同的半导体器件，其中，多个半导体器件的器件参数相同，且器件参数至少包括寄生电容；基于半导体器件构建复合器件；利用CBCM电容测量电路对半导体器件、复合器件进行检测而确定出构成半导体器件的待测部件的寄生电容。本公开检测方法通过构建复合器件，使用半导体器件的寄生电容减去复合器件的寄生电容的方法，具有测试结果准确性高的优点。并且所构建的复合器件能够进行参数调节，即可以检测出不同参数下的寄生电容，局限性小。
检测寄生电容方法装置介质设备电路仿真

[发明专利]一种碳化硅器件动态性能测试电路及方法-CN202310398005.3在审
发明人：陈中圆;魏晓光;崔梅婷;任海 -专利权人：北京智慧能源研究院;国家电网有限公司;国网北京市电力公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种碳化硅器件动态性能测试电路及方法，所述测试电路包括直流电容、第一辅助器件、第一被测器件、第二辅助器件、第二被测器件和负载电感；所述电容为被测电路提供电压支撑以及在器件开通过程中提供能量；所述第一辅助器件用于配合第一被测器件使用；所述第二辅助器件用于配合第二被测器件T4使用，在预应力控制区，持续呈现阻断状态；所述负载电感为被测电路提供负载，控制器件开通时电流峰值。本发明针对碳化硅器件阈值电压易漂移的特点，在双脉冲测试前增加预应力控制区，使得碳化硅器件在测试前产生特定的阈值漂移现象，从而能够准确地评估阈值漂移对碳化硅器件的动态特性的影响。
一种碳化硅器件动态性能测试电路方法

[发明专利]绝缘体上半导体(SOI)衬底上的垂直全环栅(VGAA)器件的连接结构-CN201510023231.9有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本发明公开了垂直全环栅(VGAA)纳米线器件电路路由结构。该电路路由结构包括多个VGAA纳米线器件，VGAA纳米线器件包括NMOS器件和PMOS器件。该器件形成在绝缘体上半导体衬底上。每个器件均包括底板和顶板，其中，底板和顶板中的一个用作漏极节点，并且底板和顶板中的另一个用作源极节点。每个器件还包括栅极层。栅极层完全围绕器件中的垂直沟道。在一个实例中，CMOS电路形成有氧化物(OD)阻挡层，OD阻挡层用作NMOS器件和PMOS器件的共用底板。在另一实例中，CMOS电路形成有顶板，该顶板用作NMOS器件和PMOS器件的共用顶板。本发明还提供了绝缘体上半导体(SOI)衬底上的垂直全环栅(VGAA)器件的连接结构。
绝缘体上半导体 soi 衬底垂直全环栅 vgaa 器件连接结构

[发明专利]器件故障率计算方法及装置-CN201810463918.8有效
发明人：查鲲鹏;曹均正;栾洪洲;屈海涛;顾然 -专利权人：中电普瑞电力工程有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种器件故障率计算方法及装置。所述器件故障率计算方法包括：获取静态电压不均时各个器件的导通电压，根据所述导通电压计算得到每个器件中各元件的导通损耗；获取动态电压不均时各个器件开关过程的电压，根据所述开关过程的电压计算得到每个器件中各元件的开关损耗；根据所述开关损耗及所述导通损耗计算分别计算每个器件中各元件的功率损耗；根据每个器件中的各个元件的器件属性计算得到算每个器件中各元件的结温；根据所述功率损耗和结温计算每个器件中的各元件的故障率；以及根据所述目标器件组件中的各个器件中的各元件的故障率计算得到所述目标器件组件的故障率
器件故障率计算方法装置

[发明专利]一种应变Si/应变SiGe-HBT BiCMOS集成器件及制备方法-CN201210243770.X有效
发明人：胡辉勇;宣荣喜;张鹤鸣;宋建军;王海栋;舒斌;李妤晨;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种应变Si应变SiGe-HBT器件BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在衬底上生长N型Si外延层作为双极器件集电区，制备深槽隔离，然后依次制备基极多晶、基区、发射区以及集电极，形成SiGe HBT器件；制备PMOS器件有源区，在PMOS器件有源区上制备漏极和栅极，形成垂直沟道PMOS器件；制备NMOS器件有源区，在NMOS器件有源区制备栅介质层和栅多晶，形成NMOS器件；光刻引线，构成应变Si、应变SiGe HBT器件BiCMOS集成器件及电路；本发明SiGe HBT的发射极、基极和集电极都采用多晶硅接触，其制备过程采用自对准工艺，并为全平面结构，在MOS器件制备中充分利用了应变Si材料迁移率各向异性的特点，制备出了性能增强的应变Si、应变SiGe HBT器件BiCMOS集成电路。
一种应变 si sige hbt bicmos 集成器件制备方法

[发明专利]具有不同器件外延层的集成电路技术-CN201110327171.1有效
发明人： C.卡多;T.迈尔;W.维尔纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有不同器件外延层的集成电路技术。一种半导体模具包括衬底、第一器件区段和第二器件区段。第一器件区段包括衬底上的外延层以及形成在第一器件区段的外延层中的第一类型的一个或更多半导体器件。第二器件区段与第一器件区段分隔开，并且包括衬底上的外延层以及形成在第二器件区段的外延层中的第二类型的一个或更多半导体器件。第一器件区段的外延层与第二器件区段的外延层不同，从而第一类型的一个或更多半导体器件与第二类型的一个或更多半导体器件形成在不同的外延层中。
具有不同器件外延集成电路技术

[发明专利]密封侧壁的器件晶粒及其制造方法-CN201610268919.8有效
发明人：钱胤;张明;戴幸志 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于制造密封侧壁的器件晶粒的方法，可包括用密封剂填充深槽式器件晶圆的沟槽，得到密封的沟槽式器件晶圆。所述方法可更包括在器件晶圆中形成沟槽，得到所述深槽式器件晶圆。所述形成沟槽的步骤可包括形成至少部分地穿过所述器件晶圆的每层的沟槽。所述方法可更包括掩膜所述深槽式器件晶圆的每个器件。一种密封侧壁的器件晶粒，可包括器件基板层的至少一层，包括前述至少一层中每层的各自的表面的侧壁，覆盖所述侧壁的侧壁密封剂，和形成在所述器件基板层上的器件。侧壁密封剂可任选地不覆盖所述器件的上表面。所述器件的上表面可直接邻接其上方的环境介质。
密封侧壁器件晶粒及其制造方法

[发明专利]聚焦评估的方法-CN200710039477.0有效
发明人：郁志芳;余云初;张轲;王跃刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-13 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种聚焦评估的方法，包括下列步骤：制作包含第一器件图形和第二器件图形的控片；依次测量控片上同一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形临界尺寸差值；在与控片同一批次的晶圆上形成第一器件图形和第二器件图形；测量晶圆上任意一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸；将晶圆上任意一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸进行相减；将晶圆上任意一曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值与控片上对应曝光区域的第一器件图形和第二器件图形的临界尺寸差值比较
聚焦评估方法

[发明专利]一种SiC/Si混合并联开关器件及其优化控制方法-CN201610396071.7有效
发明人：赵海伟;秦海鸿;朱梓悦;谢昊天 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC/Si混合并联开关器件及其优化控制方法，包括连接于开关器件的输入端和输出端之间的SiC器件组及并联连接于SiC器件组两端的Si器件组；所述SiC器件组由m个SiC器件并联组成，其中m为1以上的正整数；所述Si器件组由n个Si器件并联组成，其中n为1以上的正整数；根据所述开关器件的输入端和输出端之间负载电流大小，控制SiC器件组和Si器件组开通或关断。本发明可最大程度的减小功率变换器的损耗，提高过载工作能力，扩大混合并联器件的安全工作区；并且，在提高功率变换器功率处理能力的同时使得功率器件的损耗尽可能小，同时降低系统的损耗和成本，并满足功率变换器的过载要求
一种 sic si 混合并联开关器件及其优化控制方法