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[发明专利]电极结构与太阳电池结构-CN202010072891.7在审
发明人：廖士霆;罗俊杰;张瀚丞;黄建福;陈建勋 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种电极结构，包括多层掺杂多晶结构与电极。多层掺杂多晶结构包括第一掺杂多晶层、第二掺杂多晶层与第一掺杂介电层。第二掺杂多晶层位于第一掺杂多晶层上。第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层为相同掺杂型。第二掺杂多晶层的掺杂浓度大于第一掺杂多晶层的掺杂浓度。第一掺杂介电层位于第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层之间。电极位于第二掺杂多晶层的远离第一掺杂介电层的一侧。电极电性连接至多层掺杂多晶结构。上述电极结构可优化场效应、提升隐开路电压与降低片电阻。
电极结构太阳电池

[发明专利]栅极沟槽以及半导体器件的制造方法-CN201010261546.4无效
发明人：韩秋华;黄敬勇;鲍俊波;张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极沟槽和半导体器件的制造方法，所述栅极沟槽的制造方法包括：在半导体衬底上依次形成掺杂多晶硅层和非掺杂多晶硅层；刻蚀非掺杂多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层，所述图案化掺杂多晶硅层的截面宽度小于图案化非掺杂多晶硅层的截面宽度；在图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层的侧壁形成侧壁层；去除图案化非掺杂多晶硅层和图案化掺杂多晶硅层，形成栅极沟槽。本发明使形成的图案化掺杂多晶硅层的截面宽度小于所述非掺杂多晶硅层的截面宽度，可确保获得轮廓较佳的金属栅极。
栅极沟槽以及半导体器件制造方法

[发明专利]一种杂多酸型催化剂的使用方法-CN02123293.8无效
发明人：王清遐;刘晓萍;何盛宝;徐龙伢;孙新德 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2002-06-17 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： B01J27/199 文献下载
摘要：本发明提供一种提高含有杂多酸或杂多酸盐的固体酸催化剂的酸强度稳定性的方法，催化剂中含有重量比0.5－100％的杂多酸或杂多酸盐，所述杂多酸或杂多酸盐为中心原子为P或Si、配位原子为W、Mo、V中的至少一种元素的杂多酸或杂多酸盐或其混合物；反应气氛中有水存在，水的分压为2－1000毫米汞柱，可明显改善含有杂多酸或杂多酸盐的固体酸催化剂酸强度的稳定性。
一种杂多催化剂使用方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310470192.1在审
发明人：毛卫平;金竹;张明明;郭世成;范洵;付少剑;杨阳;叶风;潘利民 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供了一种TOPCon电池，包括：掺杂多晶硅层；掺杂多晶硅层包括：第一掺杂多晶硅区域和第二掺杂多晶合金硅区域；第一掺杂多晶硅区域选自磷掺杂的多晶硅；第二掺杂多晶合金硅区域选自氧、碳、氮中至少一种元素合金化的磷掺杂多晶硅；第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度不低于1E20cm‑3；第二掺杂多晶合金硅区域的禁带宽度大于第一掺杂多晶硅区域的禁带宽度，第二掺杂多晶合金硅区域的掺杂浓度小于第一掺杂多晶硅区域的掺杂浓度本发明提供的TOPCon电池结构，既能保证金属接触区的掺杂多晶硅厚度，避免浆料烧结过程隧穿氧化层被破坏，降低复合电流和接触电阻；同时又能降低非金属区的光寄生吸收，尤其是降低自由载流子吸收。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法-CN201210163138.4有效
发明人：唐在峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法，包括以下顺序步骤：在具有N型掺杂多晶硅和非掺杂多晶硅的衬底板上沉积一层硬掩膜层，分别形成N型掺杂多晶硅硬掩膜层和非掺杂多晶硅硬掩膜层，对非掺杂多晶硅硬掩膜层进行刻蚀使得其厚度小于N型掺杂多晶硅硬掩膜层。在不同厚度的N型掺杂多晶硅硬掩膜层和非掺杂多晶硅硬掩膜层上沉积一防反射层，对整个器件进行预设定图案进行刻蚀，刻蚀至露出N型掺杂多晶硅为止。去除刻蚀过程留下在器件表面的残留物，后对器件进行刻蚀分别形成N型掺杂多晶硅栅极和非掺杂多晶硅栅极。
降低掺杂多晶栅极刻蚀形貌差异方法

[发明专利]一种杂多酸催化木质纤维素水解的方法-CN201710117975.6在审
发明人：傅尧;刘新鑫;陈蒙远;严龙 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C13K1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种杂多酸催化木质纤维素水解的方法，包括以下步骤将植物生物质、杂多酸催化剂与反应溶剂混合，进行水解反应，得到水解产物；所述水解产物中包含单糖；所述杂多酸催化剂为杂多酸、杂多酸盐与负载型杂多酸催化剂中的一种或多种；所述负载型杂多酸催化剂包含载体与负载于载体上的活性成分；所述活性成分为杂多酸和/或杂多酸盐；所述反应溶剂为水或含水混合溶剂。与现有技术相比，本发明以杂多酸催化剂催化木质纤维素水解，杂多酸为强质子酸，其可通过加氢催化植物生物质水解，高效催化高选择性水解多糖中的糖苷键制备单糖；该方法反应条件温和，操作简单，且催化剂廉价易得，可循环使用
一种杂多催化木质纤维素水解方法

[发明专利]一种杂多酸盐催化剂及其制备方法与应用-CN202210787666.0有效
发明人：王利国;惠祥;陈家强;曹妍;李会泉;贺鹏;徐爽;郑征 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B01J27/188 文献下载
摘要：本发明涉及一种杂多酸盐催化剂及其制备方法与应用，所述杂多酸盐催化剂的制备方法包括如下步骤：(1)混合无机金属盐与醇类溶剂，得到无机金属盐溶液；(2)均匀混合杂多酸溶液与步骤(1)所得无机金属盐溶液，经静置与固液分离得到杂多酸盐催化剂前驱体；(3)步骤(2)所得杂多酸盐催化剂前驱体依次经烘干与煅烧，得到所述杂多酸盐催化剂；步骤(2)所述杂多酸溶液为杂多酸与无机溶剂混合得到。本发明通过杂多酸与无机金属盐的的复合，将金属离子交换到杂多酸表面，所得杂多酸盐催化剂具有催化活性高与反应温和的特点，可高效催化碳酸二甲酯和戊二胺合成戊二氨基甲酸酯，具有良好的工业应用前景。
一种杂多催化剂及其制备方法应用

[发明专利]侧壁阻挡结构及制造方法-CN200310117008.8无效
发明人： S·格恩哈特;J·利安;A·希利格尔;R·布鲁赫豪斯;U·韦尔豪森;N·内格尔 -专利权人：英飞凌技术股份有限公司
申请日： 2003-11-27 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：由相对重掺杂多晶硅层和相对轻掺杂多晶硅层形成多晶硅塞。相对轻掺杂多晶硅层穿过相对重掺杂多晶硅层以超出相对重掺杂多晶硅层向晶片表面延伸。为了减小在多晶硅塞的表面氧化，阻挡层覆盖相对轻掺杂多晶硅层的顶部和侧壁。通过在CP接触中沉积相对重掺杂多晶硅层、沉积相对轻掺杂多晶硅层穿过相对重掺杂多晶硅层和沉积阻挡层覆盖相对轻掺杂多晶硅层的顶部和侧壁来制造晶片以减小在多晶硅塞表面的氧化。
侧壁阻挡结构制造方法

[发明专利]一种从失活的负载型杂多酸催化剂中回收杂多酸的方法-CN200610169668.4有效
发明人：杜勇;何奕工 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： B01J38/68 文献下载
摘要：本发明介绍了一种从失活的负载型杂多酸催化剂中回收活性组元杂多酸的方法，包括以下步骤：(1)使失活的负载型杂多酸催化剂与水接触，使杂多酸溶解在水中，分离出载体，得到杂多酸水溶液；(2)杂多酸水溶液与酸纯化剂接触，使杂多酸纯化沉淀，过滤、干燥，得到杂多酸晶体。与现有技术相比，本发明流程简单，回收过程不使用有机溶剂、含氧气体、双氧水，也不使用离子交换方法，收率可以高达70％，适宜大规模工业应用；回收的杂多酸结构单一，能够满足用作酸催化剂的要求。
一种负载杂多催化剂回收方法

[发明专利]半导体存储器件的制造方法及半导体存储器件-CN201911097436.6有效
发明人：宓筠婕;林宏益 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明中，半导体存储器件的制造方法包括：提供基底以及位于基底上的功能层，功能层内具有至少一个贯穿功能层的第一沟槽；在第一沟槽的底部和侧壁形成第一掺杂多晶硅膜，且第一掺杂多晶硅膜围成第二沟槽，第二沟槽位于第一沟槽内；在第一掺杂多晶硅膜上形成填充满第二沟槽的第二掺杂多晶硅膜；对第二掺杂多晶硅膜以及第一掺杂多晶硅膜进行第一刻蚀处理，去除部分第一掺杂多晶硅膜和部分第二掺杂多晶硅膜剩余第二掺杂多晶硅膜作为第二掺杂多晶硅层，剩余第一掺杂多晶硅膜作为第一掺杂多晶硅层。
半导体存储器件制造方法

[发明专利]改善掺杂与非掺杂多晶硅栅极刻蚀形貌差异的方法-CN201210343505.9有效
发明人：唐在峰;吕煜坤;方超;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善掺杂多晶硅栅极与非掺杂多晶硅栅极刻蚀形貌差异的方法，利用存在有高度差的硬掩膜层，再加上正常的多晶硅栅极刻蚀所需的光照，对同时存在掺杂多晶硅和未掺杂多晶硅的衬底进行刻蚀，掺杂多晶硅栅极与非掺杂多晶硅栅极同时制作完成本发明所述方法制作得到的多晶硅栅极，掺杂多晶硅栅极和非掺杂多晶硅栅极形貌基本一致，没有出现现有技术中常常遇到的缺陷。
改善掺杂多晶栅极刻蚀形貌差异方法

[发明专利]在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成钛化硅层的方法-CN200910046709.4有效
发明人：汪铭;韩轶男;贺吉伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成钛化硅层的方法：在器件衬底依次沉积垫氧化膜、非掺杂多晶硅层及氮化硅层；根据图案化的氮化硅层，依次刻蚀氮化硅层、非掺杂多晶硅层、垫氧化膜及器件衬底，形成掺杂多晶硅沟槽；在掺杂多晶硅沟槽内沉积氧化硅层后，沉积掺杂多晶硅柱并刻蚀至垫氧化膜，在掺杂多晶硅沟槽内进行热氧化，氧化非掺杂多晶硅层侧壁，得到作为氧化硅侧墙的氧化膜；干法刻蚀掺杂多晶硅柱上的氧化膜后，依次刻蚀掺杂多晶硅沟槽上的氮化硅层、非掺杂多晶硅层、垫氧化膜及掺杂多晶硅柱上的氧化膜，沉积钛Ti并采用快速退火处理，形成TiSi2层。
器件掺杂多晶沟槽形成钛化硅层方法

[发明专利]一种表面修饰变价金属离子的固态杂多酸复合催化剂及其制备方法和应用-CN201510114892.2有效
发明人：王齐;朱纳鑫;石晓东;刘恩秦;周甜甜;刘妍秋;张佰鑫;丛燕青 -专利权人：浙江工商大学
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B01J31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面修饰变价金属离子的固态杂多酸复合催化剂及其制备方法和应用，复合催化剂，由固态杂多酸及负载在固态杂多酸表面的变价金属离子组成，所述固态杂多酸由如下方法制备将磷钨杂多酸溶于去离子水中，以不同对离子源为对离子，采用化学沉积法制备磷钨杂多酸母体，将所述磷钨杂多酸母体煅烧后得所述固态杂多酸。
一种表面修饰变价金属离子固态杂多复合催化剂及其制备方法应用

[发明专利]太阳能电池的制备方法-CN201911253664.8在审
发明人：陈海燕;邓伟伟 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括在硅片的一侧表面制备隧穿层，再于所述隧穿层表面依次制备第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂浓度小于第二掺杂多晶硅层的掺杂浓度，并经后续退火得到掺杂多晶硅层本申请通过对掺杂多晶硅层的制备过程进行优化，先在靠近隧穿层的位置制备掺杂浓度较低的第一掺杂多晶硅层，再层叠制备掺杂浓度较高的第二掺杂多晶硅层，后续高温退火形成掺杂多晶硅层的过程中，能够减小对隧穿层钝化效果的影响
太阳能电池制备方法

[发明专利]固载型磷钨杂多酸的制备方法-CN201410570479.2有效
发明人：丁斌;李祥;郝凤岭;关昶;王海东;刘群 -专利权人：吉林化工学院
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： B01J27/188 文献下载
摘要：为了缩短固载型杂多酸的制备工艺，本发明提出利用乙醚/聚苯胺萃取制备固载型磷钨杂多酸的方法，该方法解决了常规制备杂多酸过程中使用大量乙醚萃取而造成资源浪费以及空气环境污染等问题。此固载型磷钨杂多酸的制备方法乙醚/聚苯胺萃取制备磷钨杂多酸的方法包括：1、萃取剂乙醚/聚苯胺制备；2、固载型磷钨杂多酸制备。通过本发明的方法可以用乙醚/聚苯胺萃取剂萃取反应液中磷钨杂多酸，不但可以简化固载型磷钨杂多酸制备流程，同时也避免了常规法制备磷钨杂多酸过程中萃取时大量使用乙醚，而造成浪费和难回收再利用等问题，同时对环境具有保护意义
固载型磷钨杂多制备方法

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