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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

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F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

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2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种晶圆控片的重复使用方法-CN202310096805.X在审
发明人：朱才良;詹衎 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆控片的重复使用方法，通过在晶圆控片上预先生长保护膜层来保护晶圆控片，使得后续进行CVD制程监控时，在等离子体化学气相沉积工艺膜层的过程中，不会因为使用等离子体而对晶圆控片造成结构损伤，不会出现晶圆控片缺陷数值过高的情况，从而大大提高了晶圆控片的循环使用次数，且在一定程度上降低了晶圆控片的使用成本。
一种晶圆控片重复使用方法

[发明专利]晶圆控片重复利用的方法-CN201110126352.8有效
发明人：涂火金;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种晶圆控片重复利用的方法，包括：提供利用过的晶圆控片，所述利用过的晶圆控片表面形成有外延层；去除所述外延层；在去除所述外延层后，在低温条件下形成覆盖所述晶圆控片的保护层；去除所述保护层，形成新的晶圆控片。本发明实施例的晶圆控片重复利用的方法，晶圆控片可以重复利用多次，降低了半导体器件生产厂家的成本。
晶圆控片重复利用方法

[发明专利]基于激光退火的晶圆分区RS量测方法、终端和存储介质-CN202210540380.2在审
发明人：刘庆锋;王诚;李家超 -专利权人：上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种基于激光退火的晶圆分区RS量测方法、终端和存储介质，通过将晶圆控片以圆心为原点建立X‑Y直角坐标系，以将晶圆控片划分为至少2个晶圆控片分区，而后基于激光退火机提供的矩形光斑对各个晶圆控片分区分别进行不同的局部激光退火，再对各个晶圆控片分区分别进行RS量测，从而获取RS数据。本发明通过激光退火机中的光路扫描与工作台步进的运动配合，可实现对晶圆控片的局部退火；以晶圆控片圆心为原点建立晶圆控片分区，可有效代表整片晶圆的特性；对晶圆控片的分区操作可获得稳定可靠的RS量测数据，且可有效节约晶圆控片的数量
基于激光退火分区 rs 方法终端存储介质

[发明专利]一种晶圆控片的研磨方法-CN200810033053.8有效
发明人：戴文俊;汤敬计 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆控片的研磨方法，它是将研磨夹具的厚度制作为略小于两个晶圆控片的厚度，然后将两个晶圆控片以背贴背的方式堆叠使两个晶圆控片的待研磨面分别朝向研磨上盘和研磨下盘而放入研磨夹具的孔洞中，利用研磨上盘和研磨下盘同时对两个晶圆控片的待研磨面进行研磨同时在两个晶圆控片之间填充吸附介质，以使两个晶圆控片牢固地吸附在一起，避免研磨过程中出现滑动。本发明的晶圆控片的研磨方法可有效降低晶圆控片研磨过程中硅的去除量，增加控片重复利用的次数，同时可以提高研磨机台的产能和达到减少控片成本的目的。
一种晶圆控片研磨方法

[发明专利]晶圆控片检测方法及装置-CN202111643222.1在审
发明人：詹万鹏;屠礼明;张卫涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆控片检测方法及装置。所述晶圆控片检测方法包括如下步骤：拍摄一待检测的晶圆控片的原始图像；根据所述原始图像获取所述晶圆控片的第一缺陷信息，所述第一缺陷信息包括多个缺陷类型、以及每一所述缺陷类型在所述晶圆控片上的位置；根据所述第一缺陷信息对所述晶圆控片进行电子束扫描本发明提高了晶圆控片检测的效率和准确度。
晶圆控片检测方法装置

[发明专利]一种晶圆控片的快速热处理方法-CN201910511285.8有效
发明人：温育杰;叶李欣;吴小贤;蒋磊 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆控片的快速热处理方法，涉及半导体器件制造技术领域。本方法至少包括以下步骤：提供第一晶圆控片；对所述第一晶圆控片进行第一次快速热处理；对经过第一次快速热处理后的所述第一晶圆控片进行第二次快速热处理，以取得第一电阻值趋势曲线；依据所述第一电阻值趋势曲线，取得所述预设电阻值趋势曲线；依据所述第一电阻值趋势曲线及预设电阻值趋势曲线，取得所述第一晶圆控片的标准快速热处理温度条件。本发明通过对晶圆控片进行两阶段的快速热处理，解决了现有技术所导致的晶圆控片表面边缘区域的电阻值再现性差、晶圆控片表面电阻值偏离目标值的问题。
一种晶圆控片快速热处理方法

[发明专利]在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法-CN201410011618.8在审
发明人：张凌越;陈广伦;王慧 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在批量式多晶硅沉积制程中消除控片影响的方法，该方法采用经过特殊处理的晶圆作为控片，控片的正面和背面都经过抛光处理，或者控片的背面经过化学槽的化学清洗处理后，使其背面的光亮度大于80光泽单位。本发明可以消除控片对位于控片下方晶圆的影响，使位于控片下方的晶圆表面的多晶硅薄膜的厚度和特性都与其他位置的晶圆表面的多晶硅薄膜一致，提高了产品良率。
批量多晶沉积制程中消除影响方法

[发明专利]一种改善薄膜沉积均匀度的方法-CN201711086329.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种改善薄膜沉积均匀度的方法，该方法包括如下步骤：采用晶舟承载多片晶圆；所述晶舟具有头部和尾部，多片晶圆排列放置于晶舟的头部和尾部之间；在多片晶圆与晶舟头部，和/或在多片晶圆与晶舟尾部之间放置档控片；将承载有晶圆和档控片的晶舟置于反应炉管中并进行薄膜沉积；其中，所述档控片具有非平坦的表面结构。本发明导入具有非平坦表面结构的挡控片取代现有技术中的平坦的挡控片，藉由增加挡控片吸附面积增加吸附气体能力，可有效地降低临近挡控片产品边缘厚度，从而可有效改善芯片膜厚均匀度，平滑晶舟位置边缘良率损失的曲线以提升产品良率
一种改善薄膜沉积均匀方法

[发明专利]一种晶圆测试控片的使用方法-CN200710047361.1无效
发明人：涂火金;季峰强;王海峰;范建国;黄柏喻;陈腾宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆测试控片的使用方法，可解决晶圆刻号所使用的激光标记工具日常监控时测试控片使用量大的问题。该方法包括三个步骤：1.以晶圆中心为圆心每间隔若干角度作晶圆半径；2.用若干相隔一定距离的间距点将晶圆半径分段；3.在所述的间距点位置进行标记。调节步骤1中晶圆半径之间间隔的角度大小和步骤2中将晶圆半径分段的间距点之间的距离长度可控制整个晶圆控片上进行标记的间距点的密度。采用本发明的晶圆控片的使用方法可有效提高晶圆控片面积的使用率，大幅度降低激光标记工具日常监测控片的使用数量，节约成本。
一种测试使用方法

[发明专利]晶圆控片及其制造方法-CN201610278144.2在审
发明人：三重野文健 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆控片及其制造方法，所述制造方法包括步骤提供一多晶硅晶圆；在所述多晶硅晶圆的表面形成硅膜涂层；通过在多晶硅晶圆的表面形成硅膜涂层，保证了晶圆控片的抗压性，不会因为外部的压力发生破裂，并且采用多晶硅晶圆，不仅节省了晶圆控片的成本，而且避免引入其他的问题而影响到检测结果，保证了检测结果的准确性。
晶圆控片及其制造方法

[发明专利]多晶硅炉管生长厚度监测方法-CN201310354782.4有效
发明人：王智;罗宏鹏;苏俊铭;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅炉管生长厚度监测方法，包括：在晶舟的两端放置一定量的侧部虚拟晶圆；在晶舟内与上端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；晶舟内的中间位置放置一个或两个控片；在晶舟内与下端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；在晶舟内的剩余位置上从晶舟的上端向下端依次放置将要形成多晶硅的目标晶圆；在晶舟内未被多晶硅的目标晶圆填满的位置处放置填充虚拟晶圆；进行多晶硅生长；取所述控片进行多晶硅生长厚度量测。
多晶炉管生长厚度监测方法

[发明专利]晶圆控片及其形成方法-CN201110379655.0有效
发明人：陈蕾;鲍晔;胡林;周孟兴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种晶圆控片及其形成方法，晶圆控片的形成方法，包括：提供晶圆；图形化所述晶圆，在所述晶圆形成图形，所述图形底部暴露出晶圆；形成透明保护层，覆盖图形化后的晶圆。透明保护层可以起到保护下层的图形化晶圆的作用，防止图形化晶圆的图形发生变化，而且由于是透明保护层，不会造成图形化晶圆的图形不清楚。
晶圆控片及其形成方法

[发明专利]可重复使用的晶圆控片及其形成方法-CN02122807.8有效
发明人：吴金刚;黄晋德;刘靓一;李修远 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2002-06-04 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种半导体制程的晶圆控片的形成方法。在本发明的一实施例中，首先提供一晶圆底材。然后，形成一氧化层于晶圆底材上。接着，形成一非晶硅层于氧化层上。之后，进行一离子植入制程以掺杂非晶硅层与氧化层。其次，进行一回火制程以形成一晶圆控片。在回火制程后，可进行一量测程序以测定方块电阻值(Rs)，并进行日程监控。另一方面，当日程监控完成后，湿法控片晶圆底材上的非晶硅层与氧化层，晶圆控片可以重复使用，降低日程监控成本。
重复使用晶圆控片及其形成方法

[发明专利]湿法刻蚀方法、装置、系统、计算机设备以及介质-CN202310065109.2有效
发明人：涂程林;郝利兰 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请涉及一种湿法刻蚀方法、装置、系统、计算机设备以及介质，方法包括：获取当前批次的晶圆的片数，判断其是否等于满批片数；若是：在存在另一满批片数晶圆的情况下，则控制晶圆匹配模块将两批满批片数晶圆匹配处理，使得其中一批满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与另一满批片数晶圆中一片的刻蚀面相对且相邻设置；在不存在另一满批片数晶圆的情况下，则控制控片匹配模块将满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理；反之：则控制控片匹配模块将非满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理
湿法刻蚀方法装置系统计算机设备以及介质

[发明专利]晶舟、扩散设备及半导体器件制造方法-CN202110600198.7有效
发明人：梁兆龙;谷玲玲;任宏志 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶舟、扩散设备及半导体器件制造方法，晶舟包括：若干固定柱、固定板、连接台以及承载结构，固定板与若干固定柱连接；连接台设有第一可拆卸部件；多个承载结构设置在每一固定柱上，若干固定柱通过各固定柱上对应的承载结构共同承载晶圆，其中，晶圆包括产品晶圆和控片晶圆；承载结构包括产品承载部、控片承载部和连接台承载部，产品承载部用于承载产品晶圆，控片承载部用于承载控片晶圆，连接台承载部设于控片承载部的上方，连接台承载部设有第二可拆卸部件本申请，通过上述方式，提高了晶舟的适用性。
晶舟扩散设备半导体器件制造方法

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