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[实用新型]一种晶体生长装置-CN201420760295.8有效
发明人：郑飞龙;茅陆荣;周劲松 -专利权人：上海森松压力容器有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶体生长装置。晶体生长装置包括晶体生长组件和加热组件，物料内置于晶体生长组件，加热物料至预定的温度梯度，引导物料进入引晶阶段、放肩阶段和等径生长阶段。根据测温组件的检测温度，导向组件驱动晶体生长组件运动，以适应VGF工艺和VB工艺的温度梯度要求。本实用新型结合VGF工艺和VB工艺的优势，有效放宽热场温度梯度的限制，提升晶体结晶速度。
一种晶体生长装置

[发明专利]一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法-CN202310536092.4在审
发明人：徐明霞;郝国凯;孙洵;张立松;刘宝安;任宏凯 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法，包括恒温供液装置、蠕动泵和晶体生长装置，所述晶体生长装置包括外壳，外壳内部设置有恒温水槽，恒温水槽的底部设置有控温装置Ⅱ，外壳的顶部设置有生长槽架，生长槽架上方竖直设置有电机，电机下方驱动连接有竖直的旋转轴，旋转轴底部向下延伸入外壳内，旋转轴的底端设置有晶架，在恒温水槽中设置有生长槽，晶架位于生长槽内，在晶体生长时，通过蠕动泵连续不断加入水或重水，当晶体在圆柱形玻璃管内定向生长时，生长溶液的氘含量是均匀变化的，形成了一定氘浓度梯度，使氘含量沿晶体生长方向变化，可以准确计算晶体生长量，从而控制蠕动泵传输速率，使氘含量变化均匀。
一种梯度 dkdp 晶体生长装置方法

[发明专利]KDP类晶体生长槽内溶液过饱和度实时测量系统及其测量方法-CN201910590546.X在审
发明人：齐红基;陈端阳;邵建达;范永涛;王斌 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： G01N19/00 文献下载
摘要：一种KDP类晶体生长槽内溶液过饱和度实时测量系统及其测量方法，包括晶体生长槽、位于所述的晶体生长槽内部的载晶架，所述的载晶架通过载晶架连杆与位于所述的晶体生长槽外部的旋转电机相连，所述的载晶架连杆上安装有编码器，所述的编码器与计算机通信连接，晶体生长槽的侧壁开有观察窗，所述的载晶架连杆上安装有环形压力传感器，所述的环形压力传感器与所述的计算机通信连接。本发明可以准确得到晶体生长槽内实时的溶液过饱和度，有利于科研人员掌握KDP类晶体的生长规律，优化KDP类晶体生长工艺和提高晶体质量，助力ICF装置的顺利完工。
晶体生长槽溶液过饱和度环形压力传感器实时测量系统计算机通信编码器测量晶体生长工艺旋转电机观察窗晶体的侧壁生长外部科研优化

[发明专利]一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构-CN201210129619.3无效
发明人：孔海宽;忻隽;陈建军;严成锋;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层；所述的测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层上并能够通过其利用高温红外测温计测量晶体生长室内温度的开孔本发明的测温结构可以在晶体生长过程中准确测量坩埚顶部温度，从而实现精确控温，并且避免测温孔堵塞导致的温度梯度变化，提高晶体生长的成品率。
一种适用于 pvt 生长 sic 晶体系统测温结构

[发明专利]一种晶体生长控制方法、装置、系统及可读存储介质-CN202110731980.2在审
发明人：陈运华;祝婷;刘俊龙 -专利权人：蓝思系统集成有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长控制方法、装置、系统及计算机可读存储介质，该方法包括：获取晶体生产设备的数据信息，数据信息包括设备运行参数信息和晶体生长参数信息；判断数据信息中是否存在异常数据，若不存在，则依据预先建立的晶体生长量模型判断晶体的当前生长量是否达到最优生长量，若未达到，则根据生长量模型对晶体生产设备的参数进行调节；本发明在使用过程中能够实现对晶体生长情况的自动检测和控制，减少人力消耗，有利于提高晶体生长质量和产量。
一种晶体生长控制方法装置系统可读存储介质

[实用新型]用于晶体生长设备的清扫用具和晶体生长设备-CN202221357809.6有效
发明人：佘辉;迈克·弗兰肯堡 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于晶体生长设备的清扫用具和晶体生长设备，晶体生长设备包括晶体生长炉，晶体生长炉具有待清洁表面，清扫用具适于位于待清洁表面的径向内侧，且包括吹扫组件和保温组件，吹扫组件具有换向面，换向面用于改变流向换向面的吹扫气流的方向，保温组件固设于吹扫组件的下侧，且在预设位置时，保温组件适于遮挡在晶体生长设备的坩埚的上侧。
用于晶体生长设备清扫用具

[发明专利]一种铋层状结构BTXO晶体及其制备方法-CN201810623842.0在审
发明人：赵洪阳;王欢;贾婷婷;程振祥;木村秀夫 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种铋层状结构BTXO晶体及其制备方法，所述BTXO化学式为Bi₅Ti₃XO₁₅，其中X＝Mn，Cu，Ni，V，并且所述铋层状结构BTXO晶体具有天然超晶格结构。其制备方法为：1)按BTXO的化学计量比进行配料，将原料研磨并混合均匀，利用压料机压实成块，然后进行烧结得到多晶料；2)对多晶料进行切割、打磨得到晶体生长预制棒；3)将所得晶体生长预制棒放入铂金管内，然后置于晶体生长炉中，在氩气气氛下加热至晶体生长预制棒熔点温度，然后从晶体生长预制棒下方插入晶种，以1℃/min的速率降温20℃后下拉晶种进行晶体生长，晶体生长结束后保温1～2h，冷却后取出得到铋层状结构BTXO晶体。
晶体生长铋层状结构预制棒制备多晶料晶种熔点超晶格结构化学计量比晶体生长炉氩气气氛烧结研磨铂金管压料机放入下拉加热保温打磨冷却切割取出

[发明专利]一种模块化的复合晶体制备系统-CN201810288258.4在审
发明人：董春明 -专利权人：济南金曼顿自动化技术有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种模块化的复合晶体制备系统，包括炉架、炉腔、晶体生长温场模块、旋转提拉称重单元和升降机构，炉腔设置在炉架上，炉腔前侧设置有前门，炉腔侧面设有通光窗口，晶体生长温场模块设置于炉腔内，旋转提拉称重单元设置在炉腔的上部，旋转提拉称重单元的下部连接提拉杆，晶体生长温场模块为微下拉法模块、提拉法模块和激光基座加热法模块之一。该系统一机多用，主体部分对于不同的晶体生长方法通用，方便地更换晶体生长温场模块，实现不同方法的晶体生长，制备不同种类的功能晶体，能够满足高校科研院所对于多品种晶体的探索研究，也能够满足工业生产的小批量晶体生长需求
晶体生长炉腔温场称重单元提拉复合晶体制备系统模块化炉架高校科研功能晶体模块设置升降机构通光窗口多品种加热法晶体的提拉法提拉杆统一机下拉法小批量制备前门激光侧面通用探索研究

[实用新型]一种模块化的复合晶体制备系统-CN201820460519.1有效
发明人：董春明 -专利权人：济南金曼顿自动化技术有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种模块化的复合晶体制备系统，包括炉架、炉腔、晶体生长温场模块、旋转提拉称重单元和升降机构，炉腔设置在炉架上，炉腔前侧设置有前门，炉腔侧面设有通光窗口，晶体生长温场模块设置于炉腔内，旋转提拉称重单元设置在炉腔的上部，旋转提拉称重单元的下部连接提拉杆，晶体生长温场模块为微下拉法模块、提拉法模块和激光基座加热法模块之一。该系统一机多用，主体部分对于不同的晶体生长方法通用，方便地更换晶体生长温场模块，实现不同方法的晶体生长，制备不同种类的功能晶体，能够满足高校科研院所对于多品种晶体的探索研究，也能够满足工业生产的小批量晶体生长需求
晶体生长炉腔温场称重单元提拉复合晶体制备系统模块化炉架高校科研功能晶体模块设置升降机构通光窗口多品种加热法晶体的提拉法提拉杆统一机下拉法小批量制备前门激光侧面通用探索研究

[发明专利]一种隧道式种植平台移动装置-CN201811127949.2在审
发明人：万贤能 -专利权人：鲜语智慧（广州）农业科技有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： A01G31/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧道式种植平台移动装置，其特征在于：包括隧道、种植平台以及植物生长促进装置。本发明通过隧道和种植平台，给植物种植营造一个良好的生长空间，免受外界自然因素的影响，集中足量的供应植物所需的生长要素，有助缩短植物生长周期，刺激植物转化有效营养素，健康茁壮成长；隧道设有连续长条型隧道和分段型隧道，连续长条型隧道可适用于规模化种植，分段型隧道可根据植物的生长期，移动到适合该阶段生长的隧道内，施加生长因素，促进不同阶段的植物生长；在水耕时，种植平台有三种移动模式，让植物根部可以顺利移动到下一个水槽，可以根据植物的生长习性，选择不同的移动方式，避免对植物根部的伤害；在雾耕时，可根据植物的生长习性选择喷雾室雾耕或气雾室雾耕。
隧道种植平台移动装置生长植物根部长条型分段型隧道式习性营养素植物生长促进植物生长周期水槽刺激植物阶段生长生长空间外界自然移动方式移动模式植物种植规模化喷雾室气雾室移动水耕足量施加伤害转化健康

[实用新型]一种结晶器-CN201320654302.1有效
发明人：夏昂;胡璐;刘蔚青;汤斌;王宇森 -专利权人：夏昂;胡璐;刘蔚青;汤斌;王宇森
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结晶器，包括晶体生长箱和三向搅拌装置，所述三向搅拌装置通过三个方向的运动机构带动搅拌杆在三维方向内运动，对晶体生长箱内的晶体液进行各方向的搅拌，从而有效促进晶体生长，改变晶体生长轨迹，提高晶体质量。
一种结晶器

[发明专利]一种晶体生长的助熔剂及晶体生长方法-CN202010380449.0在审
发明人：张彦;王占勇;徐家跃 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长的助熔剂及晶体生长方法。所述晶体为Pb17O8Cl18，所述助熔剂的体系包括PbO、金属卤化物M′X晶体生长方法为：将多晶原料与助熔剂混合融化；在熔体温度饱和点上方开始引晶，熔体温度稳定在饱和点，开始晶体生长；晶体生长至所需尺寸，提升籽晶杆晶体脱离液面，在弱氧化性气氛中进行退火处理。本发明充分照顾晶体生长的取向，有效提高晶体生长稳定性，减小生长过程中溶体挥发和体系粘度，解决晶体针状发育及生长的晶体易开裂、变颜色等问题，生长出的晶体尺寸大、光学质量高。
一种晶体生长熔剂方法

[实用新型]一种焰熔法数控晶体生长炉-CN201721611398.8有效
发明人：毕孝国;周文平;唐坚;刘旭东;孙旭东 -专利权人：沈阳工程学院
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C30B11/10 文献下载
摘要：本实用新型属于新材料领域，为一种焰熔法数控晶体生长炉，包括:晶体生长系统，包括晶体生长炉、穿入晶体生长炉内，用于作为晶体生长的载体的晶体生长基座杆，通过电机带动传动丝杠传递至晶体晶体生长基座杆做上下运动的升降速度控制机构；原料供应系统，包括锥形原料仓，在所述原料仓内设置筛网，所述原料仓的进料口安装有筛网振动机构；燃料供应系统，通过管线连接至生长室；数字控制系统，向升降速度控制机构、筛网振动振幅控制机构、筛网振动频率控制机构以及进气系统发出控制信号本实用新型能够生长出微观结构完整的高品质的高温下特别是熔体状态下具有分解倾向的高温氧化物单晶体，如钛酸锶、金红石等单晶体。
晶体生长炉原料仓筛网升降速度控制本实用新型晶体生长单晶体基座杆焰熔法数控晶体生长系统燃料供应系统筛网振动机构设置控制参数数字控制系统原料供应系统振动频率控制高温氧化物新材料领域传动丝杠电机带动管线连接进气系统晶体晶体控制信号熔体状态上下运动微观结构振动振幅生长高品质金红石进料口生长室钛酸锶穿入分解传递

[发明专利]一种GaAs单晶生长工艺-CN202210205388.3有效
发明人：周雯婉 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本申请涉及晶体生长领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。包括以下步骤单晶生长：装有GaAs熔体的坩埚逐渐下降，并依次经过高温区、晶体生长区、低温区，单晶生长的过程中，结晶界面始终处于晶体生长区内；所述高温区的温度区间为1260‑1250℃，所述晶体生长区的温度区间为1250‑1200℃，所述低温区的温度区间为1200‑780℃；所述晶体生长区的温度随高度的降低逐渐降低。本申请的制备方法具有提高砷化镓生长品质的优点。
一种 gaas 生长工艺

[发明专利]晶体生长装置及方法、TGS类晶体-CN202210852486.6在审
发明人：周成;何亮;李建敏;毛伟;张存新;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;甘胜泉;熊仁根 -专利权人：江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体生长装置和晶体生长方法、TGS类晶体，晶体生长装置包括水槽、生长室、籽晶杆和籽晶；水槽为环形槽体，水槽全部或部分包围住生长室的侧部和底部；水槽的侧面和/或水槽的上端面设置进水口和出水口；生长室的上端面和/或水槽的上端面设置有保温盖；籽晶粘接在籽晶杆的下端，籽晶杆可进出生长室；籽晶杆上设置有传热介质进口和传热介质出口。本发明通过对水槽和籽晶杆双向控温，使得籽晶生长处的温度及过冷度可根据晶体生长特性进行调整，从而使得在籽晶生长过程中整体更加适宜晶体生长，降低晶体生长过程中缺陷的产生，提高了晶体质量。
晶体生长装置方法 tgs 晶体