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[发明专利]锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉-CN202111656465.9有效
发明人：程鹏;程波;陈元瑞 -专利权人：无锡晶名光电科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉，其可降低锑化铟晶体应力，该方法基于晶体生长炉实现，晶体生长炉包括炉体、设置于炉体内的坩埚、位于坩埚上方的热屏，坩埚内盛装有锑化铟多晶原料，热屏内部设置有电磁感应加热线圈，电磁感应加热线圈套装于锑化铟晶体的外周且与锑化铟晶体的局部间隔对应；使用晶体生长炉并基于切克劳斯基法进行锑化铟晶体生长，锑化铟晶体生长时依次穿过热屏的屏口、电磁感应加热线圈，通过电磁感应加热线圈对锑化铟晶体进行周期性加热
锑化铟晶体生长方法

[实用新型]一种晶体生长设备及晶体-CN202123056897.4有效
发明人：韩永飞;王欣;刘鹏涛 -专利权人：北京滨松光子技术股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长设备及晶体，涉及晶体生长技术领域，解决现有技术中提拉法生长晶体过程中温度梯度变化导致晶体内部出现缺陷的问题。该晶体生长设备包括：生长炉，生长炉内具有生长炉腔；坩埚，设置于生长炉腔内，坩埚内可盛放晶体原料；感应线圈，设置于生长炉腔内，且围绕在坩埚外部；感应线圈驱动机构，与感应线圈连接，可在晶体生长的过程中，驱动感应线圈相对坩埚按照不同的速度向下移动本申请方案能平稳调整坩埚与感应线圈的相对位置，以调整坩埚内液面上方的温度变化，使晶体生长界面的温度梯度与初始状态保持一致，为晶体生长提供持续稳定的温场环境，避免晶体生长产生缺陷，极大提高了毛坯良品率和材料利用率
一种晶体生长设备晶体

[发明专利]低成本稀土晶体的生长工艺中提拉生长速率的计算方法和计算系统-CN201710785757.X在审
发明人：薛冬峰;孙丛婷 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供了稀土晶体生长工艺中提拉生长速率的计算方法和计算系统，本发明从稀土晶体生长的根本出发，针对晶体生长的机理不清晰，缺乏对多尺度生长过程的有效控制的现状，认为生长控制系统之中缺少前端理论设计功能，从而延长了生长技术的周期，增加了稀土晶体生长的前期投入。本发明从稀土晶体的生长机理入手，提出了稀土晶体生长工艺中提拉生长速率的计算方法和计算系统，结合实际生长中的温度梯度，计算不同尺寸区间的生长速度，解决了稀土晶体生长技术设计周期长、生长参数需要反复优化等问题，尤其是大尺寸稀土晶体在上述方面存在的问题。
低成本稀土晶体生长工艺中提拉速率计算方法计算系统

[实用新型]μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉-CN201320733349.7有效
发明人：殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： F27B17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了µ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉，属于物质微观结构实时检测的实验装置领域。该实用新型针对同步辐射µ-XAFS技术特点和原位实时观测熔融法晶体生长过程的要求，设计的微型晶体生长炉，可实现对熔融法晶体生长不同区域的原位实时观测，在微型晶体生长炉的竖直方向上呈现出晶体、生长边界层和熔体（高温溶液）等区域，同步辐射X射线可原位实时透射过上述三个区域，分别采集它们的微观配位结构信息，从而获得熔融法晶体生长时不同区域的配位结构及其变化规律。
xafs 技术原位测量熔融晶体生长结构微型

[实用新型]一种GaN晶体生长装置-CN201520345573.8有效
发明人：陈蛟;李成明;刘南柳;巫永鹏;罗睿宏;李顺峰;张国义 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN晶体生长装置，包括高压釜，该高压釜内装设有坩埚，该坩埚内填充有晶体生长溶液，坩埚内放置有位于晶体生长溶液内的GaN籽晶，所述坩埚内设有浮在晶体生长溶液上的漂浮体，GaN籽晶生长面的背面与该漂浮体连接，漂浮体利用浮力带着GaN籽晶漂浮在晶体生长溶液上。本实用新型通过使GaN籽晶漂浮于高N浓度生长溶液顶部区域,GaN晶体可在生长溶液顶部区域的N过饱和溶液下高速率高质量生长，相对于传统的低N浓度生长溶液底部区域GaN晶体生长，顶部区域不仅为GaN晶体生长提供了丰沛的N源而快速生长，而且还有利于避免生长溶液顶部区域GaN自发形核产生多晶的问题。
一种 gan 晶体生长装置

[实用新型]一种晶体生长炉加热装置-CN202222706083.9有效
发明人：曹国峰;李勇;李思华 -专利权人：宁夏晶创智能装备有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长装置技术领域，且公开了一种晶体生长炉加热装置，包括晶体生长炉和底座，所述底座设置于晶体生长炉的底部，所述晶体生长炉包括炉室、进料口、电子观测口、出气口、副炉管、阀门、炉体、加热器和传动装置该晶体生长炉加热装置，通过在炉体的周围设置有不同的加热装置使得能精准对炉体加热的温度进行把控，底部采用电阻加热块进行热传导，保证加热的稳定性，炉体上方采用电磁加热，减少热量的衰减，同时能对炉体内的晶体生长进行阶梯加热，提高晶体生长效率底部设置的传动装置，将炉体在炉室内进行旋转，使得炉体受热均衡，保证晶体生长稳定。
一种晶体生长加热装置

[发明专利]一种晶体生长装置和一种Er;Yb双掺LuAG晶体及其制备方法-CN201810797964.1在审
发明人：王彪;权纪亮;朱允中;马德才;杨名鸣;龙思卫;杨鑫 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体生长装置和一种Er,Yb双掺LuAG晶体及其制备方法，涉及光电子材料技术领域。本发明提供的晶体生长装置包括下保温系、上保温系统和提拉控制系统，本发明提供的晶体生长装置适合高温晶体的生长，可以有效避免高温晶体生长的温场稳定性差和晶体生长过程中容易产生开裂的问题。使用本发明的装置进行晶体生长，整个生长过程可实现全自动化控制；使用该装置制备的Er,Yb双掺LuAG晶体热导率高，光学性能良好，适用于高功率激光器的工作物质。
晶体生长装置双掺制备高功率激光器高温晶体生长晶体生长过程全自动化控制光电子材料保温系统高温晶体工作物质光学性能晶体生长控制系统生长过程装置制备热导率提拉温场保温生长

[发明专利]全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法-CN202011157556.3在审
发明人：姜军;陈少璠;赵文;庹梦寒;袁绶章;蔡春江;赵增林;刘永传;唐清云;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：一种全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法，包括晶体生长炉炉体、背景加热单元、不锈钢炉、生长坩埚、多段全向加热装置、支撑装置及温度控制器；晶体生长炉设置有夹层，夹层中沿竖直方向装有多个背景加热单元；在不锈钢炉的内腔放置供晶体生长的生长坩埚，该生长坩埚放置于支撑装置上并能够随支撑装置一起沿竖直方向运动；在不锈钢炉内腔壁位于晶体结晶位置处设置有呈水平环状的多段全向加热装置，多段全向加热装置实现碲锌镉晶体生长过程中固液界面全向温度均匀的精确控制，使得晶体生长单晶率得到提升。本发明采用分段全向加热装置，能够提供均匀的全向温场，提高了晶体生长过程中的温度稳定性，为制备大单晶提供了技术保障。
全向加热控制碲锌镉晶体生长方法

[实用新型]一种晶体生长装置-CN201922114666.0有效
发明人：赵有文;段满龙;卢伟;杨俊;刘京明 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶体生长装置，涉及晶体制备技术领域；包括晶体生长炉；其特征在于，还包括底座以及角度调整装置；所述晶体生长炉具有转轴，所述晶体生长炉通过所述转轴安装在所述底座上，与所述底座可活动连接；所述角度调整装置的驱动端连接所述晶体生长炉的所述转轴；所述角度调整装置驱动所述转轴转动以调整所述晶体生长炉的倾斜角度。本实用新型的晶体生长装置结合相应的晶体制备工艺，除了满足晶体生长的需求，同时还能满足晶体退火的需求以及脱埚前的准备，保证了工序的连贯性，减少了部分人工作业；并且能够减少脱埚过程中对坩埚的损伤，使得长晶过程中出现栾晶及花晶的比例明显降低，进一步提高了晶体的质量。
一种晶体生长装置

[发明专利]具有紧密生长习性的新黄瓜植物-CN200880124346.5有效
发明人： J·克莱宁;G·勒林;B·赛格斯;M·范德瓦尔 -专利权人：纽海姆有限公司
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： A01H5/00 文献下载
摘要：该新的特征导致生长性质上的改善，并因此导致黄瓜培养的简化和改良。还涵盖用于向其它黄瓜植物中引入新特征的本发明的种子和方法。描述了本发明植物的自花授粉和杂交授粉，以及双单倍体从这些植物中的产生。
具有紧密生长习性黄瓜植物

[实用新型]一种晶体生长炉冷却装置-CN202222627946.3有效
发明人：曹国峰;李勇;李思华 -专利权人：宁夏晶创智能装备有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长技术领域，且公开了一种晶体生长炉冷却装置，包括生长炉体和炉体盖板，炉体盖板的边缘螺纹连接有螺纹螺栓，生长炉体内部的底端表面焊接有转动装置，转动装置的顶端表面连接有晶体生长反应釜，生长炉体的后端螺纹连接有冷却机构，冷却机构的正面焊接有连接机构，生长炉体的后端安装有推动装置，生长炉体螺纹连接于炉体盖板的底端表面。该晶体生长炉冷却装置，注射装置将冷却液向冷凝管内部注射，让冷却液可以在冷凝管内部进行流动，同时转动装置带动晶体生长反应釜旋转，让冷凝管对晶体生长反应釜均匀快速降温，使得人们取拿晶体生长反应釜时，避免工作人员的皮肤被烫伤，可以花费少量时间等候，可以增加晶体产量。
一种晶体生长冷却装置

[发明专利]一种焰熔法数控晶体生长炉-CN201711211207.3在审
发明人：毕孝国;周文平;唐坚;刘旭东;孙旭东 -专利权人：沈阳工程学院
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： C30B11/10 文献下载
摘要：本发明属于新材料领域，为一种焰熔法数控晶体生长炉，包括晶体生长系统，包括晶体生长炉、穿入晶体生长炉内，用于作为晶体生长的载体的晶体生长基座杆，通过电机带动传动丝杠传递至晶体晶体生长基座杆做上下运动的升降速度控制机构；原料供应系统，包括锥形原料仓，在所述原料仓内设置筛网，所述原料仓的进料口安装有筛网振动机构；燃料供应系统，通过管线连接至生长室；数字控制系统，向升降速度控制机构、筛网振动振幅控制机构、筛网振动频率控制机构以及进气系统发出控制信号本发明能够生长出微观结构完整的高品质的高温下特别是熔体状态下具有分解倾向的高温氧化物单晶体，如钛酸锶、金红石等单晶体。
一种焰熔法数控晶体生长

[实用新型]一种无水环境条件下晶体生长装置-CN202020887905.6有效
发明人：吴玲;谢实雨;万芳 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种无水环境条件下晶体生长装置，包括干燥器，干燥器的顶部开口，开口处设有封盖，干燥器的内壁上设有环形支撑凸缘，环形支撑凸缘上搁置透气分隔机构，透气分隔机构将干燥器的内腔分隔为晶体生长室和干燥室，晶体生长室内放置晶体生长玻璃瓶，晶体生长玻璃瓶通过透气分隔机构支撑，干燥室内填充干燥剂，干燥剂为五氧化二磷；透气分隔机构包括带通孔的隔板或隔网，隔板或隔网上固定安装多个用于固定晶体生长玻璃瓶底部的支撑套，支撑套的顶部开口，晶体生长玻璃瓶的底部插入到支撑套内，保证了晶体生长玻璃瓶内晶体在一致的干燥性环境下生长，提高了晶体培养效率和质量。
一种无水环境条件下晶体生长装置

[发明专利]多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置-CN200710049049.6无效
发明人：朱世富;赵北君;何知宇;陈观雄 -专利权人：四川大学
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种多元化合物半导体单晶的制备方法，工艺步骤为：①清洁坩埚，②装料并除气封结，③晶体生长，④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉，它可以灵活根据多元化合物的结晶习性，实现对结晶温度梯度区的温场调节，获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布，维持固－液界面的稳定，实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置，采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
多元化合物半导体制备方法生长装置

[发明专利]一种晶体生长连续加料方法及装置-CN201910356236.1在审
发明人：王东周;周飞;孙德辉;王孚雷;桑元华;刘齐鲁;刘宏 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长连续加料装置及方法，其在利用晶体生长装置从晶体生长溶液中生长晶体的同时，利用加料装置将预制的细料棒伸入所述晶体生长溶液，对加料量进行监控，并由所述控制系统来控制加料速度。所述细料棒根据所述晶体进行配料并经混料、压块、烧结和高温烧结步骤制备而成。
晶体生长溶液晶体生长细料高温烧结步骤晶体生长装置连续加料装置加料装置控制系统连续加料加料烧结加料量晶体的预制的混料伸入压块制备生长监控