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[发明专利]一种晶体生长用智能控制系统-CN202211358023.0在审
发明人：罗毅;龚瑞 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长用智能控制系统，涉及晶体生长技术领域，解决了现有技术无法对晶体生长过程进行精确控制，影响晶体生长质量和效率的技术问题；本发明中的中枢控制模块与数据采集模块和生长控制模块相连接；数据采集模块与若干类型数据传感器相连接，生长控制模块与晶体生长设备相连接；本发明获取晶体生长整个过程的视频数据，基于视频数据构建或者及时更新晶体生长模型；将晶体生长模型与构建的标准晶体模型进行比较，根据二者差异确定控制参数，通过生长控制模块对晶体生长设备进行控制；本发明通过晶体生长模型来实现监控，降低了成本和劳动强度；通过与标准晶体模型进行比较来确定晶体生长设备的调整幅度，实现高精度的自动化调节。
一种晶体生长智能控制系统

[发明专利]一种晶体生长设备控制方法及系统-CN202310197639.2在审
发明人：尚海波;周小勇;李强;臧洪波 -专利权人：扬州合晶科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请涉及晶体制备设备技术领域，提供一种晶体生长设备控制方法及系统。通过根据晶体类型、晶体生长量、粉体配比，基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配获得动态热场变化序列，进一步结合晶体类型、晶体生长量、粉体配比进行生长参数聚类，基于聚类结果划分晶体生长监控周期，根据晶体生长监控周期划分结果、动态热场变化序列结合各周期晶体生长实时状态，构建长晶参数优化空间，基于优化参数组合控制晶体生长设备。解决现有技术中存在对于晶体生长制备设备的控制精度不足，导致基于晶体生长设备生产所获晶体与实际制备需求不适配的技术问题，实现提高对于晶体生长制备设备的控制精度，提高生产所获晶体与实际制备需求的适配度的技术效果
一种晶体生长设备控制方法系统

[实用新型]一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚-CN202121031883.4有效
发明人：田野;顾跃;丁雨憧;李和新;刘军 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚，包括坩埚本体，在坩埚本体上设有晶体生长槽和籽晶槽，籽晶槽与晶体生长槽连通，坩埚本体呈长方体结构，晶体生长槽和籽晶槽与所述坩埚本体外壁的距离不小于10mm，晶体生长槽整体由光滑的弧面构成，籽晶槽为长方体槽；通过设计晶体生长坩埚坩埚壁的厚度，解决生长过程中坩埚容易出现漏点和裂纹导致晶体生长失败的风险，还能使坩埚可以进行反复利用；并且通过坩埚晶体生长槽的设计解决坩埚晶体生长槽的折角处曲率半径小，导致此处晶体界面曲折率较大，容易引起晶体缺陷，如气泡、开裂、云层等问题，使用本实用新型晶体生长坩埚制备出来的晶体更为优质。
一种用于水平定向结晶晶体生长坩埚

[发明专利]一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法-CN202210929755.4在审
发明人：李伦;周长城 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司;河南铭镓半导体有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及坩埚支撑技术领域，且公开了一种VGF法彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法，包括晶体生长坩埚主体、保温机构、加热机构和支撑机构，所述保温机构位于晶体生长坩埚主体的外部，所述加热机构位于保温机构的内部，所述支撑机构位于晶体生长坩埚主体的底端，所述支撑机构包括石墨杆、石墨支撑板和支撑柱。该VGF法彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法，安装了支撑机构，通过石墨杆支撑晶体生长坩埚主体，使晶体生长坩埚主体稳固站立，避免晶体生长坩埚主体外道倾斜，多个石墨杆可以更好的支撑晶体生长坩埚，石墨支撑板用于支撑石墨杆，石墨支撑板固定支撑石墨杆的位置，避免石墨杆位移而影响对晶体生长坩埚主体的支撑。
一种 vgf 彩色宝石晶体生长坩埚支撑平台固定方法

[实用新型]晶体生长炉-CN202123418391.3有效
发明人：廖寄乔;李丙菊;彭浩波;李姚平;李军 -专利权人：湖南金博碳基材料研究院有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶体生长炉，包括：炉体及多个晶体生长单元；晶体生长单元包括托盘、坩埚、加热装置及保温装置，托盘设于炉体内，坩埚设置在托盘上，加热装置围绕托盘设置，保温装置围绕加热装置的外侧设置；多个晶体生长单元分别独立地设置在炉体内该晶体生长炉内的多个晶体生长单元均配备有独立的热场，同时保证了各晶体生长单元内的热场均匀，有效减小了晶体生长单元的径向温度梯度，并且能够对每个晶体生长单元的温度实现更加精确地控制，可提高产品品质。在炉体内设置多个晶体生长单元，可实现单个生长单元长晶或多个生长单元同时长晶，也可采用不同尺寸的晶体生长单元，提高了单炉产量，同时保证了生产的灵活性。
晶体生长

[发明专利]晶体生长炉的异常监测方法-CN202211545562.5有效
发明人：朱亮;傅林坚;张俊;叶钢飞;欧阳鹏根;曹建伟;阮文星 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体生长炉的异常监测方法，应用于晶体生长炉，晶体生长炉包括生长炉本体、坩埚及位于坩埚内的粉料，生长炉本体包括加热器，晶体生长炉的异常监测方法包括：测量坩埚的初始温度T1，并将坩埚放入生长炉本体内；晶体生长炉预热坩埚；停止晶体生长炉预热坩埚，测量坩埚的预热温度T2；判断温差X是否在正常温差波动范围X1至X2内，其中，X=T2‑T1；当X1≤X≤X2时，判定晶体生长炉正常；当XX1或XX2时，判定晶体生长炉异常这样，就能够在长晶前监测到晶体生长炉是否存在异常，而不需要等长晶结束后通过晶体的质量再来判断晶体生长炉是否异常，避免影响晶体的生长质量，降低生产成本。
晶体生长异常监测方法

[实用新型]一种晶体生长设备-CN202120746990.9有效
发明人：张春林 -专利权人：天津物科光电技术有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体公开了一种晶体生长设备，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉上端开口设有炉盖，还包括晶体炉架，所述晶体炉架包括底座和升降组件；所述底座一端设有承载晶体生长炉的承载平台，所述升降组件包括水平布置的横梁和固定于底座对应承载平台两侧的升降柱，晶体生长设备的晶体生长炉能够安装在底座的承载平台上，承载能够在驱动机构的驱动下带动晶体生长炉转动；升降组件的横梁能够精确控制高度，从而调整籽晶杆的提拉高度；结合承载平台的旋转作用和升降组件的高度调整作用；可以使籽晶杆与晶体生长炉的炉体中心较为精准的对准同时又保证炉体的稳定性；有助于提高晶体生长质量。
一种晶体生长设备

[发明专利]GdAl₃(BO₃)₄晶体生长助熔剂及GdAl₃(BO₃)₄晶体生长方法-CN201210047054.4有效
发明人：岳银超;胡章贵;毛倩 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种GdAl3(BO3)4晶体生长助溶剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法，本发明的GdAl3(BO3)4晶体生长助溶剂所述助熔剂为Al2O3-硼化物-锂化物-金属氟化物混合体系。通过本发明的GdAl3(BO3)4晶体生长助溶剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法可有效降低晶体生长温度，提高晶体生长过程中的晶体稳定性，并可提高晶体生长质量，获得大尺寸晶体。
gdal sub bo 晶体生长熔剂方法

[发明专利]一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法-CN202210151701.X有效
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯;李鹏飞 -专利权人：闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长气泡消除装置及消除晶体生长气泡的方法，属于晶体生长技术领域。一种晶体生长气泡消除装置，包括晶体生长槽、载晶架、电机、连接轴和旋转式扇叶；所述载晶架在晶体生长槽内；所述电机在晶体生长槽外；所述载晶架具有空心轴；所述连接轴穿过空心轴；所述连接轴和旋转式扇叶铰接；所述电机通过连接轴驱动旋转式扇叶旋转本发明在不影响溶液稳定性的情况下达到消除载晶架表面气泡的目的，节省晶体生长前的准备时间，有效提高晶体生长的成功率。
一种晶体生长气泡消除装置方法

[发明专利]碳化硅单晶锭的制造方法-CN201811514867.3有效
发明人：藤川阳平 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：制造方法包括：升温工序，使在内部配置有碳化硅原料和碳化硅籽晶的晶体生长炉内的温度升温至晶体生长温度；单晶生长工序，维持晶体生长温度，使碳化硅单晶在所述碳化硅籽晶上生长；以及降温工序，使晶体生长炉内的温度从晶体生长温度降低而使碳化硅单晶的生长停止，在单晶生长工序与降温工序之间还包括降温准备工序，在将晶体生长炉内的温度维持为晶体生长温度的同时使晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及单晶生长工序的氮气浓度增加，使降温工序的晶体生长炉内的氮气浓度比升温工序以及所述单晶生长工序的氮气浓度高
碳化硅单晶锭制造方法

[发明专利]一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备-CN202110636709.0有效
发明人：吴熙 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及晶体生长技术领域，提供了一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备。本发明利用GaN晶体粉末的分解为晶体生长提供镓源和氮源，无需外接氮源，并且本发明采用带有通孔的隔板将GaN晶体粉末和GaN籽晶分离开，可以避免GaN晶体粉末移动到GaN籽晶附近，GaN籽晶周围助熔剂的成分和比例不会发生改变，从而保证GaN晶体生长的可持续性和稳定性。本发明将重结晶技术引入到助熔剂法中，形成封闭的GaN晶体生长系统，提高了GaN晶体生长的稳定性，增强晶体生长的可延续性，延长晶体生长的时间，所得GaN晶体表面光滑整洁，质量高。
一种重结晶生长 gan 晶体方法以及晶体生长设备

[发明专利]晶体生长装置及方法-CN201911282500.8在审
发明人：李超;朱刘;狄聚青;李镇宏 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提出一种晶体生长装置，该晶体生长装置包括外坩埚、PBN坩埚、籽晶、PBN塞子，PBN坩埚置于外坩埚内，PBN坩埚包括自上而下的晶体生长部、放肩部、籽晶井，籽晶井下端封闭，晶体生长部、放肩部、籽晶井共同形成一个收容空间，在晶体生长过程中，籽晶位于籽晶井和放肩部所对应的收容空间内，而多晶料和覆盖剂均位于籽晶上方所对应的收容空间内，PBN塞子位于籽晶井内，且PBN塞子下端抵接籽晶井内底面，PBN塞子上端抵接籽晶下底面。本发明同时提出一种晶体生长方法。本晶体生长装置及方法可提高晶体生长过程中籽晶熔接质量，确保化学计量比，控制晶体生长过程中的杂质水平，最终以低成本实现高质量晶体生长。
晶体生长装置方法

[实用新型]晶体生长炉-CN200920076795.9无效
发明人：陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-06-22 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体生长炉，属于晶体生长装置领域。本实用新型采用进样室和晶体生长室，进样室和晶体生长室连接真空系统和进气系统。本实用新型的晶体生长装置，能够克服现有技术的固有缺陷，保证了晶体生长室中的保温材料不和空气接触，最大程度减少了保温材料和生长室对氮及污染物的吸附。
晶体生长

[发明专利]一种氮化铝晶体生长系统和方法-CN201811253103.3在审
发明人：田绪勇;武红磊;覃佐燕;郑瑞生 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝晶体生长系统和方法，氮化铝晶体生长系统包括：晶体生长炉和与其连接的电气控制柜；电气控制柜用于获取生长控制指令，将该指令发送给晶体生长炉；晶体生长炉用于接收生长控制指令，根据生长控制指令中的指示管理自身基于氮化铝材料生长氮化铝晶体的生长环境，基于该系统，可以通过对电气控制柜的控制，实现对晶体生长炉的控制，有效保证了工人的安全，还大大降低了氮化铝晶体生长过程中需要的人工操作，提升了氮化铝晶体生长的智能化和自动化，基于该智能化和自动化，氮化铝晶体的质量和生产效率得到了保证，并使得氮化铝晶体的生产过程可重复。
氮化铝晶体晶体生长炉电气控制柜生长控制生长系统指令智能化自动化氮化铝材料人工操作生产过程生产效率生长过程生长环境可重复生长保证安全管理

[发明专利]一种天山雪莲的种植方法-CN201710955201.0在审
发明人：莫程 -专利权人：莫程
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： A01G22/00 文献下载
摘要：本种植方法简单易行，紧密贴切天山雪莲的生长习性，针对天山雪莲的生长习性，环境要求，对取种、播种、育苗各个步骤进行了合理的分析，能够适应天山雪莲在不同生长期对环境的需求，在天山雪莲生长的初期、中期、后期进行不同的护理和培养，针对施肥，浇水，除虫，防病等问题提供了解决的途径，以配合天山雪莲的生长需求。且本方法成本低，绿色环保，采用的是农家肥，不用化肥，对环境污染较少，能让天山雪莲正常健康生长，易于批量种植，提高产量和质量。
天山雪莲生长种植习性播种拔草环境要求绿色环保杀菌消毒问题提供追肥农家肥营养土除虫驱虫取种幼苗病害移栽制作防病浇水肥料施肥育苗农作物护理化肥预防配合分析健康