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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]核壳量子点及其制备方法-CN202011636048.3在审
发明人：葛剑超 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种核壳量子点及其制备方法。该核壳量子点的制备方法包括如下步骤：提供硅量子棒；在所述硅量子棒表面生长无镉半导体壳层，得到核壳量子点。本申请通过在硅量子棒表面生长无镉半导体壳层，这样得到的核壳量子点包括硅量子棒和包覆在硅量子棒表面的无镉半导体壳层，该制备方法得到无镉材料的核壳量子点消除了后续应用方面的重金属污染危害，同时提高了核壳量子点整体的生物亲和度和利用度，扩大了应用领域；而且无镉半导体壳层的包覆，不仅提高了硅量子点的耐氧化性，而且提高了其稳定性，因此具有很好的发光性能，可以促进其在后续发光器件中的应用。
量子及其制备方法

[发明专利]无镉核壳量子点及其制备方法-CN201610860795.2在审
发明人：程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种无镉核壳量子点及其制备方法。所述无镉核壳量子点包括量子点核，在所述量子点核表面连续生长形成的渐变过渡层，在所述渐变过渡层表面形成的外壳层，其中，所述渐变过渡层包含所述量子点核中的核阳离子、核阴离子和所述外壳层中的壳阳离子、壳阴离子；且所述无镉核壳量子点中，所述核阳离子、核阴离子的浓度从内往外依次减小，所述壳阳离子、壳阴离子的浓度从内往外依次增加。
无镉核壳量子及其制备方法

[发明专利]一种无镉核壳结构量子点及其制备方法、水溶性量子点以及荧光标记试剂-CN202110241748.0有效
发明人：单玉亮;乔登清;曹佳佳;杨涵妮;曹越峰;赵叔阳;张思源 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请提供一种无镉核壳结构量子点及其制备方法、水溶性量子点以及荧光标记试剂，无镉核壳结构量子点包括核体以及包覆于所述核体外的过渡壳层，所述过渡壳层靠近所述核体一侧不含铜元素，远离所述核体一侧包含铜元素和硒元素，从而更容易获得量子效率高、发射波长可调范围宽的无镉核壳结构量子点。
一种无镉核壳结构量子及其制备方法水溶性以及荧光标记试剂

[发明专利]无镉量子点及其制备方法-CN201910635027.0在审
发明人：刘雅俊;刘玉婧;林佳丽;韩璐 -专利权人：天津卓达科技发展有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种无镉量子点及其制备方法，该无镉量子点包括核层和壳层，所述核层的材料的组成元素包括磷元素和铟元素，所述壳层包括包覆在所述核层上的内壳层及包覆在所述内壳层上的外壳层，所述内壳层的材料为ZnSeS，所述外壳层的材料为ZnS；所述无镉量子点的粒径大小为6nm～12nm，所述核层的半径为1.2nm～4.5nm，所述无镉量子点的荧光发射峰的波长范围在510nm～650nm，半峰宽为35nm～40nm，本发明的无镉量子点的半峰宽较窄且发光效率较高。
量子点无镉核层内壳层发光效率半峰宽外壳层包覆壳层荧光发射峰组成元素磷元素铟元素波长粒径制备

[发明专利]一种无镉量子点及其制备方法、量子点光电器件-CN201910486192.4有效
发明人：高静;袁秀玲;乔培胜 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种无镉量子点及其制备方法、量子点光电器件。该无镉量子点包括纳米晶核，纳米晶核包括第一InZnP核以及包覆在第一InZnP核外的第二InZnP核，第一InZnP核与第二InZnP核的组分的元素比例相同或不同。本发明的制得的无镉量子点中，纳米晶核的均一性好，由其制备的核壳量子点半峰宽窄、量子效率高、稳定性好。
一种量子及其制备方法光电器件

[发明专利]无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点-聚合物复合物和显示器件-CN201910026870.9在审
发明人：元裕镐;元那渊;黄成宇;张银珠;权秀暻;金龙郁;闵智玄;G.朴;朴相铉;章效淑;田信爱;韩用锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
半导体纳米晶体量子点无镉聚合物复合物显示器件制造

[发明专利]一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法-CN201410687093.X有效
发明人：张忠平;蒋阳;蓝新正;常亚婧;姚旭东;王辉;李国鹏 -专利权人：巢湖学院
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法，其中碲化镉量子点的合成方法是在室温下将镉源、碲源、配体和有机介质加入反应釜中，在氮气或氩气保护下升温至220℃保温反应5-20min，随后升温至230-245℃保温反应5-30min，得到碲化镉量子点。本发明Ⅱ型碲化镉核壳量子点的化学结构式为CdTe/CdSe或CdTe/CdS，碲化镉量子点包壳硒化镉或硫化镉的过程采用无膦原位加热法进行。本发明合成的碲化镉量子点和Ⅱ型碲化镉核壳量子点发射在530-800nm，在550-650nm波段荧光量子产率≥40％，最高可达75％。
一种碲化镉量子合成方法以及型碲化镉核壳

[发明专利]一种量子点薄膜及量子点发光二极管-CN201810404165.3有效
发明人：杨一行;聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点薄膜及量子点发光二极管，所述量子点薄膜包括无镉量子点和分散在所述无镉量子点之间的间隔量子点；所述无镉量子点为核壳结构的无镉量子点，组成所述间隔量子点材料的金属元素与组成所述无镉量子点的壳层材料的金属元素位于同一族；组成所述间隔量子点材料的非金属元素与组成所述无镉量子点的壳层材料的非金属元素位于同一族。
一种量子薄膜发光二极管

[发明专利]一种量子点薄膜及量子点发光二极管-CN201810650563.3在审
发明人：杨一行;钱磊 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C09K11/70 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点薄膜及量子点发光二极管，所述量子点薄膜包括无镉量子点和分散在所述无镉量子点之间的间隔纳米线；所述无镉量子点为核壳结构的无镉量子点，组成所述间隔纳米线材料的金属元素与组成所述无镉量子点的壳层材料的金属元素位于同一族；组成所述间隔纳米线材料的非金属元素与组成所述无镉量子点的壳层材料的非金属元素位于同一族。本发明采用间隔纳米线分散在所述无镉量子点之间能够有效增加无镉量子点之间的距离，提升量子点薄膜的发光效率；而且使得所形成的量子点薄膜平整、致密性好，提升相应量子点发光二极管的性能。
量子点无镉纳米线薄膜发光二极管非金属元素金属元素壳层材料发光效率核壳结构致密性好平整

[发明专利]一种锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点的制备方法-CN202210563273.1有效
发明人：王凯;默壵;濮超丹 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米半导体材料技术领域，主要是一种锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点的制备方法，首先将锰前驱体溶液加热后与硒化镉量子点前驱体溶液混合，制备得到锰扩散掺杂硒化镉量子点；然后将锰扩散掺杂硒化镉量子点与非极性溶剂混合加热后，注入硫前驱体溶液，反应得到锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点溶液，清洗、干燥，得到锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点。本发明操作较为简单，可控性较高，具有较好的复现性，且核壳尺寸与锰掺杂浓度均可调控，利于锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点的规模化生产。
一种扩散掺杂硒化镉硫化镉核壳结构量子制备方法

[发明专利]一种量子点薄膜及量子点发光二极管-CN201810651513.7有效
发明人：杨一行;钱磊 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点薄膜及量子点发光二极管，所述量子点薄膜包括无镉量子点和分散在所述无镉量子点之间的间隔量子点，还包括二元硫醇，所述二元硫醇中的一个巯基连接所述无镉量子点和另一个巯基连接所述间隔量子点；所述无镉量子点为核壳结构的无镉量子点，组成所述间隔量子点材料的金属元素与组成所述无镉量子点的壳层材料的金属元素位于同一族；组成所述间隔量子点材料的非金属元素与组成所述无镉量子点的壳层材料的非金属元素位于同一族本发明能够在成膜时有效避免无镉量子点和间隔量子点的分相现象，达到无镉量子点和间隔量子点的均匀混合从而有效增加无镉量子点之间的距离，提升量子点薄膜的发光效率。
一种量子薄膜发光二极管

[发明专利]一种硒化镉-硫化镉-硫化锌核多壳结构量子点的制备方法及回音壁式光学微腔器件-CN202010758451.7在审
发明人：陈锐;王雄彬;余佳豪 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点的制备方法，所述方法通过胶体溶液法制备得到硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点，制备方法简单，且能够制得温度敏感性低的硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点；本发明还通过将硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点涂覆在光纤表面，形成回音壁模式的光学微腔，来产生激光，以简单的方法制备得到温度敏感性较低的微纳激光器，具有良好的应用前景。
一种硒化镉硫化硫化锌核多壳结构量子制备方法回音壁光学器件

[发明专利]高荧光效率核壳结构无镉量子点及其制备方法和用途-CN201710557647.8有效
发明人：邓正涛;沈炜;向爱双 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种一种高荧光效率核壳结构无镉量子点及其制备方法和用途，制备时，配置含In的前驱体溶液，在该前驱体液中引入ZnX2，X为Cl、Br、I中的一种或几种的混合物，将该前驱液加热到，并实现该体系的惰性环境；将含P的前驱液注入上述含In的前驱液中，反应生成InP的量子点核；然后在反应中，加入ZnS前驱液，直接在InP量子点核外合成第一层ZnS的壳；接下来，再继续合成第二层、第三层ZnS壳或更多层ZnS壳，形成薄核厚壳的结构。本发明所得到的薄核厚壳结构的InP/ZnS无镉量子点材料，受高能UV光激发后发蓝光，其发光效率可达76%，并且对水、氧等具有稳定性；可应用于发光二极管，通电发出蓝光。
荧光效率结构量子及其制备方法用途

[发明专利]一种基于金银核壳磁性石墨烯吸附镉离子免疫传感器的制备方法及应用-CN201510586838.8有效
发明人：李月云;李法灜;董云会;王平;刘青 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本发明属于纳米功能材料、免疫分析以及生物传感技术领域，提供了一种基于金银核壳磁性石墨烯吸附镉离子免疫传感器的制备方法及应用。采用金银核壳磁性石墨烯吸附镉离子作为信号放大材料，制备的无标记型电化学免疫传感器具有特异性强，灵敏度高和低检出限等优点，对肝癌的检测具有重要的科学意义和应用价值。
一种基于金银磁性石墨吸附离子免疫传感器制备方法应用

[发明专利]一种核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体及其制备方法-CN201410238176.0有效
发明人：谭付瑞;张伟风;曲胜春;王占国 -专利权人：河南大学
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明属于一种核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体，所述核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体是以纳米四角体硒化镉为核，硫化铅包覆生长于纳米四角体硒化镉表面;硒化镉与硫化铅的质量比为1﹕3~32﹕1。通过低温热注入前驱体溶液在已成纳米四角体表面外延生长第二相材料从而获得核壳结构纳米硒化镉/硫化铅纳米四角体。本发明可以在温和条件下，通过了过程可控的二次热注入方式，在已有纳米四角体表面高质量地外延生长第二相壳层材料，制得的核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体具有高的电荷传输能力。
一种结构硒化镉硫化铅纳米四角及其制备方法

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