“乔培胜”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]含镉量子点及其制备方法及其应用-CN202110489233.2有效
发明人： 乔培胜;周鑫;汪均;周健海 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本公开提供了一种含镉量子点及其制备方法及其应用。含镉量子点包括第一半导体材料的核，以及设置在核上的第二半导体材料的壳，其中含镉量子点包括镉、锌、硒和硫，核包括CdSe，壳包括第一壳和设置在第一壳上的第二壳，第一壳包括CdZnSe，第二壳包括ZnS，第一壳中的各个元素分布均匀，含镉量子点还包括金属元素，金属元素包括IA元素、IIA元素中的一种或多种，还包括IIIA元素、IVA元素中的一种或多种；含镉量子点的紫外可见吸收光谱具有第一吸收峰，第一吸收峰的吸收度为Iab，含镉量子点的紫外可见吸收光谱450nm处的吸收度为I450，I450/Iab大于等于10，含镉量子点的荧光发射峰的半峰全宽小于等于20nm。具有该结构的量子点具有较低的含镉量的同时，表现出改善的发光性质。
量子及其制备方法应用

[发明专利]量子点的制备方法、量子点及含其的组合物、发光器件-CN202010714482.2有效
发明人： 乔培胜;余文华;袁秀玲;谢阳腊;汪均 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种量子点的制备方法、量子点及组合物、发光器件，该量子点包括III‑V族核，和直接设置在III‑V族核的至少一部分的表面上的II‑III‑V‑VI‑VI族壳层，II‑III‑V‑VI‑VI族壳层中包含硒元素和硫元素。通过在III‑V族量子点核外包覆II‑III‑V‑VI‑VI族壳层，解决了现有技术中III‑V族量子点荧光发射半峰宽大、荧光效率低、稳定性差的问题，制备得到的核壳量子点的荧光发射半峰宽窄、荧光效率高，且在量子点膜中具有良好的稳定性。
量子制备方法组合发光器件

[发明专利]无镉量子点及其制备方法、无镉量子点组合物-CN201910026226.1有效
发明人：高静;乔培胜;汪均 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了无镉量子点及其制备方法、无镉量子点组合物。本发明的无镉量子点包括量子点核，该量子点核包括以化学键结合的III族元素、V族元素和VI族元素，其中III族元素为阳离子，V族元素以及VI族元素为阴离子。本发明在现有的III‑V族量子点核中引入VI族元素阴离子，有利于缩小量子点核的半峰宽，提高量子效率。
量子及其制备方法组合

[发明专利]核壳结构量子点、其制备方法以及应用-CN201911278118.X有效
发明人：高静;谢阳腊;乔培胜;刘俊娜;苏叶华 -专利权人：浙江纳晶科技有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开了核壳结构量子点、其制备方法以及应用。其中，核壳结构量子点包括第一核壳量子点，其包括量子点核以及包覆在量子点核外的至少两内壳层，第一核壳量子点各层材料的禁带宽度沿径向由内向外依次增大；以及直接包覆在第一核壳量子点外的第一外壳层，第一外壳层材料的禁带宽度小于第一核壳量子点最外层材料的禁带宽度。第一核壳量子点的禁带宽度沿径向由内向外依次增大，也即壳材料的禁带宽度大于核材料的禁带宽度，电子和空穴被禁锢在核中，壳材料物理地把光学活性中心核与周围介质分开，可以提高量子点的抗水、氧稳定性；此外，在第一核壳量子点外生长了禁带宽度小的第一外壳层，可以有效抵抗光漂白，从而提升量子效率。
结构量子制备方法以及应用

[发明专利]一种无镉量子点及其制备方法、量子点光电器件-CN201910486192.4有效
发明人：高静;袁秀玲;乔培胜 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种无镉量子点及其制备方法、量子点光电器件。该无镉量子点包括纳米晶核，纳米晶核包括第一InZnP核以及包覆在第一InZnP核外的第二InZnP核，第一InZnP核与第二InZnP核的组分的元素比例相同或不同。本发明的制得的无镉量子点中，纳米晶核的均一性好，由其制备的核壳量子点半峰宽窄、量子效率高、稳定性好。
一种量子及其制备方法光电器件

[发明专利]量子点核和核壳量子点的制备方法及量子点材料、组合物-CN202010013637.X有效
发明人： 乔培胜;吴洪剑;余文华;苏叶华 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请提供了一种量子点核的制备方法，包括以下步骤：制备第一复合物：将第一阳离子前体、第一配体、第二配体在第一温度下反应时间t1后得到第一复合物；制备第一溶液：将第二阳离子前体、第一阴离子前体、第二阴离子前体和第一溶剂混合并在第二温度下反应得到含有纳米团簇的第一溶液；制备第二溶液：将第三阳离子前体、第四阳离子前体、第三阴离子前体和第二溶剂混合并在第三温度下反应得到含有初始量子点第二溶液；制备第一混合溶液：将第一复合物、第一溶液、第二溶液混合，反应后得到含有量子点核的第一混合溶液；其中，第一配体为羧酸配体，第二配体为含膦配体。制备得到的量子点核具有优异的表面性能，也有利于后续壳层的包覆。
量子制备方法材料组合

[发明专利]无镉量子点及其制备方法-CN201810903489.1有效
发明人：高静;汪均;谢阳腊;乔培胜;余文华;李光旭;苏叶华 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种无镉量子点及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，将含III族元素前体、V族元素前体和第一配体的第一原料混合反应，得到III‑V族半导体纳米团簇；S2，将含II族元素前体、VI族元素前体和第二配体的第二原料混合反应，得到II‑VI族半导体纳米团簇；S3，将III‑V族半导体纳米团簇与II‑VI族半导体纳米团簇混合反应，得到III‑V‑II‑VI族量子点。上述方法通过将两种不稳定态的团簇的反应形成形貌均一的无镉量子点，通过实验证明该无镉量子点不仅能够具有较窄的半峰宽，还能够具有较高的发光效率。
量子及其制备方法

[发明专利]核壳量子点、其制备方法、器件及组合物-CN201810793214.7有效
发明人：高静;余文华;汪均;谢阳腊;乔培胜;苏叶华 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了核壳量子点、其制备方法、器件及组合物。其中核壳量子点包括量子点核以及包覆在量子点核上的壳层，壳层具有至少一层，壳层的最外层包括氧元素以及X元素，X元素选自以下元素中的一种或几种：Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Al、Ga、Si，壳层的最外层还包括第一元素和/或第二元素，第一元素包括除X元素之外的至少一II族元素，第二元素包括除氧元素之外的至少一VI族元素，氧元素与X元素和/或第一元素以化学键结合。
量子制备方法器件组合

[发明专利]一种蓝光无镉量子点及其制备方法、量子点光电器件-CN201910344519.4有效
发明人： 乔培胜;谢阳腊;高静 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光无镉量子点及其制备方法、量子点发光器件。该无镉量子点制备方法包括以下步骤：S1将铟前体、第一配体以及溶剂混合，以制得铟‑第一配体溶液，其中，第一配体为碳个数10～18的长链羧酸配体，第一配体的羧酸根与铟前体的铟离子的物质的量之比为(1:2)～(5:2)；S2，向铟‑第一配体溶液中加入短链锌盐以及第二配体，以形成阳离子‑混合配体溶液，其中，至少部分短链锌盐与第二配体以配位键键合；S3，向阳离子‑混合配体溶液中加入磷前体，反应后得到含有磷化铟锌量子点的溶液。本发明通过在量子点成核过程中引入短链锌盐，制得尺寸小、缺陷少的InZnP量子点核，Zn元素的引入也优化了量子点的能带结构，从而获得了发光范围在470～490nm的量子点。
一种蓝光无镉量子及其制备方法光电器件

[发明专利]核壳量子点、其制备方法及应用-CN201810914991.2有效
发明人：周健海;乔培胜 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳量子点、其制备方法及应用。该核壳量子点，包括量子点核以及包覆在量子点核外的第一壳层，量子点核包括以化学键结合的Ⅲ族元素和Ⅴ族元素，第一壳层包括以化学键结合的Ⅱ族元素和Ⅵ族元素，第一壳层还掺杂有三价离子,三价离子选自三价阳离子、三价阴离子中的一种或多种，三价阳离子的离子半径大于Zn2+的离子半径。本发明在包覆于量子点核外的壳层中加入三价离子，使得壳层与核层之间的价态平衡，有利于壳层的外延生长，使得壳层更容易包覆，还有利于减少晶格缺陷，提高量子点的稳定性、荧光量子产率以及降低荧光半峰宽。
量子制备方法应用

[实用新型]一种涂布装置-CN202122083886.9有效
发明人：郑斌;乔培胜 -专利权人：浙江纳晶科技有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种涂布装置，包括供料系统、涂布系统和红外探测系统。其中，供料系统包括用于混合流体原料的混合釜、加热机构和用于控制供料速度的容积泵；涂布系统包括料槽、设于料槽上的气动搅拌机构、相互之间具有狭缝的上涂布辊和下涂布辊；红外探测系统包括红外温度探头、红外液位探头、第二支撑杆。本申请提供的涂布装置可以同时达到自动液位控制、自动温度控制和自动搅拌的功能，搅拌桨横向移动，对液面的扰动小，减少涂布缺陷，保证涂布效果。
一种装置

[发明专利]量子点、其制备方法及光电器件-CN201910721317.7有效
发明人： 乔培胜;吴洪剑;高静 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点、其制备方法及光电器件。II‑III‑V‑VI量子点的制备方法包括：配制第一纳米团簇、第二纳米团簇及第三纳米团簇，第一纳米团簇为III‑V纳米团簇，第二纳米团簇为III‑II‑V纳米团簇，第三纳米团簇为III‑II‑VI纳米团簇；将第一纳米团簇与非配位溶剂混合形成第一量子点溶液；将第二纳米团簇与第一量子点溶液混合加热形成第二量子点溶液；将第三纳米团簇与第二量子点溶液混合加热形成第三量子点溶液，第三量子点溶液中的第三量子点为II‑III‑V‑VI量子点。将各纳米团簇逐一混合加入能够有效掺杂，改善能带结构，减少表面缺陷及悬键，从而使组成结构可调控及量子点尺寸均一度提高。
量子制备方法光电器件

[实用新型]一种固化装置-CN202121485275.0有效
发明人：郑斌;乔培胜 -专利权人：浙江纳晶科技有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种固化装置，包括箱体、第一支架、第二支架、传送单元、多个第一固化单元、多个第二固化单元、多个温度探头、控制器。本实用新型可以实现连续固化生产，精确分段控制膜表面在UV固化时的反应温度，双面受热和固化使得膜片的固化效果更好。
一种固化装置

[发明专利]量子点、其制备方法及其应用-CN201810450881.5有效
发明人：周健海;乔培胜 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点、其制备方法及其应用。该制备方法包括：步骤S1，提供含锌前体和含镉前体的混合前体，其中混合前体中锌镉摩尔比大于等于10；步骤S2，使第一硫前体与混合前体进行反应得到CdS/ZnS核壳量子点体系；步骤S3，对CdS/ZnS核壳量子点体系进行合金化处理，得到含CdxZn1‑xS量子点体系；以及步骤S4，向含CdxZn1‑xS量子点体系中添加羧酸镉和第二硫前体进行壳层的生长，得到CdxZn1‑xS/CdYZn1‑YS核壳量子点，其中，0X1，0Y1。本申请的上述制备方法得到的CdxZn1‑xS/CdYZn1‑YS核壳量子点在蓝光区域的半峰宽较窄、荧光效率较高。
量子制备方法及其应用

[发明专利]一种II-III-V-VI族量子点及其制备方法-CN201910345254.X有效
发明人： 乔培胜;高静;汪均;余文华 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种II‑III‑V‑VI族量子点及其制备方法。II‑III‑V‑VI族量子点的制备方法包括以下步骤：S1，提供含有III‑V族量子点核的第一溶液，或者提供含有II‑III‑V族量子点核的第二溶液；S2，向第一溶液中加入第二补加液，或者向第二溶液中加入第一补加液，反应后得到II‑III‑V‑VI族量子点核；其中，将包括第一III族元素前体、第一V族元素前体以及溶剂的第一混合液于40～100℃下反应，然后再加入第一VI族元素前体继续反应，从而制得第一补加液；将包括第一II族元素前体、第一III族元素前体、第一V族元素前体以及溶剂的第二混合液于40～100℃下反应，然后再加入第一VI族元素前体继续反应，从而制得所述第二补加液。本发明制得的II‑III‑V‑VI族量子点均一度高、晶格缺陷少，光学性能优良。
一种 ii iii vi 量子及其制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 21 条