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[发明专利]一种在硅片上引入位错的方法-CN201010202367.3无效
发明人：杨德仁;项略略;李东升;金璐 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅片上引入位错的方法，采用足以破坏硅晶格的能量束对硅片表面进行辐照，在辐照的区域引入密度可控的位错，位错的密度受能量束的能量强度控制，能量越大，引入的位错密度越大，位错的位置既可在硅片表面也可位于硅片内部本发明实现了在硅片上可控的引入位错，操作简便，与现有集成电路工艺良好兼容，对硅片无破坏性、无沾污，可控性强，重复性高，有利于大规模工业生产。
一种硅片引入方法

[发明专利]单晶硅位错腐蚀剂及检测方法-CN201310576502.4有效
发明人：王新强;邓浩;马自成 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;无锡隆基硅材料有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅位错腐蚀剂，由氢氟酸、硝酸和缓释剂组成，所述缓释剂为硼酸溶液。该单晶硅位错腐蚀剂能腐蚀出低密度位错，且无刺激性气味，环境友好。本发明单晶硅位错检测方法为将待检测的单晶硅浸入单晶硅位错腐蚀剂中进行腐蚀，方法简单，检测效果好。
单晶硅腐蚀剂检测方法

[发明专利]一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法-CN202011542807.X在审
发明人：王万华;李英涛;皮小争;崔彬;吴志强;刘斌 -专利权人：有研半导体材料有限公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，在单晶的收尾过程中，通过控制收尾的拉速和温度，使尾部形状中出现一段与等径部分形状相同的圆柱形；如果收尾完好，可以清晰的看到“胞线”，表明硅单晶尾部无位错，单晶完好；如果收尾不完好，可以明显看到“断胞”的位置；从“断胞”的位置反切1.08～1.15倍直径，获得无位错硅单晶。本发明通过改进直拉法生长重掺锑硅单晶的收尾工艺，控制尾部形状，可以准确判断出“断胞”位置，从而得到无位错硅单晶。
一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶方法

[发明专利]一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺-CN202011151951.0有效
发明人：王宇;冯德伸;李燕;雷同光;王博 -专利权人：中国有研科技集团有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺，包括以下步骤：(1)通过常规缩颈工艺将细颈的尺寸控制在3‑5mm，长度150‑300mm；(2)将细颈放粗到Φ15±2mm，等径拉制一段长度，直到细颈部位到达本发明的工艺用于在小梯度热场下，能够在拉制大尺寸无位错锗单晶时，减少细颈因受单晶重力因素导致塑性形变而产生位错，避免这些位错延伸到单晶。
一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺

[发明专利]无铅软钎焊材料及其制备方法-CN201711244925.0有效
发明人：杨林梅;权善玉;杨玉东;史学峰;李姝潼 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：无铅软钎焊材料及其制备方法,该材料由纳米氧化钇和锡银铜无铅焊膏制备而成。位错就越难绕过第二项粒子，理论上掺杂纳米粒子能够钉扎位错，从而起到提高材料强度的效果。
无铅软钎焊材料及其制备方法

[发明专利]微柱阵列的制备方法、阵列结构及生长晶体材料的方法-CN201110066668.2有效
发明人：刘建奇;王建峰;任国强;弓晓晶;徐科 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：将第一晶体层置于选择性腐蚀的环境中，所采用的选择腐蚀工艺优先腐蚀与第一晶体层的表面呈一角度的晶面，所述角度大于0度且小于90度，从而在第一晶体层表面的缺陷处形成凹陷；保持对第一晶体层的表面实施选择性腐蚀，使凹陷扩大，显露出无位错部分，形成由第一晶体层的无位错部分构成的微柱阵列。本发明的优点在于，通过选择性腐蚀工艺形成了由无位错区域构成的微柱阵列作为横向外延的窗口区，从而降低保留下来的窗口区的位错密度，从而使ELOG工艺充分发挥其降低位错密度的优势。
阵列制备方法结构生长晶体材料

[发明专利]一种无位错锗单晶片中COP缺陷的腐蚀检测方法-CN201410740175.6在审
发明人：范德胜;柯尊斌;郑华荣;刘新军;刘绍良 -专利权人：南京中锗科技股份有限公司;中锗科技有限公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种无位错锗单晶片中COP缺陷的腐蚀检测方法，从无位错锗单晶按晶向切出厚度为1~2mm的晶片，将晶片的一面在金刚砂磨盘上粗磨磨平，然后在毛玻璃上抛光至晶片表面无明显划痕；配制COP腐蚀液并冷却至0℃；将经过抛光的无位错锗单晶片抛光面朝上放入0℃的腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀时间5~8分钟；腐蚀完成后立即用清水冲洗干净擦干，在显微镜下数出单晶片表面COP缺陷数量。本发明采用的腐蚀液能够腐蚀表面一层锗，从而露出新鲜表面暴露出缺陷，能够保证COP缺陷显现效果，在显微镜下能很方便观察到COP形貌，能准确的检测出无位错锗单晶片中COP缺陷数量，方法简单有效。
一种无位错锗单晶片 cop 缺陷腐蚀检测方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02809544.8无效
发明人：尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫 -专利权人：尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫
申请日： 2002-05-07 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的方法从生长在有不同晶格常数的衬底顶部的，原来位错和/或富于缺陷的晶格失配层，产生相干无位错区域，而不包含在晶格失配层生长之前或以后的任何处理步骤。该过程优选地在位错层的顶部原地形成一层帽层。该帽层最好有和下面衬底接近的晶格参数，而与在无应变状态下的晶格失配层的晶格参数不同。在这些条件下，该帽层在位错附近的区域受到弹性排斥，因为在该处晶格参数和衬底的晶格参数差别最大。当帽层比起下面的晶格失配层有一个较低的热蒸发率时，晶格失配层包含位错的那些区域就在足够高的温度下被选择性地蒸发，而在衬底上只留下原先富于位错的晶格失配层的相干、无缺陷区。在本发明的一个实施方案中，在无衬底上形成的无缺陷区的尺寸被优选地调到30－1000nm范围，这依赖于退火条件，帽层的厚度和晶格失配。也同时公开了用本方法制作的器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于识别碳化硅位错的模型训练方法、识别方法及装置-CN202211383066.4有效
发明人：钟红生;皮孝东;杨德仁;王蓉;李佳君 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06V10/778 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种用于识别碳化硅位错的模型训练方法、识别方法及装置，通过获取背景干净且不同位错无重叠的第一碳化硅位错图片样本进行标注，再通过神经网络模型进行训练得到第1代检测模型；获取背景干净且存在位错重叠交错的多张第二碳化硅位错图片样本，通过第1代检测模型进行检测后进行标注，再通过神经网络模型对标注后的多张第一碳化硅位错图片样本和第二碳化硅位错图片样本进行训练，得到第2代检测模型；获取背景不干净的多张第三碳化硅位错图片样本，根据上述步骤得到第
用于识别碳化硅模型训练方法装置

[发明专利]一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法-CN202210625369.6在审
发明人：李帅 -专利权人：金阳（泉州）新能源科技有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，它包括以下步骤，A.获取籽晶，将其铺设在坩埚底部；B.在籽晶上铺设个体尺寸大于籽晶拼缝的单晶致密料；C.在铸锭炉中熔融形成一块无拼缝籽晶；D.在无拼缝籽晶上放入循环料本发明的目的在于提供一种减少位错缺陷及多晶占比的铸造晶硅制备方法，可以有效防止籽晶拼缝中产生的位错源，提高铸造单晶硅锭的质量。
一种减少缺陷多晶铸造制备方法

[发明专利]用于单晶硅生长的非Dash缩颈法-CN98807993.3无效
发明人：金孔民;萨达斯瓦姆·钱德拉塞卡 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1998-08-03 - 公布日： 2000-09-20 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：该方法其特征在于在硅棒生长开始之前,让一大直径、无位错的籽晶进行热平衡,以避免形成由对单晶热冲击而产生的位错。该方法生产出一种单晶硅棒,此种单晶硅棒具有大直径的短缩颈,该大直径的短缩颈是无位错的,并能在生长和随后的处理期间,支承至少重约100kg的硅棒。
用于单晶硅生长 dash 缩颈

[发明专利]<110>无位错硅单晶的制造方法-CN200610129891.6有效
发明人：沈浩平;汪雨田;胡元庆;尚伟泽;周建华;李翔;李海静 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的拉晶工艺，特别涉及一种适用于半导体和太阳能光电器件的<110>无位错单晶的制造方法以及对在制造方法过程中使用的石墨热系统的改进。制造<110>无位错硅单晶的石墨热系统的上保温筒的保温层厚度为20～30mm，下保温筒的保温层厚度为60～70mm，炉底护盘的保温层厚度为70～80mm。本发明成功实现了生产<110>无位错单晶，从而满足了国内外市场对<110>无位错单晶的需求。
110 无位错硅单晶制造方法

[发明专利]一种含高密度位错/层错的无粘结相超细晶碳化钨硬质合金及其制备方法-CN202210799407.X有效
发明人：赵科;刘金铃;刘佃光 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C22C29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种含高密度位错/层错的无粘结相超细晶碳化钨硬质合金及其制备方法。本发明无粘结相超细晶碳化钨硬质合金中具有高密度(1×1013/m2)的位错/层错，使其在变形过程具有更高的变形抗力，同时层错能够协调变形，提高其变形能力，加之细小的晶粒和高的相对密度，使其同时获得高的硬度和断裂韧性，有效突破无粘结相碳化钨硬质合金面临的硬度有待提高和脆性大的难题。
一种高密度粘结相超细晶碳化硬质合金及其制备方法

[发明专利]一种位错特征的三维图示化表示方法-CN202110901900.3在审
发明人：冯宗强;劳洲界;杨涵;王子今;符锐;黄晓旭 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种位错特征的三维图示化表示方法，通过透射电镜获取样品中位错不同角度下的图像，并进行三维重构获得位错在晶体坐标系下描述的三维图像，根据位错的三维图像获得位错的线方向。然后根据位错的线方向和位错的柏氏矢量获得位错的组分信息，根据位错的线方向获得位错与预设晶面的空间关系，并在位错的三维图像中展示位错组分信息的空间分布和位错与预设晶面的空间关系。本发明实现了在位错的三维图像中表征位错特征，能够精确、直观地表征两类位错特征，为位错相关基础科学问题研究提供了技术基础。
一种特征三维图示表示方法

[发明专利]掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法-CN200910099991.2无效
发明人：余学功;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明还公开了其制备方法，包括：将多晶硅、锗和电活性掺杂剂置于平铺在坩锅底部的无位错的单晶硅块上，通过热场调节，使多晶硅、锗和掺杂剂完全融化，无位错的单晶硅块部分融化，再通过热交换进行定向凝固，将未融化的部分无位错的单晶硅块作为籽晶
定向凝固铸造单晶硅及其制备方法

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