“散性碲化银”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8630232个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用-CN202010806609.3在审
发明人：张伟;王疆靖;周宇星;王旭东 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用，包括相变层和阻隔层，所述相变层和阻隔层交替堆垛，所述相变层至少两层，阻隔层至少一层，所述相变层为锗锑碲薄膜，阻隔层为IV族碲化物薄膜。该薄膜中锗锑碲材料与IV族碲化物材料交替堆垛，其中锗锑碲作为相变层实现存储，IV族碲化物材料作为阻隔层不参与相变，既能够抑制相变层材料的结构弛豫，又能够阻碍其元素偏析现象，将会极大地提升相变存储器件的稳定性和精准性，并有效延长器件的使用寿命，同时锗锑碲材料具有较高的结晶温度，能够保证高温环境下的稳定服役。
一种基于锗锑碲 iv 族碲化物交替堆垛多层相变薄膜及其应用

[发明专利]一种半导体引线框架高速镀银用光亮剂-CN202210789074.2在审
发明人：邓麒俊 -专利权人：江门市优彼思化学技术有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C25D3/46 文献下载
摘要：本发明涉及电镀银添加剂领域，具体公开了一种半导体引线框架高速镀银用光亮剂，包括以下质量份数的组分：溶剂95.47‑95.95份；含硒化合物0.9‑1.08份；含碲化合物0.25‑0.35份；含铋化合物2.9‑3.1份；含硒化合物为硫化硒、亚硒酸铵的复配；含碲化合物为碲酸铵、亚碲酸钾的复配；含铋化合物为钛酸铋、柠檬酸铋铵的复配；半导体引线框架高速镀银用光亮剂在高速镀银溶液中的用量为5‑10g/L。本发明具有提高银镀层的可焊性的优点。
一种半导体引线框架高速镀银用光

[发明专利]用于电解沉积银‑钯合金的电解质和银‑钯合金的沉积方法-CN201480044126.7有效
发明人： B·维姆勒;U·曼兹;S·伯格尔 -专利权人：优美科电镀技术有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： C25D3/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于电解沉积富银的银‑钯合金的电解质和方法，所述富银的银‑钯合金在较小程度上还包含硒和/或碲。本发明的电解质允许在宽电流密度范围内将此类合金均匀沉积在导电表面上。
用于电解沉积合金电解质方法

[发明专利]一种电化学法制备二维超薄碲化铂纳米片的方法-CN201910758563.X在审
发明人：苏陈良;方漪芸;李鑫哲;李瑛 -专利权人：深圳大学
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备二维超薄碲化铂纳米片的方法；具体涉及一种电化学法制备二维超薄碲化铂纳米片的方法。该方法主要是通过化学气相传输法合成高品质的碲化铂体相材料并通过电化学阴极剥离法将其剥离成二维超薄纳米片。该方法的特点是，在双电极体系中，以体相碲化铂晶体和铂片电极分别作为阴极和阳极，以非质子性有机溶剂，四烷基四氟硼酸铵为电解质外加合适的电压，对碲化铂晶体进行剥离得到二维超薄碲化铂纳米片。本发明的方法可以快速、低成本的宏量制备得到较完整原子结构的二维超薄碲化铂纳米片。
碲化二维铂纳米片制备电化学法原子结构剥离非质子性有机溶剂烷基阴极超薄纳米片电化学阴极双电极体系四氟硼酸铵电解质铂片电极气相传输体相材料阳极剥离法低成本高品质体相合成

[发明专利]基于硅掺杂碲化锗的选通管器件及其制备方法-CN202310371857.3在审
发明人：饶毅恒;苏锦;王浩;马国坤;万厚钊;余明珠 -专利权人：湖北大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于选通管器件技术领域，公开了一种基于硅掺杂碲化锗的选通管器件，从下至上依次为：底电极，转换层，顶电极；底电极的材料为Pt，转换层的材料为硅掺杂的碲化锗薄膜，顶电极的材料为Ti；转换层中硅和碲化锗的摩尔比为1:40~50；本发明还公开了上述基于硅掺杂碲化锗的选通管器件的一种制备方法。本发明适用于制备基于硅掺杂碲化锗的选通管器件，经硅掺杂碲化锗的选通管器件具有Forming‑free特性，由于免除了Forming过程选通管器件的稳定性和耐受性都得到改善。
基于掺杂碲化锗选通管器件及其制备方法

[发明专利]银浆及其用于制造光伏组件的用途-CN201210347537.6无效
发明人：陈威廷;张天益;许坤章;石正玲 -专利权人：达泰科技股份有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本发明是银浆及其用于制造光伏组件的用途。是一种银浆，包含有机载体、含铅玻璃粉末以及银粉末。特别地，本发明的银浆并且包含重量百分比为约0.01-2的氧化碲粉末。
及其用于制造组件用途

[发明专利]一种高纯碲化镉的制备方法-CN202010536795.3有效
发明人：胡智向;朱刘;文崇斌;范文涛 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲化镉的制备方法包括以下步骤：将碲与镉按规定摩尔比进行混合，其中碲相对于镉过量；将混合好的碲与镉的混合物装入坩埚舟中；将坩埚舟放入石英管中，抽真空，并将石英管封口；将密封好的石英管放入水平定向凝固炉中，采用多段升温方式加热保温，使碲与镉进行反应；反应完成后使坩埚舟、石英管及管内物料冷却至常温，切开石英管，取出合成反应获得的碲化镉，所获得的碲化镉纯度为6N。本发明提供的碲化镉的制备方法中，首先对金属镉与碲进行单独处理，确保生产过程中不会产生大的蒸汽压，有效防止生产过程中发生炸管的可能性。同时将水平合成与水平定向凝固相结合，形成一步法制备6N及以上高纯碲化镉。
一种高纯碲化镉制备方法

[发明专利]非倒装键合体式双波段量子点像元、焦平面阵列及其制备方法与应用-CN202210753491.1在审
发明人：唐鑫;郝群;陈梦璐;赵鹏飞 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：该双波段量子点像元包括底电极、顶电极及位于顶电极与底电极之间的空穴传输层、红外感光膜层与可见光感光膜层，红外感光膜层包括硫系汞胶体量子点本征层及硫系银胶体量子点掺杂层，可见光感光膜层包括电子传输层与碲化镉胶体量子点层，且硫系银胶体量子点掺杂层、硫系汞胶体量子点本征层、电子传输层与碲化镉胶体量子点层构成P‑N‑P异质结。
倒装体式波段量子点像元平面阵列及其制备方法应用

[发明专利]熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法-CN201010028933.3有效
发明人：唐新峰;杜保立;徐静静;罗文辉 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)配料：以丝状Ag、块状Te和颗粒状Sb为起始原料，按化学式AgSbTe2+x称重，其中，x＝0～0.08；2)母合金的制备后于过饱和盐水中淬火，得到母合金；3)将母合金研磨、压片，置于感应加热炉中熔炼成熔体，然后将熔体旋甩，得非晶/纳米晶复合结构的带状产物；4)将非晶/纳米晶复合结构的带状产物研磨后，采用放电等离子烧结，得碲化银锑热电材料
熔体旋甩结合放电等离子烧结制备碲化银锑热电材料方法

[发明专利]一种硅太阳能电池用无铅正面银浆及其制备方法-CN201611147113.X有效
发明人：王焕平;徐时清 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明公开的硅太阳能电池用无铅正面银浆是由微米银粉、有机粘合剂和无机添加剂构成的混合物，其中无机添加剂是在亚微米银粉表面包覆有碲铋碱金属系玻璃，同时在碲铋碱金属系玻璃上析出银晶粒的微晶玻璃颗粒。制备过程包括将亚微米银粉分散在聚乙烯醇水溶液中形成悬浮液，然后加入碲、铋、碱金属、硅、镁钡锶锌等的化合物以及硼酸的混合水溶液，再进行雾化，雾化后的液滴通过垂直加热管，落入去离子水中冷却，获得无机添加剂；本发明的正面银浆无铅环保、具有优异的欧姆接触，可显著提高硅太阳能电池片的转化效率。
一种太阳能电池用无铅正面及其制备方法

[发明专利]用于太阳能电池银浆的玻璃粉、银浆及其制备方法和应用-CN201910310456.0在审
发明人：潘锋;陈勇吉;刘建;姜行;高舟;王星博;林原;林海 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C03C8/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于太阳能电池银浆的玻璃粉、银浆及其制备方法和应用。本申请的玻璃粉包括在镍、银、铅和碲的玻璃粉体系中，添加金属氧化物和非金属氧化物；镍占玻璃粉总重量的1‑50％，银为5‑40％，铅为13‑27％，碲为19‑39％；其它金属氧化物为1‑55％，其它非金属氧化物为本申请的玻璃粉，含铅量低，安全环保；玻璃粉软化点低，作为太阳能电池银浆使用时，能实现低温烧结，有效的与氮化硅减反层反应，在银硅界面处还原出大量的银颗粒，形成良好的欧姆接触，使得N层硅中电子更加容易被银栅线收集
玻璃粉银浆太阳能电池制备方法和应用非金属氧化物金属氧化物申请光电转换效率安全环保低温烧结环保安全欧姆接触氮化硅低能耗硅界面含铅量减反层软化点银颗粒被银栅线制备还原电池

[发明专利]一种二维碲化铟纳米片及其制得的偏振光探测器-CN201911176005.9有效
发明人：李京波;杨淮;魏钟鸣;霍能杰 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明属于纳米功能材料技术领域，公开了一种二维碲化铟纳米片及其制得的偏振光探测器，所述碲化铟纳米片是将铟粉和碲粉混合后加热至480～520℃并保温，然后降温至460～480℃并保温，再冷却至室温，在不同温度下反应朝不同方向进行生长制得该二维碲化铟纳米片具有低面内对称性，由其制得的偏振光探测器依次包括重掺杂硅、二氧化硅绝缘层和二维材料碲化铟纳米片，在所述二维材料碲化铟纳米片的两侧制作金属电极。由于二维材料碲化铟纳米片具有各向异性等特点，使得偏振光探测器可以探测多角度的线偏振光。
一种二维碲化铟纳米及其偏振光探测器

[发明专利]一种无机非金属复合材料的制备方法及储能应用-CN202011447541.0有效
发明人：李埃荣;王新龙;小泽康典;李伟力;徐永纪 -专利权人：宁波启新精合新能源研究院有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C01B32/182 文献下载
摘要：本发明涉及一种无机非金属复合材料的制备方法及储能应用，其中制备方法包括以下步骤：步骤1，制备碲化锶纳米材料：使用氯化锶与亚碲酸钠在氮川三乙酸的作用下进行反应，制备得到碲化锶纳米材料；步骤2，制备改性碲化锶纳米材料：使用碘酸钾与所述碲化锶纳米材料在酸性条件下进行反应，制备得到改性碲化锶纳米材料；步骤3，制备无机非金属复合材料：使用纳米石墨烯与所述改性碲化锶纳米材料掺杂混合，得到无机非金属复合材料。本发明制备得到的无机非金属复合材料能够替代石墨作为现有的锂离子电池中的负极材料，该无机非金属复合材料相比较于石墨具有更好的充放电倍率，更优异的低温性能，以及与电解质也能有较好的相容性。
一种无机非金属复合材料制备方法应用

[发明专利]一种通过烷基硫醇溶解硫族氧化物实现无膦制备硒或碲化物半导体量子点的方法-CN201610842555.X有效
发明人：张皓;辛蔚;姚栋;刘轶;杨柏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明属于荧光量子点制备技术领域，具体涉及一种无膦制备油溶性硒或碲化物半导体量子点的方法，特别是涉及一种以二氧化硒或二氧化碲为原料在烷基硫醇中还原溶解的方法制备硒或碲前驱体，并利用此前驱体制备高质量功能性硒或碲化物半导体量子点的方法本发明的核心内容是用烷基硫醇去溶解硒或碲的二氧化物，获得硒或碲的溶液。本发明所使用的烷基硫醇和硒或碲的二氧化物均为常见的稳定的化合物，且价格低廉，绿色环保。所制备的前驱体活性高，可以在较温和条件下制备多种功能性硒或碲化物量子点。利用此方法可有效降低制备成本，同时减小环境污染，对硒或碲化物量子点的工业化生产及相关的LED产业意义重大。
一种通过烷基硫醇溶解氧化物实现制备碲化物半导体量子方法

[发明专利]基于CdTe-Ag₂Se纳米复合物的皮质酮电化学发光传感器的制备方法和应用-CN201710674620.7有效
发明人：朱文娟;魏琴;王斌;鞠熀先;范大伟;张勇;吴丹 -专利权人：济南大学
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：以介孔硒化银负载碲化镉量子点CdTe‑Ag₂Se纳米复合物作为皮质酮捕获抗体基底材料制备传感器，实现对皮质酮的灵敏检测。
基于 cdte ag2se 纳米复合物皮质电化学发光传感器制备方法应用