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[发明专利]阴极化碲电极制备高荧光效率碲化镉量子点-CN200710134534.3无效
发明人：葛存旺;徐敏;鞠熀先 -专利权人：南京大学
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种阴极化碲电极制备高荧光效率碲化镉量子点的方法。特征是①以稳定的碲棒为碲电极，在-0.95～-1.2V(相对于Ag|AgCl|KCl(sat.)电极)电位下，用碲电极为碲源阴极化制备碲化镉前驱体溶液，取代了易被空气氧化的碲氢化钠或碲化氢碲源，或易吸水的碲化铝碲源④控制加热时间可以调整碲化镉量子点的粒径和最大发光波长。本发明合成的碲化镉量子点粒径为2.0-5.0nm、最大发射波长为500-650nm，发射谱半峰宽为40-55nm、荧光量子产率为60-78％。该方法具有简便、快速、绿色、重现性好和成本低等特点，为合成高质量碲化镉量子点提供了一个切实可行的途径，将在纳米器件、光电子学及生物传感等领域都有广阔的应用前景。
阴极电极制备荧光效率碲化镉量子

[发明专利]一种碲化铂纳米片及其制备方法-CN201811307603.0在审
发明人：苏陈良;方漪芸;李鑫哲;李瑛 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米片；具体涉及一种碲化铂纳米片及其制备方法。该纳米片是二维超薄碲化铂纳米片；该制备方法主要是通过化学气相传输法合成高品质的碲化铂体相材料并通过电化学阴极剥离法将其剥离成二维超薄纳米片。该方法的特点是，在双电极体系中，以体相碲化铂晶体和铂片电极分别作为阴极和阳极，以非质子性有机溶剂，四烷基四氟硼酸铵为电解质外加合适的电压，对碲化铂晶体进行剥离得到二维超薄碲化铂纳米片。本发明的方法可以快速、低成本的宏量制备得到完整原子结构的二维超薄碲化铂纳米片。
碲化铂纳米片二维制备纳米片原子结构剥离非质子性有机溶剂烷基阴极超薄纳米片电化学阴极双电极体系四氟硼酸铵电解质铂片电极气相传输体相材料阳极剥离法低成本高品质体相合成

[发明专利]一种基于碲化铬共振结构的电场传感器-CN202211337008.8在审
发明人：李鹏;田兵;王志明;刘仲;林跃欢;李立浧;骆柏锋;吕前程;刘胜荣;尹旭;徐振恒;张伟勋;钟枚汕;卢星宇;何毅 -专利权人：南方电网数字电网研究院有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碲化铬共振结构的电场传感器，包括碲化铬层、第一电荷介质层、第二电荷介质层、电荷停留区域、固定支座和固定块，碲化铬层固定连接在固定块上，固定块固定连接在固定支座上，碲化铬层表面设置电荷介质层本发明将外界电场的测量转换为碲化铬层的谐振频率变化，通过碲化铬层的谐振频率变化来确定外界电场的强度大小，从而得到外界电场的强度，由于碲化铬层本身具有优异的谐振特性，从而大大提高电场传感器的灵敏度和可靠性
一种基于碲化铬共振结构电场传感器

[发明专利]一种碲化铂二维材料、制备及其电学器件中的应用-CN201810218839.0有效
发明人：段曦东;段镶锋;马惠芳 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料制备领域，具体公开了一种碲化铂二维材料，为碲化铂纳米片。本发明还提供了一种碲化铂二维材料的制备方法，将碲粉在不低于410℃的温度、铂粉在1000～1170℃的温度下挥发，将挥发的碲和铂在50～400sccm的载气流量、350‑720℃下化学气相沉积在基底表面，制得碲化铂纳米片。本发明还包括所述制备方法制得的碲化铂二维材料以及利用所述的碲化铂二维材料在光学器件，特别是PtTe₂场效应晶体管中的应用。本发明制备的碲化铂纳米片形貌良好为六边形和三角形，厚度为2‑40nm，大小在1.5‑52μm，结晶性好，制备方法简单可行。
碲化二维材料制备铂纳米片挥发形貌场效应晶体管化学气相沉积纳米材料制备六边形电学器件光学器件基底表面载气流量结晶性铂粉碲粉应用

[发明专利]一种HJT的低温导电银浆及其制备方法-CN202210246155.8在审
发明人：孙光辉;刘成;牛亮峰;梁玮;王盼盼;柴永康 -专利权人：苏州星翰新材料科技有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种HJT的低温导电银浆及其制备方法，所述低温导电银浆的原料组分按重量份计包括：聚氨酯树脂2‑5份、环氧树脂1‑3份、溶剂2.5‑4份、固化剂0.2‑0.5份、添加剂0.5‑1.5份和银粉86‑95份；所述银粉包括微米粉和纳米粉；所述制备方法包括以下步骤：(1)混合有机相原料，第一分散得到树脂液；(2)混合树脂液和纳米粉，依次进行第二分散、超声分散和第三分散得到纳米粉溶液；(3)混合纳米粉溶液和A类微米粉，第一轧制后得到半成品银浆；(4)混合半成品银浆、B类微米粉和添加剂，第二轧制、第四分散后得到所述低温导电银浆；所述制备方法通过分步添加不同粒径的银粉，提升银浆的结合强度和均匀性，从而提升低温导电银浆的电性能和印刷性
一种 hjt 低温导电及其制备方法

[发明专利]制造氧化丙烯的方法-CN201080057752.1无效
发明人：大石嘉彦;鹿野博嗣;A.科马 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C07D301/10 文献下载
摘要：本发明涉及制造氧化丙烯的方法，包括使丙烯和氧在银催化剂和水的存在下反应的步骤，其中所述银催化剂是由（a）金属银、银化合物或其混合物、（b碲化合物和（c）载体制成的催化剂。
制造氧化丙烯方法

[发明专利]一种1T相结构的电催化剂及其制备方法-CN202211645397.0在审
发明人：高堂铃;付刚;王冠;何影翠;张晓男 -专利权人：黑龙江省科学院石油化学研究院
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明提供一种1T相结构的电催化剂及其制备方法，所述1T相结构的电催化剂包括导电衬底，以及原位生长于所述导电衬底上的二碲化铂和阴离子掺杂二碲化铂，所述二碲化铂和所述阴离子掺杂二碲化铂均为1T相结构。本发明通过阴离子掺杂二碲化铂缓解了二碲化铂晶格过度膨胀的问题，优化了金属d轨道中心位置，缩小了铂原子间距从而提升氢吸附强度，有效提升电催化剂的氧还原催化活性，而二碲化铂和阴离子掺杂二碲化铂均为1T相结构，导电性良好。本发明提供的1T相结构的电催化剂为有效纳米化的贵金属硫化物电催化剂，催化活性强，解决了贵金属硫化物基面活性较差、贵金属利用率低的问题。
一种结构催化剂及其制备方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292902.9在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基复合衬底材料件依次进行除气处理和束流校正，硅基复合衬底材料件包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；在束流校正后的硅基复合衬底材料件的碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲镉汞导电层；在高电导率碲镉汞导电层上外延生长碲镉汞吸收层。碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基复合衬底材料件，包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；p型掺杂高电导率碲镉汞导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲镉汞导电层上采用本发明，可以有效提升红外焦平面探测器芯片的均匀性指标。
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]太阳能电池电极形成用导电性糊-CN201680015189.9有效
发明人：金作整;西村浩辅;仓桥昌幸 -专利权人：昭荣化学工业株式会社
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供获得良好的电特性、对于基板获得更为充分的粘接强度的太阳能电池电极形成用导电性糊。上述太阳能电池电极形成用导电性糊包含：碲系玻璃料、导电性粉末和有机载体；以氧化物换算计，该碲系玻璃料以30～70摩尔％的比率含有碲、以15～40摩尔％的比率含有钨、以5～30摩尔％的比率含有锌、以0～20摩尔％的比率含有硼、以0～10摩尔％的比率含有锆，其中硼与锆的合计含量比0摩尔％大；该导电性粉末以银作为主成分，比表面积为0.4m2/g以上。
太阳能电池电极形成导电性

[发明专利]原子荧光光谱法测定纯银中的痕量硒、碲的方法-CN201410040616.1无效
发明人：韦文辉;王冬珍;马得莉;郑燕萍;陈瑾霞 -专利权人：白银有色集团股份有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提供一种利用原子荧光光谱法测定纯银中的痕量硒、碲的方法，选用硫脲溶液掩蔽测定体系中的残银，而不使用硫脲-抗坏血酸溶液，再使用氢化物发生-原子荧光光谱法测定银中的痕量硒、碲，结果准确可靠，使用本发明不仅能够有效掩蔽干扰离子Zn、Fe、Co、Ni、Cd、Sb、Te、Sn及其组合的影响，而且还能消除银基体本身对硒、碲测量的影响，使铋和硒的测量结果更精确；测定时间短、精度高、检出限低、线性范围宽、能同时、快速测定待测元素，分析范围能达到
原子荧光光谱测定中的痕量方法

[发明专利]一种碲化镉掺砷金相试样的制备方法-CN202210607283.0在审
发明人：周荣艳;岑力衡;文崇斌 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开一种碲化镉掺砷金相试样的制备方法，属于金相试样制备技术领域。本发明的碲化镉掺砷金相试样的制备方法，包括步骤：研磨、粗抛、精抛、机械抛光、化学腐蚀。本发明首次采用腐蚀制样制备出碲化镉掺砷靶材的金相试样，弥补了碲化镉掺砷金相腐蚀制样方面技术的空缺；本发明的制备方法采用多种抛光方式和化学腐蚀相结合，制备时间较短，简单高效，可重现性高；采用本发明的碲化镉掺砷金相试样的制备方法制备的碲化镉掺砷金相试样显微组织清晰完整
一种碲化镉掺砷金相试样制备方法

[发明专利]一种铜阳极泥分离回收硒和碲的方法-CN201610910411.3有效
发明人：王学文;王明玉;葛奇 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：一种铜阳极泥分离回收硒和碲的方法，是对铜阳极泥或铜阳极泥经脱铜预处理后的脱铜阳极泥进行苏打烧结，烧结后的物料加水浸出，过滤得富硒浸出液和富碲浸出渣；对富硒浸出液分离回收碳酸钠后，再用亚硫酸钠或SO2还原回收富硒浸出液或滤液中的硒，过滤得粗硒粉，粗硒粉进一步精炼得金属硒；富碲浸出渣经硫酸溶液浸出后，过滤得酸浸液和酸浸渣；酸浸液经氯化分银后，用亚硫酸钠或SO2还原沉淀其中的碲，过滤得粗碲粉，粗碲粉进一步精炼得金属碲。通过本发明工艺的整体重新设计，各个步骤间的相互配合，因而可以使铜阳极泥中硒和碲的分离回收工艺路线得到极大的简化，大大减轻了铜阳极泥加工过程的环保压力，也符合我国节能减排技术改造的发展趋势。本发明具有工艺简单，操作简便，生产成本低，硒和碲的回收率高，作业环境好等优点，适于工业化应用。
铜阳极泥分离回收过滤浸出液富硒亚硫酸钠烧结浸出渣酸浸液粗硒粗碲浸出脱铜精炼预处理工业化应用生产成本低工艺路线环保压力还原沉淀节能减排硫酸溶液物料加水重新设计作业环境氯化金属硒金属碲酸浸渣碳酸钠阳极泥回收率还原回收配合

[发明专利]一种三元氧化锌碲化锌碲纳米复合物的制备方法-CN201710238660.7在审
发明人：何瑞;吴荣;陈媛 -专利权人：新疆大学
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开一种三元氧化锌碲化锌碲纳米复合物的制备方法，该方法包括，在不同体积比的水合肼、二乙基四已胺、去离子水的混合溶液分别为10：1.5:10、10：2:10和10:4:10，溶解一定量的氧化锌、亚碲酸钠最后在400℃的管式炉中退火2小时，即得三元氧化锌碲化锌碲纳米复合物。本发明实验方法简单安全，对设备要求低，成本低，制备的三元氧化锌碲化锌碲样品结晶性和分散性好，产物形貌可控。
一种三元氧化锌碲化锌碲纳米复合物制备方法

[发明专利]一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法-CN202210857713.4在审
发明人：徐明;王俊钦;罗霄;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法，其中，该太赫兹波调制器包括由下而上依次设置的衬底层、碲化锗相变材料层和覆盖层；衬底层和覆盖层均采用对太赫兹波透明的材料制成；碲化锗相变材料层，其上施加有纳秒级别的瞬时能量，用于根据施加的瞬时能量大小非易失性且可逆的改变碲化锗的相态，从而实现透射太赫兹波在不同调制状态间可逆的转化。本发明利用碲化锗的相变原理及不同相态碲化锗的光学性能在较宽的频率范围内都有着极大的对比度，通过在碲化锗上施加瞬时能量，改变其相态，从而实现对较宽频率范围内的太赫兹波调制，且本发明结构简单，无需持续向碲化锗施加能量，即可维持碲化锗的状态，具有能耗低的特点。
一种基于相变原理赫兹调制器及其制备方法

[发明专利]将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件-CN201110175409.3无效
发明人： J·M·弗里 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明名称为将碲化镉层改性的方法和具有碲化镉层的薄膜器件。包括设置在碲化镉层内的改性碲化镉和未改性碲化镉的层。该改性区包括的碲化物浓度大于未改性碲化镉区中的碲化物浓度。该改性区还包括六方密排晶体结构。还公开用于将碲化镉层改性的方法和薄膜器件。
将碲化镉层改性方法具有碲化镉层薄膜器件

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