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[发明专利]高频放大电路及半导体设备-CN201910115753.X在审
发明人：濑下敏树;栗山保彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：实施方式涉及高频放大电路及半导体设备。高频放大电路具备：第1晶体管，将来自对应的高频开关的上述高频输入信号放大且源极接地；第2晶体管，共源共栅地连接至上述第1晶体管，将以上述第1晶体管放大的信号进一步放大而生成输出信号且栅极接地；第1电感，连接至上述第1晶体管的源极和第1基准电位节点之间；第2电感，连接至上述第2晶体管的漏极和第2基准电位之间；非线性补偿电路，连接至上述第1晶体管和上述第2晶体管的连接节点，补偿对于上述高频输入信号的上述输出信号的非线性
晶体管高频放大电路高频输入信号电感输出信号放大非线性补偿电路基准电位节点半导体设备晶体管放大高频开关共源共栅基准电位连接节点源极接地栅极接地地连接漏极源极

[发明专利]固态成像装置-CN201010209520.5有效
发明人：酒井诚一郎;有岛优 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-06-21 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本发明提供一种固态成像装置，该固态成像装置包括：像素区域，所述像素区域具有以矩阵形式设置在其中的单位单元，所述单位单元包含多个转换部件、放大来自多个转换部件的信号的放大晶体管、将放大晶体管的输入部分的电势设为复位电势的复位晶体管、和与放大晶体管串联连接并选择和读取放大的信号的选择晶体管；和设置在像素区域内的阱接触区。阱接触区中的每一个与复位晶体管的漏极区相邻，并且，复位晶体管的漏极区具有比选择晶体管的源极区和漏极区中的杂质浓度低的杂质浓度。
固态成像装置

[发明专利]可变增益放大器-CN200510098772.4无效
发明人：李廷浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-07 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： H03G3/20 文献下载
摘要：提供了一种可变增益放大器。所述可变增益放大器包括：第一共阴共栅放大器，其包括第一共源极晶体管和第一共栅极晶体管；第二共阴共栅放大器，其与第一共阴共栅放大器组成差动对并且包括第二共源极晶体管和第二共栅极晶体管；和增益调节单元，其一端被连接到第一共源极晶体管的漏极和第一共栅极晶体管的源极，并且其另一端被连接到第二共源极晶体管的漏极和第二共栅极晶体管的源极。
可变增益放大器

[发明专利]一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器-CN202111349043.7在审
发明人：刘兴慧 -专利权人：深圳知微创新技术有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01J3/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器，包括基于薄膜晶体管的前置放大电路，所述前置放大电路由第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2、第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4构成，所述第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2组成了电流转换电压电路，所述第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4组成了共源放大电路，所述电流转换电压电路将与光照强度相关的微弱电流转换为与光照强度相关的电压，并输出给所述共源放大电路，所述共源放大电路将与光照强度相关的电压放大并输出。本发明的有益效果是：采用薄膜晶体管作为光电探测器，提高了颜色传感器的灵敏度，可用于柔性面板，降低了成本。
一种基于薄膜晶体管灵敏度颜色传感器

[发明专利]只读存储器-CN200910197171.7无效
发明人：张超 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-10-14 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种只读存储器，该只读存储器的读出放大电路包括：控制电压电路；第一晶体管，用于根据该第一晶体管的源极电流控制该第一晶体管的栅极电压，该第一晶体管的源极接收该存储单元的位线电流；第二晶体管，用于根据该第二晶体管的源极或者漏极电流控制该第二晶体管的栅极电压，该第二晶体管的源极或者漏极接收该读出放大电路的参考电流；第一放大器，该第一放大器与该第一晶体管反馈连接；第二放大器，该第二放大器与该第二晶体管反馈连接；电压型比较器，用于比较该第一、第二晶体管的栅极电压
只读存储器

[实用新型]一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器-CN202122791563.5有效
发明人：刘兴慧 -专利权人：深圳知微创新技术有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01J3/50 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于薄膜晶体管的高灵敏度颜色传感器，包括基于薄膜晶体管的前置放大电路，所述前置放大电路由第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2、第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4构成，所述第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2组成了电流转换电压电路，所述第三薄膜晶体管TFT3和第四薄膜晶体管TFT4组成了共源放大电路，所述电流转换电压电路将与光照强度相关的微弱电流转换为与光照强度相关的电压，并输出给所述共源放大电路，所述共源放大电路将与光照强度相关的电压放大并输出。本实用新型的有益效果是：采用薄膜晶体管作为光电探测器，提高了颜色传感器的灵敏度，可用于柔性面板，降低了成本。
一种基于薄膜晶体管灵敏度颜色传感器

[发明专利]功率放大器和射频前端电路-CN202211726539.6在审
发明人：张滔;曹原;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率放大器和射频前端电路。该功率放大器，包括第一放大晶体管和第一偏置电路；第一偏置电路包括第一偏置晶体管；第一偏置晶体管的第一端与偏置电源端相连，以接收偏置电源端输出的第一电流；第一偏置晶体管的第二端悬空或者接地；第一偏置晶体管的第三端耦合至第一放大晶体管的输入端，以输出第一偏置电流至第一放大晶体管的输入端。由于第一偏置晶体管的第二端悬空或者接地，使得第一偏置晶体管的第二端不会接收到干扰信号，保障第一偏置晶体管输出的第一偏置电流的精确度，从而更灵敏地调整功率放大器所在电路的线性度。
功率放大器射频前端电路

[发明专利]比较器、固态成像器件、电子装置及驱动方法-CN201410108027.2有效
发明人：田中秀树;松本静德;永野川晴久;加地悠一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-21 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：所述比较器包括第一放大单元，其包括由第一晶体管和第二晶体管构成的差分对，第一放大单元放大和输出被输入至第一晶体管的栅极的信号和被输入至第二晶体管的栅极的信号之间的差值；第二放大单元，其放大从第一放大单元输出的信号；第一电容器，其布置在第一晶体管的栅极与参考信号提供单元之间；第二电容器，其布置在第二晶体管的栅极与像素信号配线之间；第三晶体管，其将第一晶体管的栅极与第一电容器之间的连接点连接到像素信号配线；及第四晶体管，其将第二晶体管的栅极与第二电容器之间的连接点连接到像素信号配线。
比较固态成像器件电子装置驱动方法

[发明专利]用于驻极体麦克风的高增益前置放大器及驻极体麦克风-CN201410201152.8有效
发明人：淮永进;孙茂友;徐鸿卓;韦仕贡;唐晓琪;蔺增金;张彦秀 -专利权人：北京燕东微电子有限公司;深圳市锐迪芯电子有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H03F3/185 文献下载
摘要：本发明公开一种驻极体麦克风用高增益前置放大器。该放大器包括PMOS晶体管、第一和第二NMOS晶体管，以及电流源，其中PMOS晶体管的栅极用作该放大器的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极用作该放大器的输出端，所述电流源的第一端与第二NMOS晶体管的漏极连接，第二端与所述PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的漏极连接，所述第一和第二NMOS晶体管的栅极连接，并且所述PMOS晶体管的漏极以及第一和第二NMOS晶体管的源极接地。本发明由此提供一种高增益、体积小能够应用于ECM麦克风的前置放大器。本发明还提供一种包括该前置放大器的驻极体麦克风。
用于驻极体麦克风增益前置放大器

[实用新型]用于驻极体麦克风的高增益前置放大器及驻极体麦克风-CN201420243692.8有效
发明人：淮永进;孙茂友;徐鸿卓;韦仕贡;唐晓琪;蔺增金;张彦秀 -专利权人：北京燕东微电子有限公司;深圳市锐迪芯电子有限公司
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H03F3/185 文献下载
摘要：本实用新型公开一种驻极体麦克风用高增益前置放大器。该放大器包括PMOS晶体管、第一和第二NMOS晶体管，以及电流源，其中PMOS晶体管的栅极用作该放大器的输入端，所述第二NMOS晶体管的漏极用作该放大器的输出端，所述电流源的第一端与第二NMOS晶体管的漏极连接，第二端与所述PMOS晶体管的源极和第一NMOS晶体管的漏极连接，所述第一和第二NMOS晶体管的栅极连接，并且所述PMOS晶体管的漏极以及第一和第二NMOS晶体管的源极接地。本实用新型由此提供一种高增益、体积小能够应用于ECM麦克风的前置放大器。本实用新型还提供一种包括该前置放大器的驻极体麦克风。
用于驻极体麦克风增益前置放大器

[发明专利]摄像装置-CN202211499738.8在审
发明人：滝沢正明;坂野頼人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种摄像装置，其包括光电转换元件；浮动扩散部，其连接至所述光电转换元件；转换效率切换晶体管，其连接至所述浮动扩散部；电容，其连接至所述转换效率切换晶体管；复位晶体管，其连接至所述转换效率切换晶体管；放大晶体管，其连接至所述浮动扩散部；以及选择晶体管，其连接至所述放大晶体管；其中，所述放大晶体管和所述选择晶体管沿第一方向设置，其中，所述复位晶体管和所述转换效率切换晶体管沿第二方向设置，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直
摄像装置

[发明专利]低噪声放大器、低噪声放大器的操作方法和放大器-CN202111098069.9在审
发明人：金奎锡;许荣植 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本公开提供一种低噪声放大器、低噪声放大器的操作方法和放大器。所述低噪声放大器包括：放大单元，包括以级联结构连接的第一晶体管和第二晶体管，并且所述放大单元被配置为放大输入到所述第一晶体管的控制端子的信号；以及增益控制器，连接在所述第一晶体管和所述第二晶体管彼此连接的接触点与电源电压之间，并且被配置为调节所述放大单元的增益。
低噪声放大器操作方法放大器

[发明专利]参考电压产生电路-CN200910119045.X有效
发明人：廖英闵;林育信 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：一种参考电压产生电路，包含：闭环支路，包含放大器，包含正输入端、负输入端及输出端，放大器的正输入端接收输入电压；第一MOS晶体管，包含栅极、源极及漏极，第一MOS晶体管的栅极耦接放大器的输出端，第一MOS晶体管的源极耦接放大器的负输入端；第二MOS晶体管，包含栅极、源极及漏极，第二MOS晶体管的栅极耦接第一MOS晶体管的漏极，第二MOS晶体管的源极耦接第一电压源，第二MOS晶体管的漏极耦接第一MOS晶体管的源极；开环支路，包含第三MOS晶体管，包含栅极、源极及漏极，第三MOS晶体管的栅极耦接放大器的输出端。
参考电压产生电路

[发明专利]电压跟随器放大器-CN201310615556.7无效
发明人：詹三一 -专利权人： LSI公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H03F3/16 文献下载
摘要：本发明提供一种电压跟随器放大器。该放大器电路包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管。该第一晶体管的栅极将输入信号接收至该放大器。第二晶体管的漏极端子连接于第一源极端子。第二晶体管的源极端子连接于第一供电节点。第三晶体管的栅极端子经由第一节点连接于第一晶体管的漏极端子。第三晶体管的漏极端子连接于第二供电节点。第三晶体管的源极端子通过第二节点连接于第二晶体管的栅极端子。该放大器包括连接在第二节点与第一供电节点之间的第一电流偏置。该放大器包括连接在第一节点与第二供电节点之间的第二电流偏置。
电压跟随放大器

[实用新型]CRT电视机宽带视频放大电路-CN200520119928.8无效
发明人：陶显芳 -专利权人：康佳集团股份有限公司
申请日： 2005-12-01 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H04N5/52 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种CRT电视机宽带视频放大电路，主要包括视频放大管，其具有基极、发射极和集电极，其中，该视频放大管的集电极电连接有晶体管，该晶体管具有基极、发射极和集电极，该晶体管的基极通过第一二极管与视频放大管的集电极连接，该晶体管的发射极通过第二二极管与视频放大管的集电极连接，该晶体管的基极通过第一电阻与晶体管的集电极连接，该晶体管的集电极与电源连接。本实用新型涉及一种CRT电视机宽带视频放大电路可满足数字、高清CRT电视机的带宽要求，从而提高CRT电视机的图像清晰度。
crt 电视机宽带视频放大电路

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