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[发明专利]固态摄像装置和电子设备-CN201880033963.8有效
发明人：滝沢正明;坂野頼人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H04N25/62 文献下载
摘要：本公开涉及能够有效防止光晕的固态摄像装置和电子设备。该固态摄像装置设有像素阵列部，多个像素以二维形式布置在像素阵列部中，其中，所述像素均具有像素内电容，像素内电容设置在与设于半导体基板中的光电转换元件的光入射表面相对的一侧上，所述像素还具有像素内电容的对向电极，对向电极设置在半导体基板中。本公开可以应用于例如背照式CMOS图像传感器。
固态摄像装置电子设备

[发明专利]光检测设备-CN202211480173.9在审
发明人：滝沢正明;坂野頼人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及光检测设备。该光检测设备可包括：第一基板，其包括第一光电二极管和第一衬垫；第二基板，所述第二基板包括第一电容器、第一放大晶体管和第二衬垫，其中，所述第一衬垫和所述第二衬垫彼此接合且电气连接，并且其中，所述第一电容器和所述第一放大晶体管通过所述第一衬垫和所述第二衬垫电连接到所述第一光电二极管。
检测设备

[发明专利]摄像装置-CN202211499738.8在审
发明人：滝沢正明;坂野頼人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种摄像装置，其包括光电转换元件；浮动扩散部，其连接至所述光电转换元件；转换效率切换晶体管，其连接至所述浮动扩散部；电容，其连接至所述转换效率切换晶体管；复位晶体管，其连接至所述转换效率切换晶体管；放大晶体管，其连接至所述浮动扩散部；以及选择晶体管，其连接至所述放大晶体管；其中，所述放大晶体管和所述选择晶体管沿第一方向设置，其中，所述复位晶体管和所述转换效率切换晶体管沿第二方向设置，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。本公开可以应用于例如背照式CMOS图像传感器。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN202211011274.1在审
发明人：中村良助;坂野頼人;铃木敦史 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-10-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的摄像装置包括：将第一光接收器件与第一电荷累积部彼此耦接的第一开关、将预定节点与所述第一电荷累积部彼此耦接的第二开关、将预定电压施加到所述预定节点的第三开关、将第二光接收器件与第二电荷累积部彼此耦接的第四开关、将所述第二电荷累积部与所述预定节点彼此耦接的第五开关、输出像素电压的输出部、驱动部以及确定第一至第四值的处理器。所述驱动部在第一时段中接通所述第二和第三开关并关断所述第一、第四和第五开关，在第二时段中关断所述第三开关并接通所述第五开关，在第三时段中开启所述第四开关，并在第四时段中关断第四开关。所述处理器基于所述第二和第四时段中的所述像素电压确定所述第三值。
摄像装置

[发明专利]固态成像装置-CN202210659513.8在审
发明人：饭田聡子;榊原雅树;坂野頼人;浅利直介;滝沢正明;朝妻智彦;古屋晶吾 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H04N5/347 文献下载
摘要：本发明涉及固态成像装置。固态成像装置可包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元包括多个像素；和像素驱动控制单元，所述像素驱动控制单元被构造成对所述多个像素中的至少一部分像素的曝光以像素为单位分别进行控制。本发明针对高速移动的被摄体或者光和暗的亮度差别很大的被摄体能够适当地扩大动态范围并且能够减少运动失真(运动伪影)。
固态成像装置

[发明专利]摄像装置和包括该摄像装置的电子设备-CN202210584878.9在审
发明人：豊福卓哉;坂野頼人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本发明提供一种摄像装置及包括该摄像装置的电子设备，其包括：第一光电转换区域，将入射光光电转换为电荷，并累积电荷；第二光电转换区域，将入射光光电转换为电荷，第一光电转换区域的面积大于第二光电转换区域的面积；浮动扩散区，累积通过第一和第二光电转换区域进行光电转换的电荷，以将电荷转换为电压；第一电荷传输晶体管，将累积在第一光电转换区域中的电荷传输到浮动扩散区域；第二电荷传输晶体管，将累积在第二光电转换区域中的电荷传输到浮动扩散区域；电荷复位晶体管，复位浮动扩散区域中累积的电荷；第一放电晶体管，释放累积在第一光电转换区域中的电荷；第二放电晶体管，释放累积在第二光电转换区域中的电荷。
摄像装置包括电子设备

[发明专利]摄像装置和摄像方法-CN201880064204.8有效
发明人：中村良助;坂野頼人;铃木敦史 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-10-02 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本公开的摄像装置包括：将第一光接收器件与第一电荷累积部彼此耦接的第一开关、将预定节点与所述第一电荷累积部彼此耦接的第二开关、将预定电压施加到所述预定节点的第三开关、将第二光接收器件与第二电荷累积部彼此耦接的第四开关、将所述第二电荷累积部与所述预定节点彼此耦接的第五开关、输出像素电压的输出部、驱动部以及确定第一至第四值的处理器。所述驱动部在第一时段中接通所述第二和第三开关并关断所述第一、第四和第五开关，在第二时段中关断所述第三开关并接通所述第五开关，在第三时段中开启所述第四开关，并在第四时段中关断第四开关。所述处理器基于所述第二和第四时段中的所述像素电压确定所述第三值。
摄像装置方法

[发明专利]固态成像装置和固态成像装置的控制方法以及电子设备-CN201880016205.5有效
发明人：饭田聡子;榊原雅树;坂野頼人;浅利直介;滝沢正明;朝妻智彦;古屋晶吾 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：本公开涉及针对高速移动的被摄体或者光和暗的亮度差别很大的被摄体能够适当地扩大动态范围并且能够减少运动失真(运动伪影)的固态成像装置、固态成像装置的控制方法以及电子设备。对多个像素的曝光以像素为单位分别进行控制。本公开可以适用于固态成像装置。
固态成像装置控制方法以及电子设备

[发明专利]固态摄像装置、固态摄像装置的驱动方法和电子设备-CN201780088009.4有效
发明人：豊福卓哉;坂野頼人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本发明的目的是为了抑制在固态摄像装置中从线性读取到对数读取的切换时刻的变化，并执行高精度读取。第一光电转换单元在第一区域中将入射光光电转换为电荷并存储电荷。第二光电转换单元在第二区域中将入射光光电转换为电荷并存储电荷，第二区域的面积小于第一区域的面积。电荷‑电压转换单元存储通过第一光电转换单元和第二光电转换单元进行光电转换得到的电荷，以将电荷转换为电压。第一电荷传输单元和第二电荷传输单元分别将第一光电转换单元中累积的电荷和第二光电转换单元中累积的电荷传输到电荷‑电压转换单元。电荷复位单元复位存储在电荷‑电压转换单元中的电荷。第一放电单元释放存储在第一光电转换单元中的电荷。
固态摄像装置驱动方法电子设备

[发明专利]固态成像装置和电子设备-CN201980073682.X在审
发明人：古屋晶吾;坂野頼人;高桥了;铃木笃;吉川良一;末永淳;古贺慎一;千叶洋平;塩山正真 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种具有适于高集成化的结构的固态成像装置。该固态成像装置包括半导体层、光电转换单元、存储电容器元件和第一晶体管。所述光电转换单元设置在所述半导体层上并且通过光电转换生成与接收到的光量相对应的电荷。所述存储电容器元件设置在所述半导体层上并且包括具有第一电膜厚度的第一绝缘膜。所述第一晶体管设置在所述半导体层上并且包括具有比所述第一电膜厚度更厚的第二电膜厚度的第二绝缘膜。
固态成像装置电子设备

[发明专利]固体摄像装置和电子设备-CN201980059165.7在审
发明人：滝沢正明;坂野頼人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明旨在实现单一曝光下的宽动态范围。根据本发明实施方案的固体摄像装置包括：第一基板(140)，其包括光电转换元件(101)；第二基板(150)，其位于所述第一基板的向所述光电转换元件入射光的入射面的相反侧，所述第二基板包括电容器(152)，所述电容器被构造成累积从所述光电转换元件传输过来的电荷。
固体摄像装置电子设备

[发明专利]固态成像装置及其制造方法和电子设备-CN201611255149.X有效
发明人： 坂野頼人;押山到;宫波勇树;武田健 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供一种固态成像装置及其制造方法和电子设备。该固态成像装置包括像素阵列部，在该像素阵列部中多个单元像素布置在半导体基板上，该多个单元像素的每个包括基于接收的光量产生且累积光电荷的光电转换部和累积该光电荷的电荷累积部，其中靠近光进入该电荷累积部的单元像素的入射侧的电极的至少一部分由用作遮光膜的金属膜形成。
固态成像装置及其制造方法电子设备

[发明专利]固态图像传感器、信号处理方法以及电子装置-CN201310016248.2有效
发明人： 坂野頼人 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H04N5/359 文献下载
摘要：本发明涉及一种固态图像传感器，包括多个像素，每个像素至少包括接收光线以便生成电荷的光接收部件、传送在所述光接收部件中累积的电荷的传送部件以及保持经由所述传送部件传送来的电荷的存储部件；以及由所述多个像素共享的预定数量的元件。所述预定数量的元件以对应于所述电荷的电平输出像素信号，所述多个像素中的一个或多个为输出校正像素信号的校正像素，所述校正像素信号校正从除了所述多个像素中的一个或多个之外的像素输出的像素信号，并且所述预定数量的元件中的一个或多个形成于在所述校正像素中包括的所述光接收部件的布线层侧上。
固态图像传感器信号处理方法以及电子装置

[发明专利]摄像装置和信号处理装置-CN201880002008.8在审
发明人：小木纯;田代睦聡;豊岛隆寛;坂野頼人;大池祐辅;朱弘博;中泽圭一;武谷佑花里;奥山敦;三好康史;松本良辅;堀内淳 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：[目的]为了实现像素的小型化、噪声的减小和高量子效率，以及在抑制像素间干扰和各像素差异的同时提高短波灵敏度。[方案]根据本发明，提出一种摄像装置，其包括：第一半导体层，其形成在半导体基板上；第二半导体层，其形成在第一半导体层上且具有与第一半导体层的导电类型相反的导电类型；像素分隔部，其限定包括第一半导体层和第二半导体层的像素区域；第一电极，其从半导体基板的一个表面侧连接至第一半导体层；和第二电极，其从作为半导体基板的另一表面的光照射面侧连接至第二半导体层，并且被形成为与像素分隔单元的位置对应。
半导体层像素半导体基板导电类型摄像装置侧连接信号处理装置高量子效率第二电极第一电极分隔单元光照射面像素差异像素区域分隔部灵敏度短波减小噪声

[发明专利]固态成像装置及其制造方法和电子设备-CN201310028975.0有效
发明人： 坂野頼人;押山到;宫波勇树;武田健 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供一种固态成像装置及其制造方法和电子设备。该固态成像装置包括像素阵列部，在该像素阵列部中多个单元像素布置在半导体基板上，该多个单元像素的每个包括基于接收的光量产生且累积光电荷的光电转换部和累积该光电荷的电荷累积部，其中靠近光进入该电荷累积部的单元像素的入射侧的电极的至少一部分由用作遮光膜的金属膜形成。
固态成像装置及其制造方法电子设备

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