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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有互补单元结构的差分放大器-CN201880083615.1在审
发明人： R·卡马克;范斌 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本公开的某些方面通常涉及一种使用互补金属氧化物半导体(CMOS)结构实现的差分放大器。该差分放大器通常包括第一对晶体管和耦合到第一对晶体管的第二对晶体管。第一对晶体管的栅极和第二对晶体管的栅极可以被耦合到差分放大器的相应差分输入节点，并且第一对晶体管的漏极和第二对晶体管的漏极可以被耦合到差分放大器的相应差分输出节点。在某些方面中，差分放大器可以包括偏置晶体管，该偏置晶体管具有被耦合到第一对晶体管中的一个晶体管的源极的漏极，并且该偏置晶体管具有耦合到差分放大器的共模反馈(CMFB)路径的栅极。
具有互补单元结构差分放大器

[发明专利]功率放大器、功率放大电路、及放大方法-CN200810128846.8有效
发明人：王柏之 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种功率放大器、功率放大电路、及放大方法。该功率放大器，包括：第一晶体管，配置成从栅极端接收要放大的射频输入信号；第二晶体管，配置成与第一晶体管相串迭(cascode)，第二晶体管的源极端与第一晶体管的漏极端串联，以及，第二晶体管的漏极端输出一放大信号；及动态偏压电路，具有二输入端，一输入端接收输入信号，另一输入端耦合接至第一晶体管的漏极端，及具有输出端以耦接至第二晶体管的栅极端，藉以调制第一晶体管的漏极端的电压。
功率放大器功率放大电路方法

[发明专利]宽带放大器-CN200610143146.7无效
发明人：柳载永;姜贤求;金大渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-01 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种在宽频带范围内获得阻抗匹配的放大器。该宽带放大器包括：第一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，接收输入信号；第二NMOS晶体管，缓冲由第一NMOS晶体管放大的信号；第三NMOS晶体管，放大从第一NMOS晶体管的源供给的信号；输出端，输出通过将第二NMOS晶体管缓冲的信号和第三NMOS晶体管放大的信号组合而获得的信号。
宽带放大器

[发明专利]一种晶体管等效跨导提高放大器电路及芯片-CN202010116324.7有效
发明人：徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管等效跨导提高放大器电路，涉及放大电路，主要解决的是现有放大器增益低的技术问题，所述电路包括驱动晶体管、负载晶体管、反馈网络和辅助晶体管，电源连接所述负载晶体管的漏极和栅极，所述驱动晶体管的栅极连接输入端，所述驱动晶体管的源极、辅助晶体管的源极共地连接，所述负载晶体管的源极连接所述驱动晶体管的漏极和辅助晶体管的漏极，所述辅助晶体管的栅极通过所述反馈网络连接所述负载晶体管的源极和输出端。本发明还公开了一种晶体管等效跨导提高放大器芯片。本发明可以有效提高增益。
一种晶体管等效提高放大器电路芯片

[发明专利]麦克风放大器电路-CN201610572882.8有效
发明人：韩冬;蔡东记 -专利权人：瑞声声学科技（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种麦克风放大器电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、二极管和电阻，所述第一晶体管的栅极作为所述麦克风放大器电路的输入端，所述第二晶体管的源极作为所述麦克风放大器电路的输出端。所述第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管和所述电阻形成偏置电路，用于产生偏置电流，为作为源跟随器的所述第一晶体管M₁和所述第二晶体管M₂提供所需电流，所述第二晶体管M₂采用深N井(Deep N Well)的NMOS晶体管产生背栅效应。与相关技术相比，本发明的麦克风放大器电路具有电流消耗小和SNR高的优点。
麦克风放大器电路

[发明专利]一种放大器及放大装置-CN201980091191.8在审
发明人：王国瑞;杨帆;力争;王晨;张福泉;李红云 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一种放大器及放大装置，用以在提高放大器的线性度的同时，减小放大器的增益和功耗波动。放大器包括：至少一个第一增益电路，用于放大第一信号；每个第一增益电路包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的沟道处于强反型状态，第二晶体管的沟道处于弱反型状态；至少一个第二增益电路，用于放大第二信号；每个第二增益电路包括第三晶体管和第四晶体管；第三晶体管的沟道处于强反型状态，第四晶体管的沟道处于弱反型状态；第一信号和第二信号构成差分信号。其中，第一晶体管和第三晶体管的栅极偏置电压为第一电压，第二晶体管和第四晶体管的栅极偏置电压为第二电压。
一种放大器放大装置

[发明专利]功率放大模块-CN201610548247.6有效
发明人：石原翔太;岛宗祐介;曾我高志;森泽文雅;小野生幸;安达徹朗 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明提供进行发送信号的斜率控制的功率放大模块，对电路规模的增大进行抑制。功率放大模块包括：放大用晶体管，将恒定的电源电压提供给该放大用晶体管的集电极，并将偏置电流提供给该放大用晶体管的基极，所述放大用晶体管将输入基极的输入信号进行放大并从集电极输出放大信号；第一电流源，该第一电流源输出与用于控制放大信号的信号电平的电平控制电压相应的第一电流；以及偏置用晶体管，将第一电流提供给该偏置用晶体管的集电极，将偏置控制电压连接至该偏置用晶体管的基极，并从该偏置用晶体管的发射极输出偏置电流。
功率放大模块

[发明专利]功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法-CN201110343752.4无效
发明人：杨洪文;阎跃鹏;刘宇辙;张韧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明属于功率放大器技术领域，具体公开了一种功率放大晶体管电路及提高其稳定性的方法，其中功率放大晶体管电路包括一个功率放大晶体管(T1)和一个连接于功率放大晶体管基极的稳定电路(5)，稳定电路(5)由一射频输入通路和一直流输入通路并联而成，射频输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的电学稳定性，直流输入通路用于改善功率放大晶体管(T1)的热稳定性。本发明解决了同时优化满足功率放大晶体管的热稳定性和电学稳定性的技术问题，能实现良好的功率放大晶体管设计。
功率放大晶体管电路提高稳定性方法

[发明专利]具有线性度补偿机制的可变增益放大电路及方法-CN202210096920.2在审
发明人：张洋;张家润 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：一种具有线性度补偿机制的可变增益放大电路。放大电路中的下半支路的下半放大晶体管受控于交流输入信号，上半支路包含的上半放大晶体管由放大输出端产生交流输出信号。放大控制电路根据放大控制电压控制上半放大晶体管的导通与关闭，电感电性耦接于电源供应端及放大输出端之间。在增益调整电路中，调整控制电路各自根据调整控制电压控制调整晶体管的导通与关闭，第一电压调整电路调整各调整晶体管的阻抗，进而调整下半放大晶体管及上半放大晶体管间的交流跨压相对关系。
具有线性补偿机制可变增益放大电路方法

[实用新型]低失配运算放大器、带隙基准电路以及芯片-CN202123346511.3有效
发明人：尚鹏飞;郭嘉帅 -专利权人：深圳飞骧科技股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种低失配运算放大器，其包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第一电阻以及第二电阻本实用新型的低失配运算放大器通过第一电阻和第二电阻替代相关技术的运算放大器的晶体管，并对分别与第一电阻和第二电阻连接的器件和偏置电路做调整。该电路因为利用第一电阻和第二电阻的电阻匹配特性优于晶体管的特性，及在偏置电路中的灵活性的特性，有效的减小了运算放大器的失配。本实用新型实施例还提供了一种应用该低失配运算放大器的带隙基准电路和低失配运算放大器芯片。采用本实用新型的技术方案，其运算放大器失配低。
失配运算放大器基准电路以及芯片

[发明专利]差分放大器和电子设备-CN201510100449.X在审
发明人：候兴江;胡江涛;杨澄思;朱欣恩;卢煜旻 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本申请提供一种差分放大器和电子设备，该差分放大器包括：负载电阻对；至少两个差分放大单元，每个差分放大单元连接所述负载电阻对的一端，且所述负载电阻对的另一端与电源相连并且，所有差分放大单元的输入端连接在一起每一个差分放大单元包括：放大晶体管对，其能够连接负载电阻对，具有第一放大晶体管和第二放大晶体管，并且，第一放大晶体管和第二放大晶体管相同；尾电流源，其用于接收第一放大晶体管的电流和第二放大晶体管的电流；负反馈电阻对，位于第一放大晶体管与尾电流源之间的第一负反馈电阻，以及位于第二放大晶体管与尾电流源之间的第二负反馈电阻，且两个电阻的阻值相同。
差分放大器电子设备

[发明专利]低噪声放大器及其操作方法-CN202211188794.X在审
发明人：成洛昀;全贤求 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：提供一种低噪声放大器及其操作方法。所述低噪声放大器包括：第一晶体管，被配置为放大输入信号；第二晶体管，与所述第一晶体管形成水平级联结构并且被配置为放大所述第一晶体管的输出信号；以及第三晶体管，与所述第一晶体管一起形成垂直级联结构并且被配置为放大所述第一晶体管的所述输出信号，其中，包括所述第二晶体管的输出信号与所述第三晶体管的输出信号之和的第一信号被输出到输出端子。
低噪声放大器及其操作方法

[发明专利]功率放大电路-CN202010583567.1在审
发明人：曾我高志 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：提供一种功率放大电路，能够对伴随着输入功率的增大的线性劣化进行抑制。功率放大电路，具备：放大晶体管，其对输入信号进行放大；电阻元件，其与放大晶体管的基极串联连接；偏置晶体管，其从发射极或者源极经过电阻元件将偏置电流供给到放大晶体管的基极；以及反馈电路，其使偏置晶体管的基极电压或者栅极电压变动，以便追随于被供给到放大晶体管的基极的偏置电流的变动。
功率放大电路

[发明专利]电流检测电路和包括该电流检测电路的DCDC转换器-CN201710173365.8有效
发明人：田岛英幸 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：根据实施例，电流检测电路包括晶体管、运算放大器和晶体管。在晶体管中，将源极和栅极耦合到被设置在驱动电路的高侧的晶体管的源极和栅极。运算放大器对晶体管的漏极电压和晶体管的漏极电压之间的电位差进行放大。将晶体管设置在流过晶体管的电流所流过的电流路径上，并且晶体管具有被提供有运算放大器的输出电压的栅极。基于流过晶体管的电流的值来检测流过晶体管的电流的值。
电流检测电路包括 dcdc 转换器

[发明专利]一种可调恒流源-CN201210121338.3无效
发明人：李泽宏;黄斌;张仁辉;吴明进;任敏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调恒流源，包括：基准电压单元、PWM单元、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管，第一电阻单元、第二电阻单元，第一放大器和第二放大器，功率晶体管和检测电阻单元功率晶体管和检测电阻单元构成基本的恒流核心单元；通过第二放大器将检测电阻单元上与电流对应的电压放大；第一放大器将第二放大器的输出电压与参考电压比较，误差电压被放大后，驱动功率晶体管的栅极电压；基准电压单元为第一放大器提供所需的参考电压
一种可调恒流源

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