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[发明专利]基于硼锗共掺上包层的二氧化硅光波导器件及制备方法-CN201010195943.6有效
发明人：何建军;林旭峰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硼锗共掺上包层的二氧化硅光波导器件及制备方法。在基底上沉积二氧化硅下包层，在下包层上表面沉积掺杂锗的二氧化硅薄膜后，通过光刻、刻蚀工艺形成截面为方形的波导芯层；在二氧化硅下包层与波导芯层上面沉积一层掺有硼和锗两种元素的二氧化硅上包层，上包层和芯层波导结构之间不存在空隙在硼锗共掺的二氧化硅上包层沉积后进行高温热退火工艺，低熔点的上包层薄膜会回流进入相邻波导芯层中的间隙，这样就能在后续沉积膜层中减少遮蔽效应的作用，实现波导间空隙的完全填充，降低器件损耗。本发明的基于硼锗共掺上包层的二氧化硅波导器件结构，可广泛应用于分路器、耦合器和阵列波导光栅等高纵横比波导结构的器件。
基于硼锗共掺上包层二氧化硅波导器件制备方法

[实用新型]光纤-CN201822100675.X有效
发明人：汤明明;钱宜刚;沈一春;何亮;秦钰;吴椿烽 -专利权人：中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光纤，涉及光通信技术领域，其中光纤包括由内而外依次包括单掺锗二氧化硅芯层、隔断层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层，所述隔断层用于防止单掺锗二氧化硅芯层中锗和单掺氟二氧化硅光学包层中氟相互扩散；其中所述单掺氟二氧化硅光学包层分为三层，从内到外依次为浅掺氟层、主掺氟层及辅掺氟层，所述浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于所述主掺氟层的折射率。通过隔断层的设置减少了掺杂元素的迁移导致的折射率的抵消，且通过单掺氟二氧化硅光学包层的分层设置，使SiO₂内掺氟的量在半径方向有一个浓度逐渐变化的过程，这种变化的过程可以使光纤截面粘度沿半径方向呈逐渐变化的趋势
掺氟层掺氟二氧化硅光学包层隔断层折射率掺锗二氧化硅逐渐变化光纤芯层低弯曲损耗光纤光通信技术领域本实用新型掺杂元素分层设置光纤截面低损耗外包层三层抵消迁移扩散

[发明专利]光纤及其制备方法-CN201811527691.5在审
发明人：汤明明;钱宜刚;沈一春;何亮;秦钰;吴椿烽 -专利权人：中天科技精密材料有限公司;江苏中天科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明提供了一种光纤及其制备方法，涉及光通信技术领域，其中光纤包括由内而外依次包括单掺锗二氧化硅芯层、隔断层、单掺氟二氧化硅光学包层及外包层，所述隔断层用于防止单掺锗二氧化硅芯层中锗和单掺氟二氧化硅光学包层中氟相互扩散；其中所述单掺氟二氧化硅光学包层分为三层，从内到外依次为浅掺氟层、主掺氟层及辅掺氟层，所述浅掺氟层及辅掺氟层的折射率均大于所述主掺氟层的折射率。通过单掺氟二氧化硅光学包层的分层设置，使SiO2内掺氟的量在半径方向有一个浓度逐渐变化的过程，这种变化的过程可以使光纤截面粘度沿半径方向呈逐渐变化的趋势，这种结构可以在得到光纤低宏弯损耗的情况下降低光纤应力的产生
光纤及其制备方法

[发明专利]一种有机无机混合集成的可变光衰减器及其制备方法-CN202111438405.X在审
发明人：丁颖智;尹悦鑫;许馨如;姚梦可;梁佳琦;吕昕雨;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种有机无机混合集成的可变光衰减器及其制备方法，属于平板光波导器件及其制备技术领域，由硅衬底、二氧化硅下包层、条形结构的掺锗的二氧化硅输入波导和掺锗的二氧化硅输出波导、基于垂直MMI结构的层间转换器、掺硼和磷的二氧化硅上包层、1×1马赫曾德热光开关、聚合物上包层和加热电极组成，输入波导和输出波导的折射率大于二氧化硅上包层的折射率。结构紧凑，以聚合物热光开关型VOA器件取代了传统无机PLC的VOA器件，实现了光从下层无机波导向上层聚合物波导的传输，本发明高效率地调节光传输功率，器件功耗低，实现了有机无机光子器件的单片集成，与现有二氧化硅
一种有机无机混合集成可变衰减器及其制备方法

[发明专利]含稀土氟化物的玻璃-CN00807481.X无效
发明人：魏怀亮 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2000-03-09 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本方法提供一种通过溶液化学方法将稀土氟化物嵌入二氧化硅(或掺有氧化锗的二氧化硅)玻璃的新方法。将稀土氟化物嵌入二氧化硅(或掺有氧化锗的二氧化硅)玻璃的方法包括下述步骤。第一步是用OVD法形成多孔二氧化硅芯子预制品。第二步是将该预制品浸在稀土离子水溶液中。第三步是从溶液中取出预制品并清洗预制品的外表面。第四步是将预制品浸在氟化剂水溶液中,氟化剂如氟化氢铵、HF或KF。
稀土氟化物玻璃

[发明专利]一种有机无机混合集成的聚合物温度传感器及其制备方法-CN202110842630.3有效
发明人：姚梦可;尹悦鑫;李悦;丁颖智;许馨如;曹至庚;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01D5/353 文献下载
摘要：由硅衬底、在硅衬底上制备的二氧化硅下包层、在二氧化硅下包层上制备的掺锗的二氧化硅芯层波导、在二氧化硅下包层上制备的掺硼和磷的二氧化硅上包层、在掺硼和磷的二氧化硅上包层上制备的聚合物芯层波导、在掺硼和磷的二氧化硅上包层上及聚合物芯层波导上制备的聚合物包层组成当温度发生变化时，二氧化硅的热光系数为正，聚合物的热光系数为负，二氧化硅芯层的折射率会增大，聚合物芯层的折射率会减小，折射率的改变会使得原本的相位差进一步发生变化，使得谐振峰的位置发生变化。
一种有机无机混合集成聚合物温度传感器及其制备方法

[发明专利]光纤-CN202010340222.3有效
发明人：曹珊珊;刘志忠;沈一春;蒋新力;王震;徐海涛;钱宜刚;薛驰;苏海燕 -专利权人：中天科技光纤有限公司;江苏中天科技股份有限公司;江东科技有限公司;中天科技精密材料有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明提供的一种光纤，从内到外依次包括芯层、缓冲包层、凹陷包层、深掺氟层、外包层及涂层，所述芯层为相对于二氧化硅的折射率差为0.37～0.5％的掺锗二氧化硅；所述缓冲包层的折射率为渐变结构，其与所述芯层接触的内界面处折射率相对于二氧化硅的折射率差为‑0.05～0.1％，与所述凹陷包层接触的外界面处折射率和所述凹陷包层的折射率相等；所述凹陷包层相对于二氧化硅的折射率差为‑0.12～‑0.2％；所述深掺氟层相对于二氧化硅的折射率差为‑0.3～‑0.5％；所述外包层为二氧化硅，所述涂层涂覆在所述外包层外。
光纤

[发明专利]一种抗弯曲单模光纤及其制备方法-CN201810798627.4在审
发明人：邢应朋;李强;殷国亮;王晓娟;王骏杰;顾菊香;王怀童;张云朋;许永 -专利权人：江苏南方光纤科技有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G02B6/036 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗弯曲单模光纤及其制备方法，主要解决的技术问题是现有技术中单模光纤弯曲附加损耗大，并且在室内的断裂概率高的问题，本发明通过一种抗弯曲单模光纤，包括由内而外依次设置的芯层、内包层、环沟层和外包层，所述芯层采用掺锗的二氧化硅，所述内包层采用纯二氧化硅，所述环沟层采用掺氟的二氧化硅，所述外包层采用纯二氧化硅的技术方案，较好地解决了该问题，可用于单模光纤。
单模光纤抗弯曲纯二氧化硅二氧化硅内包层外包层环沟芯层制备弯曲附加损耗断裂概率依次设置掺氟掺锗可用室内

[发明专利]一种二氧化硅表面与硅表面低温键合方法-CN202211503579.4在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种二氧化硅表面与硅表面低温键合方法。所述二氧化硅表面与硅表面低温键合方法包括步骤1、在滤波器晶圆的片上形成二氧化硅层，并获取所述二氧化硅层的厚度，根据所述二氧化硅层的厚度设置锗薄膜的厚度；步骤2、按照所述锗薄膜的厚度在产品片的二氧化硅层上进行分多次溅射沉积处理生成锗薄膜，形成带有锗薄膜的产品片；步骤3、将所述带有锗薄膜的产品片与硅片进行键合处理。
一种二氧化硅表面低温方法

[发明专利]一种低损耗单模光纤及其拉丝工艺-CN201810798585.4有效
发明人：许永;王怀童;李强;邢应朋;殷国亮 -专利权人：江苏南方光纤科技有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗单模光纤及其拉丝工艺，主要解决的技术问题是现有技术中单模光纤的强度低、内应力大的问题，本发明通过一种低损耗单模光纤，其特征在于，包括由内而外依次设置的芯层、内包层和外包层，所述芯层采用掺锗的二氧化硅，所述内包层采用掺氟的二氧化硅，所述外包层采用二氧化硅，所述内包层具有凹陷的剖面结构的技术方案，较好地解决了该问题，可用于光纤。
一种损耗单模光纤及其拉丝工艺

[发明专利]硅基硅/锗纳米晶粒的制备方法-CN200610119192.3有效
发明人：沈今楷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基硅/锗纳米晶粒的制备方法，包括步骤：制备二氧化硅过饱和磷酸溶液；将硅衬底浸润到二氧化硅过饱和磷酸溶液中，二氧化硅在硅衬底表面析出形成二氧化硅颗粒；将硅离子或锗离子注入到二氧化硅颗粒中；退火形成硅/锗纳米晶粒。本发明的硅基硅/锗纳米晶粒的制备方法，显著缩小了硅/锗纳米晶粒的尺寸，有效改善了纳米晶粒的尺寸均匀性，且提高了制备效率。
硅基硅纳米晶粒制备方法

[发明专利]一种二氧化硅界面沉积锗材料与硅片键合的方法-CN202211503580.7在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：深圳新声半导体有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种二氧化硅界面沉积锗材料与硅片键合的方法。所述方法包括：步骤1、在滤波器晶圆的片上形成二氧化硅层，形成带有二氧化硅层的产品片；步骤2、对带有二氧化硅层的产品片进行清洗，并清洗后的产品片进行溅射沉积处理，在产品片二氧化硅层上生成锗薄膜，形成带有锗薄膜的产品片；步骤3、将所述带有锗薄膜的产品片与硅片进行键合处理，完成带有锗薄膜的产品片与硅片的键合。
一种二氧化硅界面沉积材料硅片方法

[发明专利]具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法-CN201510394479.6在审
发明人：刘智;成步文;何超;李传波;薛春来;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：一种具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器，包括：一SOI衬底；一二氧化硅层，其制作在SOI层的n型顶层硅上，该二氧化硅层刻蚀有二氧化硅光栅，该二氧化硅光栅为一圆形或矩形结构，在二氧化硅光栅的空隙处制作有本征锗层，在本征锗层上制作有p型锗层，形成基片，所述二氧化硅光栅、本征锗层和p型锗层构成锗/二氧化硅亚波长光栅；n电极，其制作在SOI衬底的n型顶层硅上；p电极，其制作在p型锗层上；一抗反射绝缘介质层，其制作在基片的上表面本发明可以解决面入射硅基锗光电探测器目前存在的暗电流密度偏大，以及响应度和带宽之间相互制约的问题。
具有波长光栅结构入射硅基锗光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种低衰减环形纤芯光纤-CN201910527466.X有效
发明人：罗文勇;杜城;何茂友;柯一礼;伍淑坚;李伟;余志强;朱侨;曾凡球 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;锐光信通科技有限公司;新疆烽火光通信有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：该光纤由内至外依次包括内石英包层、环形纤芯和外石英包层，其中，内石英包层和外石英包层均由掺钾、锂或硼的二氧化硅组成，环形纤芯由仅掺锗或者锗钾、锗锂共掺的二氧化硅组成；内石英包层的折射率与外石英包层的折射率相等该光纤还包括位于内石英包层与环形纤芯之间的内下凹石英包层以及位于环形纤芯与外石英包层之间的外下凹石英包层；内下凹石英包层和外下凹石英包层均由仅掺氟或者氟钾、氟锂共掺的二氧化硅组成，内下凹石英包层的折射率与外下凹石英包层的折射率相等
一种衰减环形光纤

[发明专利]一种具有横向磁光效应的二氧化硅基磁光条形光波导-CN202011529130.6在审
发明人：郝寅雷;牛梦华;邓鑫宸;车录锋;杨建义 -专利权人：浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有横向磁光效应的二氧化硅基磁光条形光波导，在光学晶片上采用微细加工工艺形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形二氧化硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形二氧化硅芯部与波导下包层之间的条形掺锗二氧化硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形二氧化硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在光学晶片上的二氧化硅层中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现二氧化硅基磁光非互易条形光波导的制作。
一种具有横向磁光效应二氧化硅基磁光条形波导

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