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[发明专利]一种曝光方法及装置-CN202210209414.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：上海度宁科技有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种曝光方法及装置，其中所述曝光装置包括光源、照明系统、支架系统、掩模台、扫描运动台、物镜系统以及切换运动台，所述切换运动台用于实现硅片与掩模版之间相对位置的改变，以实现曝光场位置的切换。本发明通过设置切换运动台可以实现硅片与掩模版之间相对位置的改变，同时采用倍率为1：1的物镜，进而可以满足掩模图形小于硅片尺寸的情况下进行投影曝光，由于采用了比硅片或基板尺寸更小的掩模版，有效减少了设备的使用成本
一种曝光方法装置

[发明专利]光学邻近修正方法-CN200710037441.9有效
发明人：王谨恒 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-02-12 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供布局主图形；在相邻的布局主图形的间隙中形成散射条辅助图形；对散射条辅助图形的最小尺寸减去曝光机的偏移量进行修正。本发明还提供一种掩模版、其形成方法以及图形化方法。本发明通过对设计的散射条辅助图形的最小尺寸减去曝光机的偏移量进行修正，使得转移至掩模版上的散射条辅助图形的尺寸与设计尺寸之间差异减小至零，防止散射条辅助图形最小尺寸的缩小甚至缺失，保证了足够大的曝光工艺窗口
光学邻近修正方法

[发明专利]一种基于二进制网格索引结构的填充方法及填充框架-CN202310898490.0在审
发明人：王学香;揭志丹;郝雨葳;施冉韬;刘昊;曹鹏;杨军 -专利权人：东南大学苏州研究院
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提出一种基于二进制网格索引结构的填充方法及填充框架，根据芯片版图的文件内容抽取版图文件的图形信息，将图形元素按照设定的规则进行编码，使得每一个元素用一个唯一的编号来表示；然后将芯片版图中的图形元素及其位置信息按照二进制网格索引方式进行组织，结合计算机移位操作的原理，将版图划分为步长为2的整数幂的子版图区域，接着创建二维数组和链表结构存储版图图形元素；在此索引结构基础上再进行冗余金属填充，对大规模版图进行版图切割和曼哈顿多边形分解，同时对版图的可填充区域进行提取；使用密度中值法和模拟退火算法进行版图的目标密度规划；最后使用填充结构体结合最大矩形提取算法，对版图可填充区域迭代插入填充。
一种基于二进制网格索引结构填充方法框架

[发明专利]一种材料填充保护光刻掩模及其制备方法-CN202210701458.4在审
发明人：罗先刚;罗云飞;刘凯鹏;牟帅;谷雨;赵泽宇 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种材料填充保护光刻掩模的制备方法，包括：S1，在掩模基底上沉积光刻掩模材料，制备掩模图形结构；S2，向掩模图形结构中填充透明介质材料；S3，对S2中所得掩模进行退火处理；S4，对S3中所得掩模的表面进行化学机械抛光，以显露出掩模图形结构，得到材料填充保护的光刻掩模。本公开通过在接触式光刻掩模图形加工过程中对掩模图形结构进行材料填充，增大掩模图形结构与感光材料之间的接触面积与强度，从而有效提升接触式光刻掩模版的使用寿命，同时降低了掩模加工成本，拓展了接触式光刻技术的应用范围
一种材料填充保护光刻及其制备方法

[发明专利]光学近距修正、光掩模版制作及图形化方法-CN200710094469.6有效
发明人：张飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种光学近距修正方法，包括：在相邻布局电路图形之间形成至少一个平行于布局电路图形的布局辅助图形，所述布局辅助图形的临界尺寸与布局电路图形一致；调整布局辅助图形的光强值，使光强值大于光强阈值；确定后续将布局辅助图形转移至光掩模版上光介质层的厚度本发明还提供光掩模版制作及图形化方法。本发明使器件半密集区及器件孤立区的电路图形与器件密集区的电路图形的临界尺寸趋于一致，并且布局辅助图形不在晶圆上成像。
光学近距修正模版制作图形方法

[发明专利]一种无损、高精度掩模图形的分层提取方法-CN201910225365.7在审
发明人：张鹏;魏晓群;华卫群;丁鼎 -专利权人：无锡中微掩模电子有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明一种无损、高精度掩模图形的分层提取方法，读取灰度掩模图片时，将灰度空间设定相应的阈值GTH，将符合条件的像素点归一化灰度值为1，不符合条件的像素点归一化灰度值为0：将不同灰度的二进制文件转成GDSII版图数据格式时选择打平命令将其层次化设计的单元打平，打平后的总图包含了所有需要制作图层的同一层次上的图形。对转化成的GDSII版图数据格式进行评价，至少包含转换是否正确、图层是否清晰和是否有缺陷的评价。本发明的无损、高精度掩模图形的分层提取方法可以将含有灰阶信息的BMP图片进行分层提取处理成GDS格式图片，用于套刻；可以将多层套刻图形处理成灰度掩模图形，用于灰度掩模光刻；减少了处理工作量，提高图形质量
分层灰度掩模掩模图形灰度无损版图数据符合条件归一化像素点套刻图层读取层次化设计二进制文件灰度空间灰阶信息提取处理图形处理多层光刻工作量图片转换清晰制作转化

[发明专利]添加亚分辨率辅助图形的方法及该方法的应用-CN201810552404.X有效
发明人：左晔华;韦亚一;刘艳松;董立松 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种添加亚分辨率辅助图形的方法及该方法的应用。该方法包括以下步骤：S1，从原始版图中截取具有周期结构的图形，得到待修正版图；S2，将待修正版图通过反向光刻技术进行修正，得到修正后版图，修正后版图包括符合成像要求的主图形和辅助图形；S3，将主图形和辅助图形分离，并将辅助图形加入原始版图中进行基于模型的光学邻近修正。上述方法改变了在光学邻近修正工作中添加亚分辨率辅助图形的方式和使用的软件工具，可以有效缩短周期版图添加亚分辨率辅助图形的时间周期，不需要设计专门的测试掩模和经过多次图形摆放的测算，也不需要进行多次曝光测试
添加分辨率辅助图形方法应用

[发明专利]反射型掩模基板及制备方法、反射型掩模版及制备方法-CN202210780838.1在审
发明人：季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种反射型掩模基板及制备方法、反射型掩模版及制备方法。该反射型掩模基板和反射型掩模版中，利用反射堆叠层内的离子注入区界定出相移区的相移图案，消除了以传统方式形成相移图案时产生的凸起的相移膜层结构，有效解决了因凸起的相移膜层结构引起的阴影效应而导致图案偏移的问题并且，本发明提供的反射型掩模版的制备方法，其相应的利用离子注入的方式形成具有相移图案的离子注入区，不仅可以实现工艺简化，并且工艺精度更高，有利于提高最终界定出的相移掩模图案的图形精度。
反射型掩模基板制备方法模版

[发明专利]光刻掩模版-CN201810271251.1有效
发明人：官锡俊 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻掩模版，涉及半导体制造设备。该光刻掩模版包括掩模版本体和热收缩材料；掩模版本体包括第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面，第一侧面和第二侧面位于X轴方向上，且第一侧面与第二侧面相对，构成第一两相对侧面，第三侧面和第四侧面位于Y轴方向上，且第三侧面与第四侧面相对，构成第二两相对侧面，X轴方向与Y轴方向成一定角度，且第一两相对侧面或第二两相对侧面上设置热收缩材料；以改善掩膜版本体因受热温度升高而导致的光刻掩模版上的图形产生的形变及位移的问题
光刻模版

[实用新型]组合掩模版-CN201921882973.7有效
发明人：巫奉伦;王嘉鸿;夏忠平;黄建维 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种组合掩模版。通过组合使用第一掩模版和第二掩模版，以界定出对位标记的图形，从而使得所形成的对位标记的结构更为复杂且精度更高，进而基于该对位标记执行光刻工艺时，即有利于提高光刻工艺的对准精度，减小光刻工艺的对位偏差。
组合模版

[发明专利]半色调模版及其制造方法和设备-CN97104203.9无效
发明人：海因茨·蒙格纳斯特 -专利权人：库夫施泰因模板技术股份公司
申请日： 1997-04-18 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： B41C1/14 文献下载
摘要：在半色调模版(1)的制造过程中，为了形成模版图案(3)，在基本模版元件的预定模版图案区域(2)内雕刻一模版图案孔结构。另外，在基本模版元件上雕刻多个均匀一致的基准孔结构(4)，每一基准孔结构(4)的渗透度均不同且位于模版图案区域(2)的外侧。在后续的印刷过程中，这些基准孔结构用于生成印刷图案，且其中一部分用于评估模版图案印刷的质量或色彩真实度。
色调模版及其制造方法设备

[发明专利]刻蚀仿真方法-CN202210917157.5在审
发明人：卢俊勇 -专利权人：先进半导体材料（安徽）有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：进行若干次增量迭代处理，获取刻蚀概率阈值的值、以及t组参数组的值；将t组参数组的值代入初始刻蚀概率卷积模型，形成刻蚀概率卷积模型；基于刻蚀概率卷积模型和刻蚀概率阈值的值，构建二维刻蚀仿真模型；通过二维刻蚀仿真模型对待仿真掩模版图进行刻蚀仿真处理，获取待仿真掩模版图的仿真刻蚀轮廓数据。
刻蚀仿真方法

[发明专利]一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法-CN94103513.1无效
发明人：高士平;孙宝银;程秀玲 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 1994-04-19 - 公布日： 1995-10-25 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法，涉及一种制作含有深亚微米金吸体图形的X光光刻掩模的方法，特别是涉及一种在掩模基片上制作三层结构，通过特殊设计的常规光刻掩模版的套准光刻和垂直定向刻蚀，采用常规电镀和在图形侧面覆盖金膜相结合的混合技术，制备含有深亚微米线宽的金吸收体图形的X光光刻掩模的方法。
一种混合技术制作光刻方法

[发明专利]校正布局图形的方法-CN201210113407.6有效
发明人：张婉娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种校正布局图形的方法，包括：提供包括多个第一孔图形的第一布局图形；在所述第一孔图形中形成辅助图形，获得第二布局图形，所述辅助图形的尺寸小于光刻过程中的曝光分辨率；对所述第二布局图形进行光学邻近校正，获得第一修正图形，所述第一修正图形包括第一孔修正图形和辅助修正图形；模拟所述第一修正图形获得实际图形，所述实际图形与所述第一布局图形之间的边缘位置误差在预定范围之内。本技术方案可以解决在对孔图形进行光学邻近校正时，由于掩模版尺寸限制，形成在掩模版上的修正图形的边缘位置误差超出预定范围的问题。
校正布局图形方法

[发明专利]掩模板的参数分析方法及装置-CN202010141623.6有效
发明人：祖江娇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种掩模板的参数分析方法及装置，通过获取至少一个掩模图形的检测参数，且该检测参数包括采用掩模板制备的掩模图形中各对位标记的测量坐标与该掩模图形的版图中各对位标记的预设坐标之间的偏差坐标；根据检测参数，获取掩模图形中各对位标记的偏差坐标的偏差向量的方向和向量长度，并由掩模图形中各对位标记的偏差向量的方向和向量长度，生成掩模板的品质分析数据。本发明实施例的掩模板的参数分析方法操作简单、效率高、生成的分析数据准确度高。
模板参数分析方法装置