专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于二进制网格索引结构的填充方法及填充框架-CN202310898490.0在审
  • 王学香;揭志丹;郝雨葳;施冉韬;刘昊;曹鹏;杨军 - 东南大学苏州研究院
  • 2023-07-21 - 2023-10-10 - G06F30/392
  • 本发明提出一种基于二进制网格索引结构的填充方法及填充框架,根据芯片版图的文件内容抽取版图文件的图形信息,将图形元素按照设定的规则进行编码,使得每一个元素用一个唯一的编号来表示;然后将芯片版图中的图形元素及其位置信息按照二进制网格索引方式进行组织,结合计算机移位操作的原理,将版图划分为步长为2的整数幂的子版图区域,接着创建二维数组和链表结构存储版图图形元素;在此索引结构基础上再进行冗余金属填充,对大规模版图进行版图切割和曼哈顿多边形分解,同时对版图的可填充区域进行提取;使用密度中值法和模拟退火算法进行版图的目标密度规划;最后使用填充结构体结合最大矩形提取算法,对版图可填充区域迭代插入填充。
  • 一种基于二进制网格索引结构填充方法框架
  • [发明专利]基于脉动阵列的高吞吐量目标检测加速器-CN202310260292.1在审
  • 刘昊;朱月 - 东南大学苏州研究院
  • 2023-03-17 - 2023-05-19 - G06F9/50
  • 本发明公开了一种基于脉动阵列的高吞吐量目标检测加速器,该加速器包括:输入特征图寄存单元(1)、输入特征图读写缓存单元(2)、脉动阵列计算部分(3)、权重读写缓存单元(4)、池化单元(5)、输出结果读写缓存单元(6)以及全局配置单元(7);它不仅简化了卷积计算和硬件复杂的数据流设计,而且引入了设计空间探索的步骤,保证了硬件的高资源利用率和高吞吐量。在脉动阵列的计算单元中引入了流水线技术,使得该架构能够提高计算并行度,并使用混合数据复用策略减少带宽压力。该加速器的核心是通过设计空间探索动态寻找脉动阵列的最佳规模,使目标检测算法能够充分利用给定FPGA的硬件资源。
  • 基于脉动阵列吞吐量目标检测加速器
  • [发明专利]一种基于不恢复余数法的硬件开方模块-CN202211499511.3在审
  • 刘昊;钱超 - 昆山市工业技术研究院有限责任公司;东南大学苏州研究院
  • 2022-11-28 - 2023-05-16 - G06F17/10
  • 本发明公开一种基于不恢复余数法的整数开方硬件模块,该模块包括:总线接口单元和开方迭代运算单元;其中,总线接口单元采用AHB协议,负责CPU与硬件加速内核之间的控制信号和数据交互,同时控制各个模块之间的信号交互,针对外部总线输入数据进行预处理,实现对输入到迭代模块中的输入值进行调整,优化迭代次数,并调整输出结果;开方迭代运算单元完成不恢复余数算法整数开方功能,由单次的迭代模块来构成逐级流水线结构。由单次的迭代模块来构成逐级流水线结构,同时充分利用业内常用MCU总线外设挂载需求和低成本方案,提高开方运算的运算效率,利用传统浮点开方硬件实现算法变换成整数运算,并设计接口以兼容计算能力较低的内核应用。
  • 一种基于恢复余数硬件开方模块
  • [发明专利]一种深紫外发光器件的制备方法及其所得器件-CN202211554722.2在审
  • 倪贤锋;范谦;顾星 - 东南大学苏州研究院
  • 2022-12-06 - 2023-04-14 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种深紫外发光器件的制备方法,包括以下步骤:在蓝宝石衬底上采用MOCVD法依次外延生长形核层、模板层,模板层为C轴取向,厚度为100~1000nm;将所得物每两组的外延面贴合叠放,在保护气氛、400~600torr压力下进行1600~1800℃超高温退火;将所得物在氢气气氛、1000~1200℃下进行处理表面,采用MOCVD法进行模板层重生长,以及依次外延生长N型接触层、有源发光层、P型层、P型接触层。本发明采用超高温退火处理,外延材料重结晶,材料层中的位错密度大幅减少,在退火后的模板层上外延生长的材料层的位错密度也相应的大幅减少,能够提高LED的发光效率,显著降低器件的漏电流。
  • 一种深紫发光器件制备方法及其所得
  • [发明专利]一种复合工程衬底及其制备方法-CN202211665182.5在审
  • 范谦;倪贤锋;顾星 - 东南大学苏州研究院
  • 2022-12-23 - 2023-04-14 - H01L21/20
  • 本发明公开了一种复合工程衬底的制备方法,通过制备氮化铝陶瓷基底和内有阻挡层的硅衬底,分别在氮化铝陶瓷基底和上层硅衬底表面形成第一介质层和第二介质层,键合第一介质层和第二介质层,去除下层硅衬底和阻挡层,得到多晶的氮化铝陶瓷基底和单晶的硅衬底组合的复合工程衬底。上述复合工程衬底从下往上依次包括氮化铝陶瓷基底、组合介质层和硅衬底,组合介质层为电绝缘体。该复合工程衬底可以兼顾氮化铝陶瓷基底的高导热、同氮化物半导体材料热膨胀匹配以及硅衬底的外延生长兼容性、尺寸大等优点,提高了GaN功率器件的外延质量以及GaN功率器件的可靠性。
  • 一种复合工程衬底及其制备方法
  • [发明专利]基于最小电流控制的记忆电机在线调磁方法-CN202210997011.6在审
  • 林鹤云;计松;吕舒康;王激尧 - 东南大学;东南大学苏州研究院
  • 2022-08-19 - 2022-11-15 - H02P21/14
  • 本发明公开一种基于最小电流控制的记忆电机在线调磁方法,包括如下步骤:S1、转矩输出能力预测;S2、转矩比较;S3、电流预测及比较;S4、调磁判断;S5、电流参考值切换。本发明实现了永磁电机最小电流控制技术、即最大转矩电流比控制和弱磁控制技术,与记忆电机调磁技术的合理配合,有效地在全工作区间选择最合适的磁化状态实现最小电流控制,减小相同输出转矩下消耗的电路幅值;与现有技术相比进一步减少了部分运行区间的电流,降低了电机损耗,提高了电机运行效率。解决了现有技术中变磁通记忆电机在部分工作区间电流消耗不够低,不能在全工作区间实现高效运行的问题。
  • 基于最小电流控制记忆电机在线方法

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