专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]真随机数发生器及产生真随机数的方法-CN202210951179.3在审
  • 曹易;王超;任睿智 - 北京量子信息科学研究院
  • 2022-08-09 - 2022-11-29 - H01L43/02
  • 该真随机数发生器包括随机数发生模块,其包括:导电层,两端分别设有用于通入第一电流的第一电极和第二电极以及并列地设置在导电层上的多个磁隧道,每个磁隧道均包括:第一磁性层,位于导电层之上;自旋流抵消层,位于第一磁性层之上;绝缘势垒层,位于自旋流抵消层之上;第二磁性层,位于绝缘势垒层之上;钉扎层,位于第二磁性层之上;其中,每个磁隧道的钉扎层的远离第二磁性层的一端均设有第三电极,第一电极和第三电极用于通入第二电流
  • 随机数发生器产生方法
  • [发明专利]模型玩具和关节构造-CN202211020348.8在审
  • 林田翔一;生赖卓也 - 株式会社万代
  • 2022-08-24 - 2022-11-18 - A63H3/46
  • 以能够相对于模型玩具的第1部分(102)转动的方式连结于该第1部分(102);基部构件(201),其具有圆筒形状的凹部(301),成为关节的基部;以及轴构件(202),其在一端具有以能够旋转的方式与凹部连结的第1连部(303),在另一端具有与连结构件连结的第2连部(304)。另外,第2部分除了利用连结构件进行的转动动作以外,还伴随轴构件的以第1连部为中心的旋转而相对于第1部分旋转。
  • 模型玩具关节构造
  • [发明专利]一种甘油葡萄糖苷的制备方法-CN202211331465.6在审
  • 金瑞 - 江苏万淇生物科技股份有限公司
  • 2022-10-28 - 2023-01-03 - C07H15/04
  • 本发明公开了一种甘油葡萄糖苷的制备方法,属于甘油葡萄糖苷制备领域,包括以下步骤:获取甘油葡萄糖苷低渗萃取液;通过处理筒内的内压感应单元感应处理筒内液压的变化,并通过处理筒表面上的排查机构显示排查结果,当处理筒内的压力因分离膜表面垢而逐渐增大并超过设定值时,能够及时通过排查机构向工作人员显示出警示信号,使得工作人员能够及时的对用于甘油葡萄糖苷水溶液脱色且发生垢的分离膜进行更换或者清洗处理,从而避免处理筒内部水压因分离膜垢而增大,进而使得作用在分离膜表面的压强提升而对分离膜造成损坏甚至破损的情况发生
  • 一种甘油葡萄糖苷制备方法
  • [发明专利]一种磁性隧道及存储单元-CN202080100135.9在审
  • 秦青;周雪;刘熹 - 华为技术有限公司
  • 2020-07-30 - 2022-12-06 - H01L43/08
  • 一种磁性隧道及存储单元,磁性隧道包括纵向依次层叠的第一电极层(210)、第一固定磁性层(220)、隧穿绝缘层(230)、自由磁性层(240)、覆盖层(250)、第二固定磁性层(260)和第二电极层(的磁化方向具有纵向的分量,且第二固定磁性层(260)的磁化方向在纵向上的分量与第一固定磁性层(220)的磁化方向在纵向上的分量方向相反,自由磁性层(240)具有垂直磁各向异性能,这样,在写入电流经过磁性隧道
  • 一种磁性隧道存储单元
  • [发明专利]太阳电池及其制作方法-CN202310417906.2在审
  • 何宇;蔡晓玲 - 通威太阳能(眉山)有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-07-18 - H01L31/18
  • 在绒面的一侧对硅片进行第一次掺杂处理,同时在绒面形成氧化层;在氧化层远离硅片的表面的预定区域形成刻蚀材料,将预定区域处的氧化层刻蚀去除;将刻蚀材料清洗去除;对预定区域对应的硅片进行第二次掺杂处理,进而得到掺杂有差异的重扩区p‑n和轻扩区p‑n。不仅可以有效的实现掺杂元素的轻掺杂和重掺杂,而且因为避免了激光的使用而不会对硅片的表面形貌和重扩区p‑n造成破坏和损伤;通过涂覆刻蚀材料刻蚀氧化层,便于控制所需去除的氧化层的尺寸;无需开发新的设备,采用现有的常规设备即可
  • 太阳电池及其制作方法
  • [发明专利]GaN基增强型功率晶体管-CN202110893839.2在审
  • 黄森;蒋其梦;冯超;郭富强;王鑫华;魏珂;刘新宇 - 中国科学院微电子研究所
  • 2021-08-04 - 2023-04-07 - H01L29/778
  • 本公开提供了一种GaN基增强型功率晶体管,包括:衬底;缓冲层,形成于衬底之上;薄势垒层,形成于缓冲层之上,与缓冲层形成异质;盖帽层,形成于薄势垒层之上;钝化层,形成于薄势垒层之上,用于恢复栅极区域之外的异质中的二维电子气本公开利用薄势垒层异质结实现栅下二维电子气的本征耗尽,利用盖帽层与薄势垒层的负极化电荷进一步耗尽栅下异质沟道中的二维电子气,从而实现高阈值的GaN基增强型功率晶体管,显著改善了P型栅极GaN基增强型功率晶体管的阈值稳定性
  • gan增强功率晶体管

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