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[发明专利]连接器和连接器对-CN202110113294.9有效
发明人：久保利隆;关和彦;冈田光博;畠山一翔;古贺健司;清水哲夫;叶楠;川合裕辉 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01R24/00 文献下载
摘要：一种连接器对包括第一连接器和电连接至该第一连接器的第二连接器。第一连接器包括第一电接触部，其在金属基材上设置有石墨烯膜。第二连接器包括经由石墨烯膜电连接至第一连接器的第二电接触部。第一电接触部和第二电接触部之间的接触面积比包覆金属基材的石墨烯膜的面积小。
连接器

[发明专利]连接器及其制造方法-CN202011171855.2有效
发明人：久保利隆;冈田光博;清水哲夫;川合裕辉 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括电接触材料的连接器，该电接触材料包含金属基材和在金属基材的表面上的导电覆层，以及一种用于制造该连接器的方法，其中，导电覆层包括：基体相，该基体相由除了金之外的金属构成；以及第二相，该第二相包括：伸长部，其从基体相的表面在深度方向上伸长；以及扩径部，该扩径部在基体相的表面中从伸长部开始沿着表面延伸，其中第二相由比构成基体相的金属更不易氧化的非金属导电材料或金构成。
连接器及其制造方法

[发明专利]电连接部件和该电连接部件的制造方法-CN202110145848.3在审
发明人：久保利隆;叶楠;清水哲夫 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：一种电连接部件，包括：连接部，其是电导通的；以及电接触部，其位于连接部的表面的至少一部分上，所述电接触部包括氧化石墨烯膜。氧化石墨烯膜是氧化石墨烯或者氧化石墨烯的堆叠，并且氧化石墨烯膜的厚度是1nm以上且50nm以下。电连接部件可以是阳端子或者阴端子。
连接部件制造方法

[发明专利]电接点、连接器以及电接点的制造方法-CN201780057693.X在审
发明人：森喜久男;清水哲夫 -专利权人：矢崎总业株式会社;国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01H1/04 文献下载
摘要：本发明所涉及的电接点是使用在包含电阻率为1.59×10^‑8Ωm以上且9.00×10^‑7Ωm以下的金属材料的基材上具有包含碳材料的层的电接点材料来制作而成的电接点，其特征在于，上述碳材料是石墨烯单层体或者层叠有多个该石墨烯单层体而成的石墨烯层叠体。包含上述碳材料的层的厚度优选为1.0mm以下。上述金属材料优选为从由银、铜、金、铝、镍、锡和它们的合金以及不锈钢组成的组中选择。
电接点石墨烯碳材料金属材料单层体优选连接器电接点材料层叠体电阻率基材不锈钢合金制作制造

[发明专利]存储元件的驱动方法及使用存储元件的存储装置-CN201180041391.6有效
发明人：高桥刚;增田雄一郎;古田成生;角谷透;小野雅敏;林豊;福冈敏美;清水哲夫;库玛拉古卢巴兰·索姆;菅洋志;内藤泰久 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社船井电机新应用技术研究所;船井电机株式会社
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：更稳定地进行开关动作。存储元件10具有：绝缘性基板；第一电极2及第二电极3，其设置于绝缘性基板；电极间间隙部4，其设置在第一电极与第二电极之间，具有产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象的纳米级的间隙，该存储元件10能够从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换以及能够从高电阻状态向所述低电阻状态转换，该存储元件10的驱动方法的特征在于，在从高电阻状态向所述低电阻状态转换时，通过恒流电路向存储元件施加电流脉冲。
存储元件驱动方法使用装置

[发明专利]存储元件的驱动方法及使用存储元件的存储装置-CN201180041359.8无效
发明人：高桥刚;增田雄一郎;古田成生;角谷透;小野雅敏;林豊;福冈敏美;清水哲夫;库玛拉古卢巴兰·索姆;菅洋志;内藤泰久 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社船井电机新应用技术研究所;船井电机株式会社
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：更稳定地进行开关动作。存储元件10具有绝缘性基板1、设置于绝缘性基板的第一电极2及第二电极3、产生第一电极与第二电极之间的电阻值的变化现象的电极间间隙部4，通过从脉冲发生源向存储元件10施加用于从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换的第一电压脉冲，经由串联的电阻体向存储元件10施加用于从高电阻状态向低电阻状态转换的第二电压脉冲，来减小流向变化为低电阻值之后的存储元件的电流值，与从低电阻状态向所述高电阻状态转换的情况相比，在从高电阻状态向低电阻状态转换的情况下，在使在脉冲发生源与存储元件之间的电阻变大之后，施加电压脉冲。
存储元件驱动方法使用装置

[发明专利]开关元件-CN200880129794.4有效
发明人：古田成生;高桥刚;小野雅敏;内藤泰久;清水哲夫 -专利权人：株式会社船井电机新应用技术研究所;独立行政法人产业技术综合研究所;船井电机株式会社
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：提供一种能够高密度集成并有助于层压的开关元件，开关元件(100)包括：绝缘衬底(10)；第一电极(30)，设置在绝缘衬底(10)上；第二电极(40)，设置在第一电极(30)上方；以及电极间间隙部分(50)，设置在第一电极(30)与第二电极(40)之间并具有纳米量级的间隙，该纳米量级的间隙用于通过在第一电极(30)与第二电极(40)之间施加指定电压来引起电阻器的开关现象。
开关元件

[发明专利]开关元件-CN200810125332.7有效
发明人：古田成生;增田雄一郎;高桥刚;小野雅敏;内藤泰久;堀川昌代;清水哲夫 -专利权人：株式会社船井电机新应用技术研究所;独立行政法人产业技术综合研究所;船井电机株式会社
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种开关元件，包括：绝缘衬底；第一电极和第二电极，都设置在所述绝缘衬底的一个表面上，以及电极间间隙，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，具有纳米量级的间隙，通过在所述第一电极与所述第二电极之间施加预定电压，所述间隙中发生电阻的开关现象，其中所述绝缘衬底的所述一个表面含氮。本发明能够降低开关元件的工作电压。
开关元件

[发明专利]开关元件-CN200680035397.1有效
发明人：内藤泰久;堀川昌代;阿部秀和;清水哲夫;水谷亘;古田成生;水野雅敏;高桥刚 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社船井电机新应用技术研究所
申请日： 2006-09-25 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明的开关元件(100)包括：绝缘性衬底(10)，设置在上述绝缘性衬底(10)上的第一电极(20)，设置在上述绝缘性衬底(10)上的第二电极(30)，以及设置在上述第一电极(20)和第二电极(30)之间，在上述第一电极(20)和上述第二电极(30)之间的距离(G)为0nm＜G≤50nm的电极间间隙(40)。
开关元件

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200710127012.0无效
发明人：千田二郎;大岛元启;清水哲夫;富永浩二;松田耕一郎;山岸丰 -专利权人：株式会社堀场制作所;株式会社堀场STEC;学校法人同志社
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明的成膜装置是一种使液体原料汽化，使其堆积于基板上而成膜的成膜装置，其特征在于，具有：在内部保持基板(W)的成膜室(2)以及多个喷射阀(3)，该喷射阀配置在所述成膜室(2)的不同位置，将同一液体原料直接喷射到所述成膜室(2)内，通过使其减压沸腾而将所述液体原料汽化供给。采用本发明，能够实现成膜室的小型化，进而实现成膜装置的小型化，使成膜的膜厚分布良好，汽化量多而提高成膜的生产效率。
装置方法

[发明专利]半导体制造装置、半导体制造装置的流量修正方法和程序-CN200680000931.5有效
发明人：守谷修司;冈部庸之;衣斐宽之;清水哲夫;北川均 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制造装置，能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正，包括：将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210)，比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300)，控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置，在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压，在MFC中设定修正的设定电压。
半导体制造装置流量修正方法程序

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