专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于垃圾处理的焚烧系统-CN202211434962.9在审
  • 洪也;赵宪隆;文进;万亚南 - 湖南天桥环境科技有限公司
  • 2022-11-16 - 2023-05-05 - F23G5/00
  • 本发明为一种用于垃圾处理的焚烧系统,它包括进料斗、推料器,进料斗的下端与炉膛连接,炉膛内设置有炉排系统,炉膛的上端设置有热量回收利用系统;炉排系统的下端均设置有同步驱动装置;炉膛内包括空冷,空冷包括第一风冷箱和第二风冷箱风量依次通过进风口、第一风冷区、第二风冷区、第三风冷区和出风口;炉排系统的下端设置有出渣系统;本发明的同步驱动装置实现结构优化,多个连接以及多级模块安装,与推料器和炉排块的协同作用,使用范围更广;空冷的结构设计增强火焰中
  • 一种用于垃圾处理焚烧系统
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111296334.4在审
  • 刘中元 - 中芯南方集成电路制造有限公司
  • 2021-11-03 - 2023-05-05 - H01L29/423
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:在所述鳍部表面形成伪栅介质层;在所述伪栅介质层上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构,所述伪栅极结构包括伪栅极和所述伪栅极侧壁的第一侧,所述伪栅极结构位于所述鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面在所述衬底和所述源漏层表面形成层间介质层,所述层间介质层还位于所述伪栅极结构侧壁,且暴露出所述伪栅极顶部表面;去除所述伪栅极和所述伪栅极底部的部分鳍部,在所述层间介质层内形成开口;在所述开口侧壁表面形成第二侧;形成所述第二侧后,在所述开口内形成栅极,减少漏电的发生概率,提高生产良率和器件性能的稳定性。
  • 半导体结构及其形成方法

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