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- [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111296334.4在审
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刘中元
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中芯南方集成电路制造有限公司
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2021-11-03
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2023-05-05
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H01L29/423
- 一种半导体结构及其形成方法,其中方法包括:在所述鳍部表面形成伪栅介质层;在所述伪栅介质层上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构,所述伪栅极结构包括伪栅极和所述伪栅极侧壁的第一侧墙,所述伪栅极结构位于所述鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面在所述衬底和所述源漏层表面形成层间介质层,所述层间介质层还位于所述伪栅极结构侧壁,且暴露出所述伪栅极顶部表面;去除所述伪栅极和所述伪栅极底部的部分鳍部,在所述层间介质层内形成开口;在所述开口侧壁表面形成第二侧墙;形成所述第二侧墙后,在所述开口内形成栅极,减少漏电的发生概率,提高生产良率和器件性能的稳定性。
- 半导体结构及其形成方法
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