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[发明专利]一种评价含渐进局部减薄缺陷弯管极限承载能力的方法-CN202211172372.3在审
发明人：高炳军;祁勇;李岩;余雏麟;董俊华 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明为一种评价含渐进局部减薄缺陷弯管极限承载能力的方法，通过有限元极限载荷分析确定已知局部减薄尺寸弯管的极限承载荷能力；结合壁厚定点测厚结果，采用计算流体力学与动网格法分析弯管冲蚀磨损区域与最大冲蚀减薄深度随时间的变化规律，获得实际局部减薄形貌缺陷随时间的变化规律；确定与实际局部减薄形貌缺陷极限载荷相当的当量局部减薄缺陷的区域范围与深度，据此得到实际冲蚀减薄区域范围和最大冲蚀减薄深度随时间的变化规律，从而实现含渐进局部减薄缺陷弯管极限承载能力评价避免了对实际情况建模的复杂过程，提出工程上可实现方法，实际形貌用CFD范围的计算结果表达，评价实际过程更加简便。
一种评价渐进局部缺陷弯管极限承载能力方法

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN201610819304.X有效
发明人：陈劲达;谢铭峯;吴汉威;林育贤;刘柏均;陈彦廷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：第一抗反射材料有一第一表面形貌变化。执行一第一回蚀刻制程以部分移除第一抗反射材料。之后，一第二抗反射材料覆盖于第一抗反射材料之上。第二抗反射材料有一小于第一表面形貌变化的第二表面形貌变化。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]一种亲水通道形貌可控的阴离子交换膜及其制备方法-CN201510063060.2有效
发明人：张宏伟;任丽;龚玉娇 -专利权人：张宏伟
申请日： 2015-02-08 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： B01D71/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种亲水通道形貌可控的阴离子交换膜及其制备方法。这种阴离子交换膜是由含叔胺基的添加物与卤甲基化聚合物经反应制备而成。添加物具有多重功能，既为交联剂，又为胺基化剂，还可提供亲水形貌形成的模板，同时具备保水能力。膜内亲水相形貌随添加物的形貌而变化，并相互连接成网络结构，从而赋予了阴离子交换膜较好的离子传导能力。
一种通道形貌可控阴离子交换及其制备方法

[发明专利]光学元件激光损伤阈值的探测方法及其装置-CN200810007917.9有效
发明人：高智星;汤秀章;向益淮 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提供的光学元件激光损伤阈值的探测方法及其装置，利用激光器发出的激光辐照在被测光学元件表面所产生的荧光，观测光学元件表面的形貌变化，该激光器是KrF激光器，通过观测光学元件表面荧光强度分布的畸变来观测光学元件表面的形貌变化
光学元件激光损伤阈值探测方法及其装置

[发明专利]一种列车轮对踏面形貌在线监测方法及系统-CN202211502765.6有效
发明人：吴杰;杜凯峰;陆伟 -专利权人：科瑞工业自动化系统（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F18/213 文献下载
摘要：本发明公开了一种列车轮对踏面形貌在线监测方法及系统，该列车轮对踏面形貌在线监测方法可实时检测车轴偏心位移信号、轴箱振动信号和齿轮箱振动信号，并将振动信号进行数据转换，转换为对应在同一时间轴上的位移信号，最后通过神经网络模型进行深度学习，通过阈值比对识别轮对的形貌缺陷。该列车轮对踏面形貌在线监测方法稳定性高、易操作，实现了列车轮对踏面形貌实时在线采集，能实现信号的高采样率和高同步性，确保采样的准确性和实效性，可持续长距离跟踪轮对踏面形貌的变化，排除潜在故障，为城轨列车安全运行提供保障
一种列车轮对形貌在线监测方法系统

[发明专利]一种管道焊缝漏磁检测中的表面形貌测量和扣除方法-CN202011039108.3在审
发明人：覃荣江;卢永雄;陈阮;吕敏;袁阳斌;刘洪昌;黄威;王康 -专利权人：广东省特种设备检测研究院茂名检测院;西红柿科技（武汉）有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G01N27/83 文献下载
摘要：本发明适用于无损检测技术领域，提供一种管道焊缝漏磁检测中的表面形貌测量和扣除方法，所述方法包括：通过背磁测量方式或者电容测量方式获取焊缝的表面形貌；将焊缝的表面形貌进行定量，得到定量的表面形貌深度数据；利用漏磁检测技术获取焊缝的漏磁数据，结合所述漏磁数据对表面形貌深度数据进行扣除，得到焊缝的真实缺陷深度数据。本发明在表面形貌定量的基础上，结合漏磁检测技术获取漏磁数据，能够有效地扣除因为焊缝表面形貌所引起的漏磁数据变化，能够获得比较纯净的焊缝真实缺陷深度数据，因而实现对焊缝的快速漏磁检测，提高焊缝漏磁检测的准确度和检测效率
一种管道焊缝检测中的表面形貌测量扣除方法

[发明专利]一种基于双斐索干涉仪的晶片厚度测量装置及测量方法-CN202210594888.0在审
发明人：叶星辰;刘珈汐;陈梦来 -专利权人：上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于双斐索干涉仪的晶片厚度测量装置及测量方法，该装置包括环境检测系统和中央处理单元，环境检测系统用于测量第一参考镜和第二参考镜周边的环境参数，中央处理单元用于对空腔形貌进行Zernike拟合，将空腔形貌分解为1阶形貌和大于1阶的高阶形貌，利用不同环境下测量得到的环境参数，通过拟合构建环境参数与参考镜倾斜系数关系式，利用所述关系式计算测量时的1阶形貌修正量，利用1阶形貌修正量替换原1阶形貌，通过环境检测系统实时监控两参考镜的倾斜变化，进而对晶片绝对厚度的倾斜量进行补偿，由此实现晶片绝对厚度分布进行精确重建。
一种基于双斐索干涉仪晶片厚度测量装置测量方法

[发明专利]一种Ti₃SiC₂电子辐照方法-CN201910220877.4在审
发明人：黄晓晨;葛金龙;李良;钱刚;凤仪 -专利权人：蚌埠学院
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：；(S02)辐照：调节电子束电流密度为10⁵A/cm2，在电镜视场中，选择一个Ti₃SiC₂颗粒进行50‑1000s的辐照；(S03)形貌观察：从[0001]方向记录形貌变化；(S04)结构观察：调节选区光阑，观察每段辐照时间后的结构变化，并拍摄选区电子衍射图。本发明是在电子辐照的同时，即时观察样品的形貌以及结构的变化，能在第一时间获得样品受辐照后的变化。
辐照电子辐照电子束超声波清洗器选区电子衍射形貌方向记录结构变化结构观察透射电镜无水乙醇形貌变化形貌观察样品制备原位辐照浑浊液移液枪观察光阑视场选区拍摄

[发明专利]动力底盘定位与俯仰角水田硬底层形貌测试方法与系统-CN202211379420.6在审
发明人：贾维卿;王在满;何剑飞;杨文武;张明华;张而立;陈锡润;于东洋;李贵蓉;郭梓游 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：动力底盘定位与俯仰角水田硬底层形貌测试方法，涉及农机设备领域。通过车体在水田上的行驶参数获得，其特征在于，包括：使车体行驶至水田的某一初始位置；设定车体的测试路径，并建立以车体结构为基础的参考坐标系，测量物理参数，至少包括车体的俯仰角变化量和位移变化量Sk以及采样间隔.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />绘制对应于在该测试路径上的水田硬底层形貌信息的图形该测试方法能够在底盘实际工作过程中测试水田硬底层形貌，减小测试环境与实际工作环境的差别带来的测试误差。无需在底盘安装与水田接触的传感构件的条件下获得水田硬底层的形貌。
动力底盘定位俯仰水田底层形貌测试方法系统

[发明专利]一种类镜面多尺度表面形貌特征检测系统及其检测方法-CN201811638952.0在审
发明人：陶小平;张学军;胡海翔;薛栋林 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本发明提供的类镜面多尺度表面形貌特征检测系统及其检测方法，基于条纹反射原理，通过显示光源显示理想周期变化的条纹图像，再通过相机采集经类镜面反射形成的条纹图像，通过计算单元以条纹图像的弯曲程度判断和重构类镜面表面形貌，可快速实现类镜面表面的多尺度特征检测，本发明提供的类镜面多尺度表面形貌特征检测系统及方法结构简单，操作方便，能够实现在线检测，检测效率高。
表面形貌特征镜面检测系统条纹图像多尺度检测镜面表面形貌多尺度特征程度判断计算单元镜面反射理想周期条纹反射显示光源在线检测重构相机采集

[发明专利]分析β‑SiC过渡层对金刚石膜形核生长影响的方法-CN201710487136.3在审
发明人：于翔;刘飞;任毅;张震 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：所述方法采用中频磁控溅射技术在硬质合金基体上沉积SiC过渡层，通过对沉积温度的调控，获得不同表面形貌和组织特性的β‑SiC过渡层；利用热丝化学气相沉积在SiC过渡层表面沉积金刚石薄膜；利用扫描电镜观察样品的表面形貌，利用X射线衍射检测过渡层的组成、晶粒取向及结构变化，利用拉曼光谱表征金刚石薄膜的纯度和内应力的变化，利用微米压痕测试金刚石薄膜的机械性能。所述方法通过研究沉积温度对磁控溅射β‑SiC过渡层表面形貌和组织特性的影响，低温沉积β‑SiC过渡层表面形貌和组织特性对金刚石薄膜形核及生长的影响，揭示了β‑SiC过渡层影响金刚石形核及生长的作用机理。
分析 sic 过渡金刚石膜形核生长影响方法

[发明专利]霍尔推力器的变截面通道的加工方法-CN201210152828.X有效
发明人：宁中喜;江晓龙;于达仁;李鸿;刘辉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：它包括具体步骤为：步骤一、对霍尔推力器进行点火运行，测量从发动机点火开始到发动机不能再次点火运行的时间段内，霍尔推力器放电通道的壁面法向侵蚀速度c随时间变化的曲线；步骤二、模拟计算得到不同时刻的壁面法向侵蚀速度c，并建立由法向侵蚀速度c与壁面形貌的一一对应数据关系；步骤三、由步骤获得的壁面法向侵蚀速度c随时间变化的曲线和步骤二获得的法向侵蚀速度c与壁面形貌的一一对应数据关系，得到霍尔推力器的变截面通道的形貌参数；步骤四、根据获得的形貌参数加工霍尔推力器的通道壁截面形状。
霍尔推力截面通道加工方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN201910986189.9有效
发明人：董献国 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及接触孔形成方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过多次试验获得光刻后接触孔形貌关键尺寸变化ΔD1与刻蚀后接触孔关键尺寸变化ΔD2的关系式及层间介质层厚度HILD与刻蚀后接触孔关键尺寸D2的关系式，进而获得光刻后接触孔形貌关键尺寸D1与层间介质层厚度HILD的关系，再根据光刻机光刻后接触孔形貌关键尺寸D1与曝光强度的关系，得到曝光强度与层间介质层厚度HILD之间的补偿关系，进而对晶圆上一曝光单元的曝光强度进行补偿，也即对不同的层间介质层厚度区域曝不同光刻后接触孔形貌关键尺寸D1的接触孔，最终使得该曝光单元内刻蚀后形成的接触孔的关键尺寸接近接触孔的目标关键尺寸
接触形成方法

[发明专利]一种用于电弧增材制造的焊道建模方法、设备及系统-CN201911347776.X有效
发明人：王桂兰;唐尚勇;周思宇;张海鸥;李润声 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B23K9/095 文献下载
摘要：该方法采用动态参数法，在一次电弧增材制造过程中、同一条焊道内采用不同的焊接工艺参数，从而得到一条形貌随焊接工艺参数的动态变化而同步动态变化的焊道；使用线激光传感器扫描获得加工后的焊道分段形貌，并将每一段焊道形貌与该段焊接工艺参数一一对应，作为训练数据，对神经网络进行训练，从而得到能够根据输入的焊接工艺参数获得相应焊道形貌的焊道建模模型。
一种用于电弧制造建模方法设备系统

[发明专利]一种多形貌纳米银基底的制备方法-CN202110973625.6在审
发明人：吴静;方靖淮 -专利权人：南通大学
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种多形貌纳米银基底的制备方法，本发明在PVP存在的条件下，控制不同的反应温度和时间，通过乙二醇(EG)还原硝酸银的方法合成具有颗粒状、球状、线状、棒状等不同形貌的纳米银胶，并通过自组装技术将制备的银溶胶组装到硅片上，最后利用SEM和TEM对基底进行表征，并以结晶紫为探针分子，测量不同形貌的银基底的表面增强拉曼光谱。结果表明：纳米银形貌随反应温度和反应时间的不同呈现规律性的变化，并且不同形貌的纳米银基底，其表面增强拉曼信号强度有明显差别。
一种形貌纳米基底制备方法