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[发明专利]一种用于声学滤波器的异质单晶薄膜的制备方法-CN202110829439.5在审
发明人：欧欣;李忠旭;黄凯 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本发明涉及声学滤波器技术领域，特别涉及一种用于声学滤波器的异质单晶薄膜的制备方法。该异质单晶薄膜的制备方法包括以下步骤：提供异质薄膜结构；该异质薄膜结构包括压电薄膜；对该异质薄膜结构进行后退火处理；该后退火温度范围为300‑800摄氏度；该后退火的氛围内含有与该压电薄膜对应的元素材料从而能够在实现提高键合强度，恢复晶格缺陷的同时，还能够有效抑制压电薄膜中锂元素和氧元素等的外释问题，提高异质单晶薄膜的质量。
一种用于声学滤波器异质单晶薄膜制备方法

[发明专利]一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法-CN202110395087.7在审
发明人：欧欣;王成立;张师斌;伊艾伦;郑鹏程 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，该方法包括步骤S101～S107，通过该步骤S101～S107可以实现任意多层异质单晶薄膜衬底结构，且各异质单晶薄膜间的结合为范德华力结合，异质单晶薄膜之间的键合十分牢固；另外，本申请实施例提供的一种任意多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，可将多种具有不同功能的薄膜集成于一片衬底，用于多功能三维异质集成芯片的实现。
一种多层异质单晶薄膜衬底制备方法

[发明专利]一种基于电场调控的磁性异质结构及其制备方法-CN202110558170.1有效
发明人：金立川;徐嘉鹏;徐鑫锴;张怀武;唐晓莉;向全军;钟智勇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种基于电场调控的磁性异质结构及其制备方法，属于磁电耦合材料及器件制备领域。所述磁性异质结构包括基片，形成于基片之上的底电极层，形成于底电极层之上的异质结，以及形成于异质结之上的顶电极层；所述异质结为磁性薄膜/MXene异质结，所述磁性薄膜与MXene薄膜上下层叠设置。本发明异质结构通过底电极层和顶电极层在垂直方向上施加电压，实现氢离子在磁性薄膜/MXene异质结中的定向移动，并转换成氢原子存储在MXene薄膜中。由于磁性薄膜的磁各向异性对表面吸附氢原子浓度非常敏感，因此可以受到外加电压的调控，而当撤去偏压后氢原子将迅速扩散至大气中，薄膜磁性恢复至原有状态。
一种基于电场调控磁性结构及其制备方法

[发明专利]一种异质结构红外上转换可视化器件-CN202010189337.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京科易达知识产权服务有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结构红外上转换可视化器件，包括具有异质结的红外上转换可视化薄膜，所述异质结构红外上转换可视化器件还包括具有微凹阵列薄膜，所述薄膜集成于所述异质结构红外上转化器件顶部电极表面；或者，所述薄膜集成于所述异质结构红外上转化器的本发明提供的异质结构红外上转换可视化器件在发光层表面增加微凹锥阵列结构，提高OLED层的外量子效率，进而提高基于异质结的上转换可视化薄膜的光‑光转换效率。
一种结构红外转换可视化器件

[发明专利]一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法-CN202010523672.6在审
发明人：陶科;姜帅;贾锐;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法，异质结背接触太阳能电池包括但不限于半导体衬底、第一钝化层及异质结。第一钝化层形成于半导体衬底的背表面上，异质结可形成于第一钝化层背面，异质结包括N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层结构。该异质结背接触太阳能电池的形成方法包括：在半导体衬底的背表面上形成异质结，异质结包括依次形成的N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，其中，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层。本发明能够在不降低电池效率的前提下有效降低异质结背接触太阳能电池的生产成本，而且本发明光能转换效率比较高。
一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法

[发明专利]一种异质结电池制备方法-CN202010293089.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池制备方法，异质结电池包括分别设置于所述异质结电池正面和/或背面的导电薄膜层，所述制备方法包括在所述异质结电池正面和/或背面的设定区域内通过喷墨工艺方法去除所述设定区域内的导电薄膜层该异质结电池制备方法通过在激光切割位置或异质结电池的边缘位置通过喷墨工艺方法去除该激光切割位置和边缘位置的导电薄膜层，可避免在激光切割过程中导电薄膜层掺杂到异质结电池内部，降低异质结电池的钝化性能，并影响异质结电池的效率；同时通过该喷墨工艺方法可达到对异质结电池边绝缘的目的，可降低边绝缘区域0.25~0.5mm，达到提升异质结电池效率的目的。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]基于异质结薄膜的远程电气火灾监测系统及其制备方法-CN201710636334.1有效
发明人：王旭兰 -专利权人：王旭兰
申请日： 2017-07-30 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G08B17/12 文献下载
摘要：本发明涉及基于异质结薄膜的远程电气火灾监测系统及其制作方法，由氧化銪/氧化镓异质结薄膜芯片、紫外光电探测外围电路、LED指示灯以及网络通讯模块组成，所述氧化銪/氧化镓异质结薄膜芯片包括氧化銪薄膜、氧化镓薄膜、Ti/Au薄膜电极以及n型Si衬底，所述氧化銪薄膜的厚度为100‑150nm，氧化镓薄膜的厚度为200‑250nm，氧化銪薄膜和氧化镓薄膜形成氧化銪/氧化镓异质结，n型Si衬底作为氧化镓薄膜的衬底。本发明的基于异质结薄膜的远程电气火灾监测系统可以将火灾报警信息发送到计算机或移动手机终端，实现远程监测和报警，氧化銪/氧化镓异质结薄膜芯片性能稳定、响应度高和灵敏度高，可应用于远程电气火灾报警和高压线电晕远程监测
基于异质结薄膜远程电气火灾监测系统及其制备方法

[发明专利]一种低漏电流半导体薄膜异质结及制备方法-CN201210394318.3无效
发明人：刘秋香;马才兵;唐新桂;蒋艳平 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明公开一种低漏电流半导体薄膜异质结及制备方法，其低漏电流半导体薄膜异质结是在基底上沉积具有钙钛矿结构的弱铁电性薄膜层，然后在铁电薄膜层上再沉积多铁性薄膜，形成ABO3型多铁性薄膜／ABO3铁电薄膜／基底异质结薄膜结构，结合合适的气氛和退火工艺，此薄膜异质结的漏电流密度比单层ABO3型多铁薄膜的漏电流密度低约3至5个数量级。
一种漏电半导体薄膜异质结制备方法

[发明专利]柔性半导体复合薄膜及其制备方法-CN201810941708.5在审
发明人：欧欣;林家杰;张师斌;伊艾伦;周鸿燕;王成立;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性半导体复合薄膜及制备方法，柔性半导体复合薄膜的制备包括：提供一异质复合结构，包括牺牲衬底以及位于牺牲衬底表面的异质薄膜，牺牲衬底具有一刻蚀面，牺牲衬底中形成有自刻蚀面向内延伸的凹槽结构，异质薄膜位于刻蚀面的表面；提供一柔性衬底，将柔性衬底与异质薄膜远离刻蚀面的一侧相结合；采用腐蚀工艺腐蚀牺牲衬底，实现异质薄膜与牺牲衬底的分离，得到柔性半导体复合薄膜。本发明的柔性半导体复合薄膜及制备，通过在牺牲衬底(如氧化层)中光刻凹槽结构，增加了后期腐蚀的速率，也保证制得柔性半导体薄膜的完整性；将离子注入剥离制备异质复合结构与化学腐蚀结合，使得该柔性单晶半导体薄膜的制备可以覆盖大部分半导体
衬底柔性半导体制备复合薄膜异质薄膜刻蚀异质复合结构凹槽结构腐蚀单晶半导体薄膜衬底表面化学腐蚀氧化层光刻半导体薄膜离子剥离覆盖延伸保证

[发明专利]一种复合薄膜、电致发光器件及其制备方法-CN202010721505.2在审
发明人：王劲;杨一行 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种复合薄膜、电致发光器件及其制备方法，其中，所述复合薄膜包括：黑磷基薄膜层以及设置在所述黑磷基薄膜层上表面和/或下表面的异质层，所述异质层材料为能与所述黑磷基薄膜层形成异质结构的无机电荷传输材料本发明通过采用由能与所述黑磷基薄膜层形成异质结构的无机电荷传输材料(化学性质稳定)形成的异质层表面覆盖黑磷基薄膜层，减少了水氧渗入对黑磷基薄膜层的影响，两者构成的双层或三层异质结构的复合薄膜的表面缺陷少、界面应力小、弹性模量失配得到极大改善，有利于波群速度和声子耦合增强，导热性能得到提高；从而，该复合薄膜兼有好的空穴迁移率和稳定性。
一种复合薄膜电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种用于太阳电池的薄膜硅/晶体硅异质pn结结构-CN201010200422.5无效
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种用于太阳电池的薄膜硅/晶体硅异质pn结结构，其特征在于，在由掺杂类型相反的薄膜硅层和晶体硅层构成的异质pn结的薄膜硅层和晶体硅层之间插入一层本征非晶硅锗层做异质结界面的钝化层。与现有的薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池采用的含有本征非晶硅层做异质结界面钝化层的薄膜硅/晶体硅异质pn结相比，本发明可以减小薄膜硅/晶体硅异质pn结界面处的能带失配，改善载流子输运特性，从而改善太阳电池性能
一种用于太阳电池薄膜晶体硅异质 pn 结构

[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法-CN201210203828.8有效
发明人：郑新和;吴渊渊;张东炎;李雪飞;陆书龙;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池，包括一具有第一导电类型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次设置的一有源区及一具有第二导电类型的第二薄膜，所述第一薄膜与有源区之间还包括一与第一薄膜相异质的具有第一导电类型的接触层，第一薄膜、第二薄膜分别与有源区相异质，有源区为渐变层结构。本发明还提供一种如上述的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）在第一薄膜裸露表面生长与第一薄膜相异质且同导电类型的接触层；2）在接触层裸露表面外延生长具有渐变结构的有源区；3）在有源区裸露表面生长与有源区相异质的第二薄膜层，且第一薄膜与第二薄膜的导电类型相反。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结可饱和吸收镜及其制备方法、锁膜光纤激光器-CN201610387349.4在审
发明人：闫培光;陈浩;王金章;邢凤飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明属于激光器技术领域，提供了一种异质结可饱和吸收镜，包括衬底、覆盖在所述衬底上的异质结薄膜以及位于所述异质结薄膜之上的保护膜层；所述异质结薄膜包括至少两层可饱和吸收层，其中各可饱和吸收层的材料互不相同本发明还提供了一种异质结可饱和吸收镜的制备方法，包括如下步骤：衬底制将衬底抛光；将所述衬底置于反应室内，采用CVD法在所述金膜层上依次镀上所述至少两层可饱和吸收层，形成异质结薄膜；在所述异质结薄膜表面镀上保护膜层本发明提供的异质结可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高；制备方法简单，适于批量生产。
一种异质结可饱和吸收及其制备方法光纤激光器

[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法-CN201611065521.0在审
发明人：许烁烁;刘良玉 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳电池及其制备方法，该异质结太阳电池包括硅片基底，硅片基底上设有氧化铝薄膜，氧化铝薄膜上设有氮化镓薄膜，形成GaN/Al2O3/Si异质结结构。其制备方法包括抛光、沉积氧化铝薄膜、退火、沉积氮化镓薄膜、制备ITO透明导电薄膜及银栅线电极。本发明的异质结太阳电池，具有GaN/Al2O3/Si异质结结构，有效的解决了由于氮化镓和硅基底之间的晶格失配引起的载流子复合，大大的提高了异质结电池的少子寿命，其制备方法具有工艺简单等优点。
一种异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种基于二维异质薄膜的谐振频率自适应调控系统-CN202010058523.7有效
发明人：王兴华;刘红卫;范光腾;覃江毅;冉德超;胡粲彬 -专利权人：中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维异质薄膜的谐振频率自适应调控系统，其包括二维异质薄膜、支撑衬底、压电陶瓷驱动器、外部可调光源、振动探测器以及信号调理电路，异质薄膜上的纳米金属颗粒能够产生等离共振效应，二维异质薄膜置于支撑衬底之上，支撑衬底与压电陶瓷驱动器实现固定连接，外部可调光源对二维异质薄膜进行照射，压电陶瓷驱动器驱动二维异质薄膜振动，振动探测器感知二维异质薄膜的振动并产生相应电信号，信号调理电路将振动探测器生成的电信号进行处理并转换成驱动控制信号
一种基于二维薄膜谐振频率自适应调控系统

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