“异质结遂穿 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果511247个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用少层黑磷烯的不同堆垛结构的遂穿二极管及实现方法-CN201610551782.7在审
发明人：雷双瑛;沈海云;黄兰 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本文发明公开了一种用少层黑磷烯的不同堆垛结构的遂穿二极管及实现方法。该遂穿二极管为异质结遂穿二极管，最下面是衬底(1)，在衬底(1)上是下电极台面(2)，在下电极台面(2)的上面的一边为黑磷烯横向异质结(3)，另一边是下电极(6)，在黑磷烯横向异质结(3)上为电极台面(与普通遂穿二极管相比，本发明提出的异质结不需要进行重掺杂即可得到用于遂穿的能带结构。其中III型半导体异质结是本专利设计结构的核心部分。本发明选用的同种材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将两种不同堆垛结构的黑磷烯横向连接形成异质结。
用少层黑磷不同堆垛结构二极管实现方法

[发明专利]一种MIS-硅异质结太阳电池及其制备方法-CN202010009879.1有效
发明人：汤叶华;王科范 -专利权人：河南大学
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/062 文献下载
摘要：本申请公开一种MIS‑硅异质结太阳电池及其制备方法，所述一种MIS‑硅异质结太阳电池，包括载流子传输层(M)、载流子遂穿层(I)和半导体吸收层(S)。所述载流子传输层(M)由前表面载流子传输层(FM)和背表面载流子传输层(BM)构成，所述载流子遂穿层(I)由前表面钝化层(FI)和背表面钝化层(BI)构成，所述半导体吸收层(S)为半导体硅片材料。所述MIS‑硅异质结太阳电池的制备流程为：硅片(S)选取→硅片表面腐蚀、清洗→载流子遂穿层(I)制备→载流子传输层(M)沉积。
一种 mis 硅异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]用于隧穿场效应晶体管(TFET)的异质袋状件-CN201380081117.0有效
发明人： U·E·阿维奇;R·科特利尔;G·杜威;B·舒-金;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文所描述的本公开内容的实施例包括一种遂穿场效应晶体管(TFET)，该TFET具有：漏极区；源极区，所述源极区具有与所述漏极区相反的导电类型；沟道区，所述沟道区被布置在所述源极区与所述漏极区之间；栅极，所述栅极被布置在所述沟道区上方；以及异质袋状件，所述异质袋状件被布置在所述源极区和所述沟道区的结附近。所述异质袋状件包括与所述沟道区不同的半导体材料，并且包括比所述沟道区中的带隙低的遂穿势垒，并且在所述沟道区中形成量子阱，以便当向所述栅极施加的电压高于阈值电压时增加通过所述TFET晶体管的电流。
用于场效应晶体管 tfet 异质袋状件

[实用新型]一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器-CN201921497343.8有效
发明人：胡伟达;吴峰;王鹏;王芳;张莉丽;王振;李庆;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本专利公开了一种单边耗尽区的高效快速范德华异质结探测器。器件结构自下而上依次为是衬底、范德华异质结，金属源漏电极。器件制备步骤是依次将机械剥离的黑砷磷(AsP)薄片和二硫化钼(MoS2)薄片通过定点转移到硅衬底上并形成范德华异质结。运用电子束光刻并结合lift‑off工艺制备金属源极和漏极，形成异质结场效应晶体管结构。器件的独特性在于其异质结是单边耗尽的pp结，有别于双边耗尽的pn结。单边耗尽的异质结可以有效抑制遂穿辅助的界面复合和界面缺陷捕获效应，从而实现高量子效率、光电转换效率以及快的响应速度。
一种单边耗尽高效快速范德华异质结探测器

[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202210444226.5在审
发明人：邢国兵 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：该垂直腔面发射激光器中，利用遂穿结实现多级有源层有效串联，提高单位面积内功率，并通过对遂穿结进行优化，以使其中的N型掺杂层内设置有N型原子层、P型掺杂层内设置有P型原子层，从而使得遂穿结内的掺杂浓度更高且不会破坏半导体材料的晶体质量，有利于降低遂穿难度，提高载流子的遂穿电流，同时改善遂穿结的吸收系数较大的问题，降低内损耗。
垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法-CN201780005921.9有效
发明人：李伟;徐挽杰;徐慧龙;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法，包括：第一绝缘层覆盖在衬底的上表面，第一异质结材料层覆盖在第一绝缘层的上表面上用于设置源极的一端，源极设置在第一异质结材料层的一端，第一异质结材料层另一端周围设置有第二绝缘层，隔离层设置在异质结层上，隔离层覆盖在源极的内侧；第二异质结材料层覆盖在第一异质结材料层的另一端、第二绝缘层以及第二绝缘层上，与第一异质结材料层形成异质结，漏极设置在第二异质结层上与源极相对的另一端；栅介质层覆盖在第二异质结材料层上位于源极和漏极之间的位置通过设置第二绝缘层进行隔离，显著减小边缘态导致的泄露电流，并利用二维材料形成异质结，避免了因晶格不匹配导致的界面缺陷。
异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]存储器元件及其制造方法-CN202210005309.4在审
发明人：黄彦霖;宋明远;李乾铭;林世杰;白奇峰;胡宸瑜;黄兆中;陈冠豪;蔡佳晋;邱郁芳;彭成玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：存储器元件包括磁性穿遂结与自旋霍尔电极。磁性穿遂结包括自由层、参考层以及延伸于自由层与参考层之间的阻障层。自旋霍尔电极接触于磁性穿遂结且经配置以将电荷电流转换为用于写入磁性穿遂结的自旋电流。
存储器元件及其制造方法

[发明专利]一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法-CN202110918322.4在审
发明人：赵华飞 -专利权人：浙江中晶新能源股份有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池，包括P型硅基体、遂穿超薄氧化层、非晶硅N+层、氮化硅钝化膜、局域硼背场、金属正电极和金属负电极，所述P型硅基体的正面设置为绒面，所述P型硅基体的背面设置有遂穿超薄氧化层，所述遂穿超薄氧化层上设置有磷掺杂退火的非晶硅N+层，所述非晶硅N+层的外侧设置有氮化硅钝化膜，所述P型硅基体的背面设置有局域硼背场，所述局域硼背场穿透氮化硅钝化膜连接有金属正电极，所述非晶硅N+层上连接有金属负电极
一种型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法

[实用新型]具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池-CN201720730371.4有效
发明人：毛卫平 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池，包括衬底，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面由里到外依次设置n+型晶体硅层、正面钝化减反射层以及穿透正面钝化减反射层并与n型晶体硅片接触的正面金属电极；n型晶体硅片的背面依次设置p++型硅膜层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层以及穿透背面钝化减反射层并与n++型硅膜层接触的背面金属电极；本实用新型电池背面采用p++型硅膜层与n型晶体硅片形成的异质结发射极具有较低复合电流密度；n++型硅膜层既能与p++型硅膜层形成遂穿复合结有效传输光生电流，又能与金属背电极直接形成良好的欧姆接触。
具有多晶钝化复合双面电池

[发明专利]一种多结纳米催化剂及其制备方法和应用-CN202210726646.2有效
发明人：李荣融;刘洪霞;任嗣利 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：本发明构筑了一种双p‑n结的纳米催化剂，在两个p‑n结之间利用GaInP2作为遂穿结，利用量子遂穿效应，使得电子在两个p‑n结之间传输。GaInP2遂穿结链接的p‑n结催化剂可以拓宽对太阳光的响应范围，进而提高催化剂在全解水制氢中的活性，该催化剂反应3h的产氢量为15.53μmol，传统的单p‑n结催化剂3h的产氢量为0.167μmol，在光解水中的活性是传统单p‑n结催化剂活性的93倍。
一种纳米催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种钙钛矿铜铟镓硒叠层电池遂穿复合层及其制备方法-CN202211535447.X在审
发明人：王奇;李仁龙 -专利权人：泰州锦能光电有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿铜铟镓硒叠层电池遂穿复合层及其制备方法，包括遂穿复合层本体，遂穿复合层本体设置在钙钛矿铜铟镓硒叠层电池的CIGS电池与钙钛矿电池之间；遂穿复合层本体包括依次设置的n型层、第一高阻层、n+型层、低阻层、p型层和界面钝化层，n型层与CIGS电池连接形成PN结，n+型层形成梯度分布的PN结，p型层通过界面钝化层与钙钛矿电池连接成为钙钛矿电池的空穴传输层。本发明在n+型层与p型层之间设置低阻层，防止n+型层与p型层形成反结；在p型层上设置界面钝化层；对n+型层表面进行表面处理，去除表面污染物；整体提升叠层电池的开路电压Voc和填充因子FF，提升叠层电池的整体性能
一种钙钛矿铜铟镓硒叠层电池复合及其制备方法

[发明专利]一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器-CN201910569151.1有效
发明人：吕红亮;孟凡康;芦宾;张玉明;吕智军;朱翊 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明涉及一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，是由InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET组成的平面结构，其中，InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET分别作为NTFET与本发明新型平面CTFET反相器中的NTFET与PTFET的隧穿结处均采用沟道覆盖源区的异质隧穿结形式，异质结隧穿可以提高反相器的工作频率，并且可以通过调控沟道覆盖源区的长度调节NTFET与PTFET的隧穿电流
一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器

[发明专利]一种异质结电池及其制备方法-CN202210307002.X在审
发明人：徐晓华;龚道仁;周肃;张鑫义;于长悦 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种异质结电池及其制备方法，异质结电池的制备方法包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层的至少一侧表面形成隧穿介质膜，所述隧穿介质膜中具有若干微孔；在所述隧穿介质膜背离所述半导体衬底层的一侧表面形成掺杂半导体层所述异质结电池的制备方法可以使异质结电池的寄生光吸收降低，导电性提高，进而提高异质结电池的转换效率。
一种异质结电池及其制备方法

[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN202210805561.3在审
发明人：周大华;石彪;张永娜;赵洪泉;朱海鹏;冯双龙;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，其中隧穿场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、异质结、导电电极层以及介质层，所述半导体衬底的上方设置所述绝缘层，所述绝缘层上方设置所述异质结，所述异质结的上方设置所述介质层，在所述异质结的两侧以及所述介质层的上方设置所述导电电极层，所述异质结包括错开堆叠的硒化钨层和硒化锆层。本发明采用硒化锆/硒化钨异质结作为隧穿层，通过栅压调节异质结界面能带结构，使得该晶体管具有较高的开态电流，解决硅基隧穿场效应晶体管开态电流小的问题。
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种硅基异质结遂穿场效应晶体管-CN201611077051.X有效
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：林伟
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公布了一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，该器件结构包括：一N型掺杂的硅半导体层；一本征的硅基半导体层；一P型硅锗过渡层；一P型锗半导体层；一在N型掺杂的硅半导体层上形成的漏电极；一在P型锗半导体材料上形成的源电极
一种硅基异质结遂穿场效应晶体管

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条