[发明专利]一种MIS-硅异质结太阳电池及其制备方法有效

申请号：	202010009879.1	申请日：	2020-01-06
公开（公告）号：	CN111211194B	公开（公告）日：	2021-12-03
发明（设计）人：	汤叶华;王科范	申请（专利权）人：	河南大学
主分类号：	H01L31/062	分类号：	H01L31/062;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司：	郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104	代理人：	张丽
地址：	475001***	国省代码：	河南;41
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摘要：	本申请公开一种MIS‑硅异质结太阳电池及其制备方法，所述一种MIS‑硅异质结太阳电池，包括载流子传输层(M)、载流子遂穿层(I)和半导体吸收层(S)。所述载流子传输层(M)由前表面载流子传输层(FM)和背表面载流子传输层(BM)构成，所述载流子遂穿层(I)由前表面钝化层(FI)和背表面钝化层(BI)构成，所述半导体吸收层(S)为半导体硅片材料。所述MIS‑硅异质结太阳电池的制备流程为：硅片(S)选取→硅片表面腐蚀、清洗→载流子遂穿层(I)制备→载流子传输层(M)沉积。
搜索关键词：	一种 mis 硅异质结太阳电池及其制备方法
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一种基于MIS太阳能电池结构的微纳机器人及其制备方法和应用-202210409112.7
发明人：王吉壮;高宇昕;李丹 -专利权人：暨南大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/062
摘要：本发明公开了一种基于MIS太阳能电池结构的微纳机器人及其制备方法和应用，属于微纳机器人技术领域；所述微纳机器人为核壳硅纳米线结构，制备方法包括：利用光刻工艺在硅片上制备光刻胶的点阵，之后利用湿法刻蚀工艺制备硅纳米线阵列，采用热氧化法在所得硅纳米线阵列表面得到绝缘层，然后在所述绝缘层上蒸镀磁性金属层，并利用热氧化法部分氧化所述磁性金属层得到金属氧化物作为催化剂层；本发明提供的微纳机器人在保证可见光驱动效率的前提下，也能有效利用外部磁场实现对微纳机器人方向的有效控制，为靶向药物输送、微区物体运输以及光神经调节等提供了很好的应用前景。

包括等离子体激元谐振器的混合传感器-202080085114.4
发明人： A.福尔克;S.扎法尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/062
摘要：一种半导体结构，包括连接半导体衬底(312)上的源极(302)和半导体衬底(312)上的漏极(304)的沟道(310)，其中沟道(310)包括等离子体激元谐振器。一种传感器，包括等离子体激元膜、半导体结构和等离子体激元膜与半导体结构的栅极之间的电连接，其中等离子体激元膜包括对已知分析物的敏感性，半导体结构包括场效应晶体管的源极(302)和漏极(304)。一种形成传感器的方法，包括在半导体衬底(312)上形成场效应晶体管(“FET”)，该场效应晶体管包括源极(302)、漏极(304)和栅极，其中该栅极包括等离子体激元谐振器。

一种MIS-硅异质结太阳电池及其制备方法-202010009879.1
发明人：汤叶华;王科范 -专利权人：河南大学
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/062
摘要：本申请公开一种MIS‑硅异质结太阳电池及其制备方法，所述一种MIS‑硅异质结太阳电池，包括载流子传输层(M)、载流子遂穿层(I)和半导体吸收层(S)。所述载流子传输层(M)由前表面载流子传输层(FM)和背表面载流子传输层(BM)构成，所述载流子遂穿层(I)由前表面钝化层(FI)和背表面钝化层(BI)构成，所述半导体吸收层(S)为半导体硅片材料。所述MIS‑硅异质结太阳电池的制备流程为：硅片(S)选取→硅片表面腐蚀、清洗→载流子遂穿层(I)制备→载流子传输层(M)沉积。

一种MIS结构太阳电池及其制备方法-201810541130.4
发明人：张曙光;温雷;李国强;高芳亮;徐珍珠;余粤锋 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L31/062
摘要：本发明属于太阳电池的技术领域，公开了一种MIS结构太阳电池及其制备方法。所述MIS结构太阳电池，由下至上依次包括背电极、GaAs层、硫醇单分子膜层、二硫化钼层以及顶电极。所述硫醇单分子膜层为单层有序自组装硫醇单分子膜层，硫醇在GaAs层的上表面通过自组装形成单分子膜层；所述硫醇为18硫醇或12硫醇中一种以上。本发明解决了GaAs和二硫化钼之间的界面问题，制备出的MIS结构太阳电池，有效降低了复合速率，提高了太阳电池的光电转换效率。本发明的MIS结构太阳电池制备方法简单有效，并使电池光电转换效率增强效果明显。

用于图像传感器的包括二重或者四重硅纳米线的全色彩单个像素-201180065814.8
发明人：穆尼布·沃贝尔 -专利权人：立那工业股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L31/062
摘要：一图像传感器包括一个基板和基板上的一个或多个像素。该像素中有子像素，包含对于不同色彩的光具有敏感的纳米线。该纳米线功能性的将其敏感的色彩的光转换成电信号。

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