“异质结层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2585864个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用-CN202110274722.6有效
发明人：张建军;黄鼎铭 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构，其包括具有图形结构的锗衬底、位于所述锗衬底上的具有无原子台阶锗表面的锗层，以及位于所述锗层上的砷化镓层。本发明还提供一种制备本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构的方法。本发明还提供本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构或本发明的方法制得的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构在锗基III‑V族半导体光电器件中的应用。本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构能够完全避免砷化镓/锗异质结构中反向畤的产生，进而实现无缺陷的异质结薄膜。本发明的制备方法简单，且能够实现大规模阵列式可控生长。
衬底砷化镓锗异质结薄膜复合结构及其制法应用

[发明专利]基于宽带隙窗口层的背结硅异质结太阳电池-CN202110022467.6有效
发明人：沈文忠;李正平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于宽带隙窗口层的背结硅异质结太阳电池，包括：作为基底的N型单晶硅层、依次设置于基底一侧的本征非晶硅层、宽带隙窗口层和透明导电氧化物层以及依次设置于基底另一侧的本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅发射极层和透明导电氧化物层，其中：P型掺杂非晶硅发射极层与基底之间形成PN异质结。本发明通过在背结硅异质结太阳电池的正面应用宽带隙窗口层，采用非晶氧化硅或非晶碳化硅作为宽带隙窗口层能透过更多光而减少光吸收的特性，提升背结异质结电池的短路电流，从而提升电池的转换效率的同时大幅度缩短制备时间
基于宽带窗口背结硅异质结太阳电池

[发明专利]异质结硅太阳能电池及其制造方法-CN200880111068.X无效
发明人：高志勋;鱼英株;金真阿;尹周焕;郑一炯;金钟焕 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：公开了一种异质结硅太阳能电池及其制造方法。根据本发明的异质结硅太阳能电池形成晶体硅基板和掺有杂质的钝化层的pn结，以使得电子和空穴的重新组合最小化，从而可以最大化异质结硅太阳能电池的效率。本发明提供一种异质结硅太阳能电池，其包括：晶体硅基板；和形成在所述晶体硅基板上并且掺有杂质的钝化层。
异质结硅太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种铁电异质结及其制备方法和电控微波电子元器件-CN201711079721.6有效
发明人：代波;李俊;任勇 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电异质结及其制备方法和电控微波电子元器件。所述铁电异质结包括顺序接触的电极层、压电基底层、缓冲层、交换偏置多层膜和保护层，其中，所述交换偏置多层膜为[铁磁层/反铁磁层]N，N为周期数，且N≥2，所述铁磁层为磁致伸缩系数较小的铁磁性材料本发明能够提供一种新型的含有铁磁/反铁磁交换偏置多层膜的铁电异质结；还能够对磁致伸缩系数较小的磁性薄膜高频性能进行大范围调节，进而获得良好的高频磁性的铁电异质结。本发明的铁电异质结具有广泛的用途，例如，可可用于新一代的电控微波电子元器件。
一种铁电异质结及其制备方法微波电子元器件

[发明专利]一种快速可擦写浮栅存储器及其制备方法-CN202010172782.2有效
发明人：朱宝;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明的快速可擦写浮栅存储器，包括：衬底；覆盖衬底的阻挡层，其为绝缘介质；形成在阻挡层上的浮栅；平行邻接放置在所述浮栅上的第一异质结和第二异质结，由二维材料组成；覆盖第一异质结和所述第二异质结的隧穿层，其为二维材料；形成在所述隧穿层上的沟道层，其为二维材料；以及形成在沟道层表面的源极和漏极。本发明采用两个导通方向相反的二维半导体材料构成的异质结作为电荷擦写通道，能够有效改善电荷擦写速度的对称性、加快读写速度。
一种快速擦写存储器及其制备方法

[实用新型]一种高效异质结太阳能电池-CN201520276973.8有效
发明人：薛黎明;杨武保 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效异质结太阳能电池。一种高效异质结太阳能电池，其包括晶硅层、非晶硅层、热处理硅区，所述高效异质结太阳能电池的下层为所述晶硅层，所述的高效异质结太阳能电池的上层为所述非晶硅层，在所述非晶硅层上，夹杂有热处理硅区。所述热处理硅区为薄片状，在所述非晶硅层表面投影形成的图像为平行线型、圆形、矩阵型或其他图形。本实用新型的高效异质结太阳能光伏电池，消除非晶硅的衰减，消除非晶硅中光生载流子的无效复合，大幅度提高光伏效率。
一种高效异质结太阳能电池

[发明专利]具有自旋轨道矩效应的异质结材料及其制备方法与应用-CN202111514579.X在审
发明人：何洪涛;余涛;周良;陈平博 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：本发明公开了具有自旋轨道矩效应的异质结材料及其制备方法与应用，该异质结材料包括依次叠加的锰氧化物层和铱氧化物层；所述锰氧化物层为La0.67Sr0.33MnO3层；所述铱氧化物层为XIrO3层；所述铱氧化物层中铱氧化物为钙钛矿型氧化物；所述锰氧化物层的厚度为3nm～8nm；所述铱氧化物层的厚度为5nm～12nm。本发明提供的异质结材料是一种具有显著自旋轨道矩效应的铱氧化物基异质结薄膜材料。该材料通过调控异质结界面磁耦合性能，以达到调节异质结自旋轨道矩效应的目的，使其在磁信息存储和纳米振荡器等领域具有广泛的应用潜力。
具有自旋轨道效应异质结材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器-CN201810888810.3在审
发明人：黄安平;张新江 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明所述一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器，其基本结构由下至上依次包括衬底、底电极层、阻变功能层、顶电极层。其中阻变功能层为黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结，且该范德华异质结中可掺入金属离子。本发明具有如下优点：本发明利用黑磷容易自然氧化成氧化磷的特点设计了BP和P₄O_x范德华异质结，将黑磷在应用中的不足变为可利用的优点。同时，利用BP和P₄O_x范德华异质结对阳离子的束缚作用和电导可变特性设计了基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器。本发明电学性能优异，且具有良好的散热性。本发明的制备方法简单，成本低，存储稳定，可使用领域广泛，有利于黑磷德华异质结忆阻器的大规模生产及产业化应用。
黑磷异质结忆阻器氧化物功能层产业化应用存储稳定底电极层电学性能顶电极层金属离子可变特性自然氧化散热性阳离子氧化磷掺入衬底电导异质制备束缚应用

[实用新型]一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构-CN201921214481.0有效
发明人：林志东;房育涛;刘波亭;林云昊;许燕丽;张恺玄 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、AlGaN双异质结高阻缓冲层和GaN层：所述AlGaN双异质结高阻缓冲层中包含两个以上的AlGaN异质结结构，其中，每个周期的异质结结构中包括两层AlGaN层，其中一层的厚度范围为100‑1000nm；另一层的厚度范围为1‑99nm。本实用新型能够减小AlGaN层的背景电子浓度和增加电子垂直方向散射从而实现高阻缓冲层的生长，获得高质量的GaN基缓冲层。
高阻缓冲层双异质结本实用新型异质结结构层叠设置外延结构成核层缓冲层散射衬底减小两层生长

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池-CN202110621578.9在审
发明人：孙宝全;张国华;姜聪慧;宋涛 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种硅异质结太阳能电池，包括基板和设置在所述基板上的发光量子点薄膜，所述基板包括依次设置的第一银栅层、第一ITO(氧化铟锡)层、P型非晶硅层、第一本征非晶硅层、第一N型单晶硅层、第二本征非晶硅层、第二N型非晶硅层、第二ITO层和第二银栅层，所述发光量子点薄膜覆盖在第一银栅层的外表面上。本发明通过引入发光量子点来修饰异质结硅太阳能电池，颜色单调的异质结硅电池可以呈现各种不同的颜色；并且这种异质结硅电池的短波吸收也大大降低，效率与商业化的异质结硅电池相近。
一种硅异质结太阳能电池

[发明专利]一种用于太阳电池的薄膜硅/晶体硅异质pn结结构-CN201010200422.5无效
发明人：赵雷;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种用于太阳电池的薄膜硅/晶体硅异质pn结结构，其特征在于，在由掺杂类型相反的薄膜硅层和晶体硅层构成的异质pn结的薄膜硅层和晶体硅层之间插入一层本征非晶硅锗层做异质结界面的钝化层。所述的本征非晶硅锗层是单一组分的或组分渐变的。与现有的薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池采用的含有本征非晶硅层做异质结界面钝化层的薄膜硅/晶体硅异质pn结相比，本发明可以减小薄膜硅/晶体硅异质pn结界面处的能带失配，改善载流子输运特性，从而改善太阳电池性能
一种用于太阳电池薄膜晶体硅异质 pn 结构

[发明专利]一种有机体异质结掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201911152074.6在审
发明人：钟建;董怀远;何伊玫;刘洁尘;刘泽宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机体异质结掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于电子元器件中有机光电器件技术领域，由下至上依次包括衬底、第一电极层、功能层和第二电极层，其特征在于：所述功能层包括至少一层掺杂有机给受体体异质结的钙钛矿活性层，所述有机给受体体异质结包含两种有机物组分，分别为电子给体材料和电子受体材料，每种有机物组分至少包含一种聚合物和一种小分子材料；所述有机体异质结通过溶解入溶剂中掺杂在钙钛矿前驱体溶液中，通过旋涂制备掺杂有机体异质结的钙钛矿活性层将有机体异质结引入钙钛矿活性层中，有效的拓宽了光谱，获取了不同于钙钛矿吸收波段的其他波段光生电流，并提升了器件的填充因子，有效地提升电池效率。
一种有机体异质结掺杂钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种包含空穴传输层的异质结太阳电池及制备方法-CN201811531039.0在审
发明人：张曙光;温雷;徐珍珠;余粤锋 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含空穴传输层的异质结太阳电池，由下至上依次包括底电极、GaAs衬底、InGaAs外延层、空穴传输层、二硫化钼层和顶电极。所述空穴传输层为2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨基]‑9,9'‑螺二芴薄膜。本发明还公开了上述包含空穴传输层的异质结太阳电池的制备方法。本发明的异质结太阳电池，不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高，是一种制备新型异质结太阳电池的有效方法。
异质结太阳电池空穴传输层制备光电转换效率氨基二硫化钼层甲氧基苯基工艺成本制备工艺底电极顶电极螺二芴外延层衬底薄膜

[发明专利]一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法-CN202111301490.5有效
发明人：王鑫华;刘新宇;黄森;魏珂;蒋其梦;殷海波;樊捷;邓可心;景冠军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化镓器件包括：基质层、(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层、源电极、漏电极和栅电极，(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层覆盖在基质层上面，源电极和漏电极分别设置在(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层两端，栅电极设置在源电极和漏电极之间，源电极和栅电极之间的(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有LPCVD‑氮化硅材料层，漏电极和栅电极之间的至少部分(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有非LPCVD工艺生长的钝化层。
一种基于介质图形技术氮化器件及其制备方法

[发明专利]双面异质结太阳能电池及光伏组件-CN202011054163.X在审
发明人：张达奇;姚铮;吴华德;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供了一种双面异质结太阳能电池及光伏组件，其所涉及双面异质结太阳能电池中位于单晶硅衬底背光面的第二掺杂非晶层包括位于第二本征非晶层表面的第一掺杂非晶硅膜以及位于第一掺杂非晶硅膜表面的第一掺杂非晶氧化硅膜或第一掺杂非晶碳化硅膜；基于该结构，可以在确保第二掺杂非晶层与第二本征非晶硅层具有良好接触的前提下提高第二掺杂非晶层的透光性，如此能降低太阳光在由背光面进入双面异质结太阳能电池内部时的损耗，可提高双面异质结太阳能电池的短路电流，进而可在优化双面异质结太阳能电池光电转化效率的同时也能提高双面异质结太阳能电池的双面率。
双面异质结太阳能电池组件

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 100000 条