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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法-CN202110759016.0有效
发明人：迟力峰;黄丽珍;王滋;薛娣 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法，紫外光晶体管包括自上而下依次设置的基底、绝缘层、模板层、晶态有机异质结光敏层以及源漏电极，模板层为七联苯，晶态有机异质结光敏层包括p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层，p型有机半导体光敏层和n型有机半导体光敏层依次沉积在模板层上。本发明基于有机晶态异质结的紫外光晶体管通过引入晶态有机异质结，晶态有机异质结高效的载流子输运对光的协同吸收效应以及异质结界面效应对激子分离的促进作用，使得器件的光电学性能有了显著的影响，而且制备方法简单快速
基于有机晶态异质结紫外光晶体管及其制备方法

[发明专利]一种氮化硼/石墨烯异质结器件-CN201911000926.X在审
发明人：徐明生;王维佳;冯志红;蔚翠 -专利权人：浙江大学;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硼/石墨烯异质结器件，其特征在于，所述氮化硼/石墨烯异质结器件包括六方氮化硼材料层和石墨烯材料层，所述氮化硼和石墨烯层间的旋转角度在5°‑15°之间。本发明提供的氮化硼/石墨烯异质结器件在特定的层与层堆砌(旋转)结构，可以使异质结体系出现平带结构而导致超导现象。
一种氮化石墨烯异质结器件

[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[发明专利]一种表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍及其制备方法和应用-CN202210504090.2在审
发明人：宫勇吉;金椿乔;翟朋博 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01M4/1397 文献下载
摘要：本发明涉及锂硫电池技术领域，尤其涉及一种表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍及其制备方法和应用。发明提供的制备方法，包括以下步骤：将尿素、氧化剂和水混合，得到尿素溶液；将泡沫镍置于所述尿素溶液中，依次进行水热反应、退火处理和硫化反应，得到表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍；所述异质结纳米片层中的异质结纳米片为NiO和Ni3S2的异质结纳米片，所述NiO和Ni3S2的异质结纳米片的厚度为1.7～3.2nm。利用本发明所述的制备方法制备得到的表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍表面的异质结纳米片的厚度为1.7～3.2nm，具有更好的活性位点，且与泡沫镍的结合性强。
一种表面生长有异质结纳米泡沫及其制备方法应用

[发明专利]基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构及其制备工艺-CN201110405263.7有效
发明人：王旺平 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构，包括P型晶体硅，所述的P型晶体硅衬底底部具有由本征异质材料层以及N型异质材料层构成的异质结结构，所述的本征异质材料层插于N型异质材料层与P型晶体硅之间，N型异质材料层外部包裹有绝缘层，所述的绝缘层的底部设置有铝金属层；所述的P型晶体硅衬底底部两端设置有P+定域掺杂区，P+定域掺杂区的下方具有点接触的铝烧结区。本发明在保留异质结的良好钝化效果的同时，可以将光生空穴通过背结构良好导出，还能防止同质浮动结的针孔寄生回路问题。
基于异质结浮动太阳能电池钝化结构及其制备工艺

[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法-CN202110596804.2在审
发明人：张海川;袁强;石建华;孟凡英;刘正新;程琼;周华 -专利权人：中威新能源(成都)有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结太阳电池及其制备方法，涉及异质结太阳电池领域。该异质结太阳电池包括硅衬底，硅衬底的正面依次叠加设置有正面钝化层、n型掺杂层、正面TCO层和正面电极，硅衬底的背面依次叠加设置有背面钝化层、p型掺杂层、背面TCO层和背面电极，正面TCO层和/或背面TCO层包括至少两层TCO薄膜，其中部分层数的TCO薄膜为掺杂浓度0‑5wt％的低掺杂TCO薄膜，部分层数的TCO薄膜为掺杂浓度8‑15wt％的高掺杂TCO薄膜。该异质结太阳电池及其制备方法在保证电池成本、效率的同时，有效提升异质结太阳电池的可靠性，减缓异质结太阳电池的老化衰减。
一种异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结电池制备方法-CN201911418127.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池制备方法，异质结电池包括依次顺序设置的栅电极、透明导电层、n型非晶硅层、本征非晶硅层、单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶硅层、透明导电层及栅电极，制备方法包括：在进行所述透明导电层的镀膜工艺之前，对所述异质结电池的半成品所处环境进行水汽管控，使所述异质结电池的半成品所处环境中的水汽含量控制在4E‑9mbar~6E‑9mbar范围内。该异质结电池制备方法在进行透明导电层的镀膜工艺之前通过进行水汽管控，使得形成的透明导电层的方阻降低，稳定性提升，波动减少；并使得最终形成的异质结电池的转换效率提高，填充因子增加，同时降低了串联电阻值。
一种异质结电池制备方法

[实用新型]异质结太阳能电池及光伏组件-CN202021771521.4有效
发明人：吴华德;姚铮;张达奇 -专利权人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及异质结太阳能电池包括单晶硅衬底、设置于所述单晶硅衬底正面的第一本征非晶层以及设置于所述单晶硅衬背面的第二本征非晶层，所述第一本征非晶层的厚度小于所述第二本征非晶层的厚度；本实用新型中第一本征非晶层厚度相对较小可以有效降低异质结太阳能电池正面的短波吸收，提高异质结太阳能电池的短路电流；而第二本征非晶层相对较厚可以提高异质结太阳能电池背面的钝化效果，提升异质结太阳能电池的开路电压，如此可综合优化异质结太阳能电池的光电转化效。
异质结太阳能电池组件

[发明专利]一种异质结材料及其制备方法和用途-CN202010118693.X在审
发明人：何洪涛;余涛;陈平博;周良 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结材料及其制备方法和用途。所述异质结材料包括SrIrO3层以及位于所述SrIrO3层上的锰氧化物层。所述制备方法包括：(1)沉积SrIrO3层；(2)在SrIrO3层上沉积锰氧化物层，得到所述异质结材料。本发明提供的异质结材料通过异质结界面极性不连续和SrIrO3中强自旋‑轨道耦合能的共同作用下驱动了异质结界面的非对称电荷转移。通过调节异质结界面的极性不连续性以及连同SrIrO3中强的自旋耦合能，可以有效地调控界面电荷转移的程度，从而实现调节异质结材料界面的磁耦合性能。
一种异质结材料及其制备方法用途

[发明专利]一种异质结电池及异质结电池的制备方法-CN202110610858.X在审
发明人：辛科;周肃;龚道仁;徐晓华;陈光羽;李建清;王文静 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供了一种异质结电池及异质结电池的制备方法，属于光伏电池的技术领域。该异质结电池包括入光面的第一透明导电层和背光面的第二透明导电层，所述第一透明导电层包括第一掺硼氧化锌薄膜层，所述第二透明导电层包括第二掺硼氧化锌薄膜层，所述第一掺硼氧化锌薄膜层和所述第二掺硼氧化锌薄膜层的硼掺杂量在所述异质结电池厚度方向上从内至外逐渐增加通过本申请的处理方案，能够减小异质结电池吸收光时的光损失。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]氮化镓基晶体管器件外延结构及其制备方法、器件-CN202010902507.1在审
发明人：何俊蕾;林科闯;刘成;郭德霄;赵杰;徐宁;汪晓媛;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化镓基晶体管器件外延结构，包括：衬底及依序形成于衬底上的缓冲层、第一层异质结、刻蚀终止层和第二层异质结，第二层异质结形成有凹槽，第二层异质结背离刻蚀终止层的一侧形成有P型氮化物层，且P型氮化物层填充凹槽本发明，一方面，能够通过形成的第一层异质结和第二层异质结，使两个异质结的二维电子气沟道之间可产生强耦合，从而降低该功率器件的导通电阻；另一方面，增加非凹槽处外延层厚度，降低表面态对沟道二维电子气的影响，同时阻止P型氮化物层填充凹槽过程中受主杂质如镁扩散至二维电子气沟道，提升器件动态稳定性。
氮化晶体管器件外延结构及其制备方法

[发明专利]基于异质结光响应双通道传感芯片及其制备方法与应用-CN202111589823.9在审
发明人：庞雪辉;吕晓奕;解建东;庞迎新 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01N27/27 文献下载
摘要：本发明属于生物传感检测技术领域，涉及基于异质结光响应双通道传感芯片及其制备方法与应用；包括两个对立设置的导电基板，一个导电基板设置两个相互绝缘的反应室，一个反应室表面设置第一异质结光响应膜层，另一个反应室表面设置第二异质结光响应膜层；另一个导电基板为辅助电极；第一异质结光响应膜层的表面和第二异质结光响应膜层的表面均设置特异性探针，第一异质结光响应膜层由Cu2O膜层与聚三噻吩膜层形成，第二异质结光响应膜层由
基于异质结光响应双通道传感芯片及其制备方法应用

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池-CN201621054544.7有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。由于TiOx光学带隙较宽，从迎光面入射的太阳光几乎可以全部进入到晶体硅内部，从而避免了由于窗口层的吸收而导致的光生电流损失。另外，TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本实用新型所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。
一种晶体硅异质结太阳电池

[发明专利]石墨烯垂直异质结器件及其制备方法-CN201810234998.X有效
发明人：李裴森;潘孟春;彭俊平;邱伟成;胡悦国;陈棣湘;胡佳飞;田武刚;张琦 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯垂直异质结器件及其制备方法，该石墨烯垂直异质结器件包括石墨烯层、第一异质层和具有贯穿孔的支撑基底，石墨烯层设于支撑基底表面，第一异质层位于贯穿孔中，第一异质层与石墨烯层物理结合构成第一异质结制备方法，包括以下步骤：(1)在支撑基底上开设垂直于支撑基底表面的贯穿孔；(2)将悬浮石墨烯转移至支撑基底表面；(3)采用生长法在支撑基底的贯穿孔中制备第一异质层。该方法能解决传统石墨烯垂直器件制备存在的界面氧化、吸附和不平整等问题，所制备的垂向异质结器件具有电阻小、防氧化、界面平整、结构紧凑、成本低等优点。
石墨垂直异质结器件及其制备方法

[发明专利]一种二硫化钼/石墨烯异质结器件-CN201910995467.7有效
发明人：徐明生;王维佳 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L39/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/石墨烯异质结器件，所述二硫化钼/石墨烯异质结器件包括二硫化钼材料层和石墨烯材料层，所述二硫化钼和石墨烯层间的旋转角度在7°‑15°之间。本发明提供的二硫化钼/石墨烯异质结器件通过控制MoS2材料层与石墨烯材料层间的旋转角能够调控异质结体系的能带结构而可以诱导出超导特性。
一种二硫化钼石墨烯异质结器件

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