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[发明专利]异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件-CN202111220878.2在审
发明人：朱佩;陈亚文 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件。该异质结纳米材料包括：第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结。该异质结纳米材料含有第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结，从而有利于自由电子迁移，使得异质结纳米材料具有较高的电导率；此外，该异质结纳米材料相比于单纯的金属硒化物纳米材料具有更好的光散射作用。
异质结纳米材料电子传输薄膜显示器件

[发明专利]一种异质结构红外上转换可视化器件-CN202010189337.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京科易达知识产权服务有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结构红外上转换可视化器件，包括具有异质结的红外上转换可视化薄膜，所述异质结构红外上转换可视化器件还包括具有微凹阵列薄膜，所述薄膜集成于所述异质结构红外上转化器件顶部电极表面；或者，所述薄膜集成于所述异质结构红外上转化器的本发明提供的异质结构红外上转换可视化器件在发光层表面增加微凹锥阵列结构，提高OLED层的外量子效率，进而提高基于异质结的上转换可视化薄膜的光‑光转换效率。
一种结构红外转换可视化器件

[发明专利]光电异质异构集成工艺参数化基础单元模型构建方法-CN202210379116.5有效
发明人：刘杰;王皓岩;叶雨农;李苗;李嵬;汪志强;戴扬 -专利权人：中国电子科技集团公司信息科学研究院
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开涉及建模封装技术领域，提供一种光电异质异构集成工艺参数化基础单元模型构建方法，包括：分别建立各光电异质异构集成基础单元的参数化矩阵模型，其中，光电异质异构集成基础单元包括电驱动芯片、光学有源器件、光学无源器件、光电异质异构无源互连结构；根据光电异质异构集成系统的设计需求，调用各参数化矩阵模型，进行环境参数计算分析，搭建光电异质异构集成系统的仿真链路，得到光电异质异构集成系统。本公开在保障不同专业模型有效性和参数化的同时，考虑了环境因素，实现了基于模型的系统优化仿真分析，提升了光电异质异构集成设计能力和设计效率。
光电异质异构集成工艺参数基础单元模型构建方法

[发明专利]一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片-CN202010979348.5在审
发明人：谢鹏程;张剑桥;陆前军;康凯;肖桂明 -专利权人：东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片。该图形化复合衬底的制备方法包括：在衬底基板上形成第一异质层；在第一异质层上形成第二异质层，第二异质层中掺杂有硼、磷或锗中的至少一种元素；对第二异质层进行高温退火平坦化处理；在第二异质层表面形成光刻胶层；通过图形转移技术，使光刻胶层形成光刻胶胶柱掩膜；根据光刻胶胶柱掩膜，对第二异质层、第一异质层和衬底基板进行图形化，形成图形化复合衬底。本发明实施例解决了现有的异质层表面平坦度低和粗糙度差的问题，能够制备形成符合标准的图形化复合衬底，有利于改善外延层生长质量，同时保证图形化复合衬底对光线路径的改善，提高LED芯片的光出射效率。
一种图形复合衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种异质集成图形化氧化镓及其制备方法-CN202310277431.1在审
发明人：韩根全;贾晓乐 -专利权人：西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B31/22 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开一种异质集成图形化氧化镓及其制备方法。本发明的制备方法中，首先对待键合氧化镓单晶进行图形化处理，再对图形化氧化镓单晶进行元素注入；然后将完成元素注入的氧化镓单晶与异质衬底单晶键合，最后经退火实现图形化氧化镓单晶键合到异质衬底上，获得异质集成图形化氧化镓，该异质集成图形化氧化镓能有效缓解由异质衬底集成图形化氧化镓制成的氧化镓器件的自热效应，对未来氧化镓器件的发展意义重大。
一种集成图形氧化及其制备方法

[发明专利]一种多异质能源同质化耦合的表征方法-CN201811552623.4在审
发明人：叶林;屈晓旭;路朋;么艳香;李宏 -专利权人：中国农业大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多异质能源同质化耦合的表征方法，包括以下步骤：一、对多异质能源系统的概念进行阐述，从能源的发电环节‑传输环节两种角度，将多异质能源系统分为源端异质能源系统和网络异质能源系统；二、对源端异质能源系统的发电端进行同质化建模表征；三、针对多异质能源不同时间尺度特性不一特点，采用变异系数表征异质能源的波动性，构建波动强弱的梯次顺序表；四、借鉴物理学中耦合概念与耦合系数模型，定义多种异质能源在多异质能源系统中的耦合度指标；五、运用场景分析法，分析所提多异质能源同质化模型在不同耦合度场景下的适用性。实现了多种能源在发电端的同质化表征，解决了可再生能源发电模型与传统电源模型相容度不高的问题。
异质能源系统同质化能源耦合的源端可再生能源发电耦合度指标变异系数场景分析传输环节传统电源发电环节时间尺度耦合系数耦合波动性发电端顺序表相容度耦合度构建建模物理学场景发电强弱网络分析

[发明专利]一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法-CN202210603401.0在审
发明人：郭炜;戴贻钧;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法，涉及半导体领域，该方法包括获得形成有图形化极性调节层的衬底；通过调节Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比生长鳍式异质结，鳍式异质结包括在衬底未被图形化极性调节层覆盖的区域的氮极性异质结，以及位于图形化极性调节层上的金属极性异质结，氮极性异质结和金属极性异质结的高度不同；制备电极，得到具有鳍式结构的半导体器件。图形化极性调节层可以控制金属极性异质结和氮极性异质结的分布，在不同Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比下，金属极性异质结和氮极性异质结生长高度不同，可直接生长出鳍式异质结，无需刻蚀，既可避免刻蚀带来的损伤，还避免刻蚀损伤造成的沟道漏电通道
一种具有结构半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种基于异质化缩减的云状图像识别方法及系统-CN202011111219.0有效
发明人：秦小林;彭云聪;顾勇翔;罗刚;崔小莉;葛澍;候孝振;朱遥遥 -专利权人：中科院成都信息技术股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06V20/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质化缩减的云状图像识别方法及系统，该方法：首先对原始云状图像进行障碍物去除和图像增强的预处理；然后，对经过预处理后的云状图像进行异质化缩减处理，异质化缩减处理为根据云状图像总体像素分布，对所有云状图像进行直方图匹配；最后，将经过异质化缩减处理后的云状图像输入至训练好的云状图像识别模型中进行识别，并得到相应的识别结果。因此，本发明通过对云状图像进行异质化缩减处理，使输入至识别模型中的图像更易学习和识别，从而解决地基云观测众包模式下存在的异质化现象。
一种基于异质化缩减云状图像识别方法系统

[发明专利]锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用-CN202110274722.6有效
发明人：张建军;黄鼎铭 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构，其包括具有图形结构的锗衬底、位于所述锗衬底上的具有无原子台阶锗表面的锗层，以及位于所述锗层上的砷化镓层。本发明还提供一种制备本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构的方法。本发明还提供本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构或本发明的方法制得的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构在锗基III‑V族半导体光电器件中的应用。本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构能够完全避免砷化镓/锗异质结构中反向畤的产生，进而实现无缺陷的异质结薄膜。本发明的制备方法简单，且能够实现大规模阵列式可控生长。
衬底砷化镓锗异质结薄膜复合结构及其制法应用

[发明专利]一种图形化衬底、制备方法及LED外延片-CN202211027249.2在审
发明人：曾广艺;王子荣 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种图形化衬底、制备方法及LED外延片，制备方法包括提供一蓝宝石基底；在基底上沉积第一异质材料，形成预设孔隙率的带孔隙异质层或混合沉积至少两种异质材料，形成预设掺杂比例的复合异质层；通过刻蚀工艺对复合异质层或带孔隙异质层进行图案化，形成预设表面粗糙度的多个第一异质微结构，多个表面粗糙的第一异质微结构能够促进外延层内部的位错沿图形侧面以及在图形顶部的合拢，提高外延材料的晶体质量、减小衬底表面的应力影响，同时保证图形化衬底对光线路径的改善，衬底与异质材料较大的折射差也能够提升出光的提取效率。
一种图形衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN202210805561.3在审
发明人：周大华;石彪;张永娜;赵洪泉;朱海鹏;冯双龙;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，其中隧穿场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、异质结、导电电极层以及介质层，所述半导体衬底的上方设置所述绝缘层，所述绝缘层上方设置所述异质结，所述异质结的上方设置所述介质层，在所述异质结的两侧以及所述介质层的上方设置所述导电电极层，所述异质结包括错开堆叠的硒化钨层和硒化锆层。本发明采用硒化锆/硒化钨异质结作为隧穿层，通过栅压调节异质结界面能带结构，使得该晶体管具有较高的开态电流，解决硅基隧穿场效应晶体管开态电流小的问题。
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种异质血管化人工骨骼肌组织、制备方法及微型机械臂-CN202111553731.5有效
发明人：孙韬;石青;梁茜;王化平;福田敏男;黄强 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B25J9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质血管化人工骨骼肌组织、制备方法及微型机械臂，属于仿生机械臂技术领域。异质血管化人工骨骼肌组织包括多对沿长轴方向对称设置且具有不同曲率的条状肌肉带，每条条状肌肉带包括多根沿长轴方向分层交替排布的仿生微肌束和中空微纤维，仿生微肌束和中空微纤维通过第一水凝胶连接。微型机械臂包括异质血管化人工骨骼肌组织、执行机构和电极刺激机构；所述电极刺激机构位于异质血管化人工骨骼肌组织的两端，执行机构固定在一对异质血管化人工骨骼肌组织之间。该机械臂使用异质血管化人工骨骼肌组织作为驱动，无需使用电机和复杂的机械结构，有效减少了外围驱动设备的体积，实现了机械臂装置的微型化与轻型化。
一种血管人工骨骼肌组织制备方法微型机械

[发明专利]一种碲化钨-硼化钨异质结电催化剂及其制备方法和应用-CN202010412866.9有效
发明人：范修军;刘辉;李思殿 -专利权人：山西大学
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂及其制备方法和应用，目的是提供一种多孔的碲化钨和硼化钨异质结的多孔薄膜材料作为新型电催化剂，以便获得更强的水分解析氢电催化性能。技术方案是：一种碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂，所述催化剂为以阳极氧化后的钨箔为模板和钨源，分别以碲粉为碲源，硼氧混化物粉末为固体硼源，先后通过两步化学气相沉积的方法制备而成的碲化钨与硼化钨两相异质结的纳米多孔薄膜本发明的碲化钨‑硼化钨异质结电催化剂具有优异的析氢电化学还原性能，其中异质结构使得碲化钨中电子向硼化钨转移，优化了碲化钨和硼化钨界面的局域电子结构，改善了其对氢的吸附能，使得其催化活性增强、析氢性能高度稳定等
一种碲化钨硼化钨异质结电催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种钒掺杂二硒化钨/MXene异质结双向电催化剂及其制备方法-CN202210083801.3有效
发明人：李运勇;王炜龙;王伟;单炯威;张冰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种钒掺杂二硒化钨/MXene异质结结构材料及其制备方法和应用，所述钒掺杂二硒化钨/MXene异质结结构材料是由钒掺杂二硒化钨在MXene材料表面原位垂直生长而形成的异质结纳米片。本申请还提供了一种钒掺杂二硒化钨/MXene异质结双向电催化剂及其制备方法，对开发出成本低廉的新型高效双功能电催化剂具有重要意义。
一种掺杂二硒化钨 mxene 异质结双向催化剂及其制备方法

[发明专利]一种基于二硒化铂和锗的异质结及光电探测器、及其制备方法-CN202211681298.8在审
发明人：徐明生;朱清海;陈叶馨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硒化铂和锗的异质结及光电探测器、及其制备方法，该异质结及其光电探测器在二硒化铂和锗层之间存在一薄层的超薄绝缘层，该绝缘层能够提高异质结界面势垒，作为隧穿层可以调控电荷输运特性，同时能够钝化锗界面态为了防止锗衬底在铂薄膜硒化过程中生成硒化锗，本发明还公开了在该异质结结构的锗衬底背面制备绝缘层，从而形成二硒化铂/超薄绝缘层/锗/背面绝缘层的异质结结构。该异质结及其光电探测器的制备方法简单、成本低、兼容硅工艺。由该异质结组成的光电探测器具有可零偏压驱动、高响应率、高探测率、高开关比、低暗电流、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，这为新一代高性能光电探测器铺平了道路。
一种基于二硒化铂异质结光电探测器及其制备方法

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