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[实用新型]一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片-CN201821364288.0有效
发明人：华亚平 -专利权人：安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片，由第一MEMS芯片和应力缓冲结构构成，应力缓冲结构通过中心埋氧与第一MEMS芯片的底板连接，所述的应力缓冲结构由连接区、应力缓冲弹簧和外框构成，应力缓冲弹簧位于外框和连接区之间，连接区的投影面积占第一MEMS芯片投影面积的1/10～1/3，应力缓冲结构上均布有释放孔，应力缓冲结构的外框边缘位于第一MEMS芯片边缘的投影区内，应力缓冲结构的横截面面积小于第一MEMS芯片的横截面面积本实用新型制造的具有应力缓冲结构的MEMS芯片的应力缓冲结构通过中心埋氧连接在MEMS芯片的底部，达到降低封装应力的目的，其优点在于工艺简单、芯片面积小、封装成品率高、成本低。
应力缓冲结构连接区投影本实用新型应力缓冲弹簧埋氧外框底板连接封装应力外框边缘成品率释放孔封装均布芯片制造

[实用新型]一种具有厚度调节结构的应力缓冲装置及应力缓冲结构-CN201821615981.0有效
发明人：肖立敉 -专利权人：肖立敉
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： E21D11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有厚度调节结构的应力缓冲装置及应力缓冲结构，涉及结构设计与建造技术领域，包括：应力缓冲部件，应力缓冲部件为密封充气垫，应力缓冲部件为立方体形；至少一根灌溶管，灌溶管铺设在应力缓冲部件内，灌溶管上设置有多个灌溶孔；灌溶立管，灌溶立管插设在应力缓冲部件上，并与灌溶管连通；灌溶液收集管，灌溶液收集管插设在应力缓冲部件上，灌溶液收集管的一端位于应力缓冲部件的外部，灌溶液收集管的另一端位于应力缓冲部件的内部本实用新型利用应力缓冲部件、灌溶管以及灌溶立管，避免建筑与地下岩质结构直接接触，为建筑施工时的应力缓冲提供帮助。
应力缓冲部件溶液收集立管厚度调节结构应力缓冲结构应力缓冲装置本实用新型建筑施工立方体形应力缓冲充气垫根灌溶孔岩质连通密封铺设地下建造外部帮助

[发明专利]导电连接结构-CN201710159756.4有效
发明人：林柏均 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电连接结构，包括半导体基板、导电柱及应力缓冲层。导电柱位于半导体基板中。应力缓冲层位于半导体基板与导电柱之间。导电柱具有突出部贯穿应力缓冲层。此应力缓冲层可以减缓导电连接结构内部的应力。此外，导电连接结构可进一步包含位于突出部上且未与应力缓冲层接触的导线，当导电连接结构内产生应力时，若导电柱发生变形，导线不会被应力缓冲层拉扯而可避免导线发生金属疲劳，而促使本发明的导电连接结构有良好性能
导电连接结构

[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置-CN202110413936.7有效
发明人：远新新 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：显示面板包括：可折叠区；第一应力缓冲层；所述第一应力缓冲层包括第一应力缓冲结构，所述第一应力缓冲结构位于所述可折叠区内，所述第一应力缓冲结构包括形成于所述第一应力缓冲层上的多个凹槽；所述凹槽的内表面包括多个凸起部本发明实施例可以在显示面板折叠时缓冲膜层应力，从而减轻显示面板因折叠产生的折痕不平整现象，保证显示效果，提升用户体验。
显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]一种IC封装结构和IC封装方法-CN202010444402.6有效
发明人：王顺波;钟磊 -专利权人：甬矽电子(宁波)股份有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种IC封装结构和IC封装方法，涉及芯片封装领域，该IC封装结构包括：基板、贴装在基板上的应力缓冲片、贴装在应力缓冲片上的封装芯片、以及包覆在封装芯片外的塑封体，其中，封装芯片与基板电连接，应力缓冲片用于缓冲作用在封装芯片上的应力。相较于现有技术，本发明提供的IC封装结构，将应力缓冲片通过银胶贴装在基板上，封装芯片通过银胶贴装在应力缓冲片上。应力缓冲片具有一定的形变能力，利用应力缓冲片来缓冲作用在封装芯片上的应力，避免将封装芯片直接贴装在基板上，从而避免了由热膨胀系数不匹配导致的应力作用在正装封装芯片上，避免了应力引起封装芯片性能下降。
一种 ic 封装结构方法

[发明专利]圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构-CN201210011301.5无效
发明人：宁文果;罗乐;徐高卫 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种圆片级应力缓冲结构，应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、制作于芯片本体(1)硅基材正面的凹槽(2)、凹槽内填充的应力缓冲介质(3)，在应力缓冲介质上制作焊球(4)。其特征在于：在凹槽(2)内填充应力缓冲介质(3)。本发明的特点是改变传统应力缓冲层的缓冲介质的位置，将缓冲介质制作到硅基芯片里面，从而能起到缓冲应力的作用，而不增加封装结构厚度。
圆片级芯片尺寸封装应力缓冲结构

[发明专利]一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片及其制造方法-CN201810966348.4在审
发明人：华亚平 -专利权人：安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片及其制造方法，具体是通过半导体加工工艺将圆片级封装的MEMS圆片的底板SOI圆片的底氧化层形成底氧化层图形，露出部分底硅层表面；然后以底氧化层图形为掩膜，对MEMS圆片进行深硅蚀刻，露出埋氧层表面，底硅层被蚀刻成应力缓冲结构，形成划片区、外框、应力缓冲弹簧、空窗区、连接区以及释放孔；再将MEMS圆片浸入HF或缓冲HF溶液中，形成中心埋氧图形，形成具有应力缓冲结构的MEMS圆片；最后切割圆片完成具有应力缓冲结构的MEMS芯片的制造。本发明制造的具有应力缓冲结构的MEMS芯片的应力缓冲结构通过中心埋氧连接在MEMS芯片的底部，达到降低封装应力的目的，其优点在于工艺简单、芯片面积小、封装成品率高、成本低。
应力缓冲结构圆片底氧化层埋氧制造半导体加工工艺底板蚀刻圆片级封装封装应力硅层表面切割圆片应力缓冲浸入成品率硅蚀刻划片区连接区埋氧层释放孔弹簧硅层缓冲空窗外框掩膜封装芯片

[发明专利]一种轴结构、风力发电机组轴系和风力发电机组-CN202111275634.4在审
发明人：马加伟;方涛;李会勋 -专利权人：新疆金风科技股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： F03D80/70 文献下载
摘要：本发明提供一种轴结构、风力发电机组轴系和风力发电机组，所述轴结构整体为筒形结构，其包括依次相接的轴承配合段、轴肩段和应力缓冲段，所述轴承配合段用于安装轴承，所述应力缓冲段的外表面为向内侧凹陷的曲面，所述应力缓冲段的最小外径小于所述轴承配合段的外径采用如上结构，通过在轴肩段后侧位置设置应力缓冲段，原本作用于轴肩段拐角处的应力便能够被应力缓冲段缓冲，分散至远离轴肩段的其他位置，能够有效防止轴肩段出现应力集中的现象。
一种结构风力发电机组

[发明专利]防护装置部件的应力缓冲-CN201010569687.2无效
发明人：刘颂初;林美妮;司徒赛玉;梁伟南 -专利权人：宇芯先进技术有限公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开了一种防护装置部件的应力缓冲，特别是旨在设置于邻接半导体衬底的面的应力缓冲结构。该应力缓冲结构包括形成在半导体衬底的面上的至少一个聚合物层以及设置在聚合物层上方的多个金属板，其中所述金属板与半导体衬底的连接垫在物理上和电学上隔离。所公开的应力缓冲结构为对应力敏感的半导体零件提供防护。还公开了具有所公开的应力缓冲结构的半导体封装以及制备半导体封装的方法。
防护装置部件应力缓冲

[实用新型]一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构-CN202020282316.5有效
发明人：王忠 -专利权人：上海灏谷集成电路技术有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构，包括底座，所述底座的上端面固定连接有放置环，所述放置环上设有用于实现圆晶切割过程中减轻水平应力的第一应力缓冲机构，所述底座上设有用于实现圆晶切割过程中减轻竖直应力的第二应力缓冲机构，所述底座内设有缓冲槽，所述缓冲槽内设有用于警示圆晶切割过程中应力超过装置承载能力的警报机构。本实用新型结构合理，通过设置第一应力缓冲机构实现对于圆晶切割过程中水平方向的应力做缓冲抵消，通过设置第二缓冲机构实现对于圆晶切割过程中竖直方向的应力做缓冲抵消。
一种减轻切割应力破坏结构

[实用新型]低应力芯片凸点封装结构-CN200920045055.9有效
发明人：曹凯;张黎;赖志明;陈锦辉;陈栋 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2009-05-26 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低应力芯片凸点封装结构，属于芯片封装技术领域。所述结构包括芯片本体(1)、芯片电极(2)、芯片表面钝化层(3)、凸点下应力缓冲层(4)、接触电极(5)和应力缓冲层上焊料凸点(6)，其特征在于：所述凸点下应力缓冲层(4)相互分隔开来不连续。本实用新型的有益效果是：本实用新型通过将凸点下应力缓冲层相互分隔开来，只有在凸点下有应力缓冲层，应力缓冲层不连续，可以降低整个芯片应力，分散芯片应力分布，提高了凸点结构的可靠性能，改善工艺中漏电流问题，
应力芯片封装结构

[实用新型]一种封装体结构及芯片器件-CN202223464877.5有效
发明人：谭小春 -专利权人：合肥矽迈微电子科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型申请公开了一种封装体结构及芯片器件，包括封装体和芯片，所述芯片的引脚处电性连接有线路层，所述封装体包封芯片和线路层，所述封装体的一侧表面凸出设置有焊盘，用以实现封装体内外的电路连接，所述芯片的表面设置有应力缓冲层，所述应力缓冲层形成芯片的表面包裹，所述应力缓冲层的膨胀系数小于封装体的膨胀系数，以缓冲封装体的应力，所述应力缓冲层表面平整，本实用新型申请通过在封装之前预先在芯片的表面形成一层平面形或者波浪形的应力缓冲层，应力缓冲层包裹芯片表面，且具有一定的厚度，既可以保证缓冲应力保护芯片，又可以减少翘曲成本可控，同时还可以保证机械强度，维持结构稳定，应力缓冲效果好。
一种封装结构芯片器件

[实用新型]一种具有应力缓冲结构的井盖-CN202221983678.2有效
发明人：牛鹏强 -专利权人：晋城市鹏博铸业股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： E02D29/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有应力缓冲结构的井盖，包括主体安置机构、应力缓冲机构和内层加固机构，所述主体安置机构的中部设置有应力缓冲机构，且应力缓冲机构的内部设置有内层加固机构。该具有应力缓冲结构的井盖，在承载受到压力时，会通过边缘扣让整体缓冲盖在主框架的槽口范围内进行下降滑动，从而将受到的压力和传递应力进行缓冲减少，当缓冲盖下降到一定位置后，底端四周分布的连接轴和连接架会同步倾斜旋转，其四组连接架会对缓冲盖四周底端的倾斜面进行支撑和应力传递，将作用力通过连接架另一端连接的连接轴传递至主框架周边，再分散至安置路面，从而达到应力缓冲的作用，避免井盖局部受到破坏影响使用安全。
一种具有应力缓冲结构井盖

[实用新型]一种设有应力缓冲结构的预制砖-CN202222537406.6有效
发明人：王春洪;包佳林 -专利权人：宜兴市恒祥耐火材料有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： E04B2/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种设有应力缓冲结构的预制砖，属于预制砖技术领域。该设有应力缓冲结构的预制砖包括应力缓冲结构、第一混凝土结构和第二混凝土结构。所述应力缓冲结构包括应力块和第一凸块，所述第一凸块固定于所述应力块的一侧，所述第一混凝土结构包括第一混凝土层和第二凸块，所述第二凸块一体成型于所述第一混凝土层的一侧，所述第二凸块浇注成型于所述应力块的内部，所述第二混凝土结构包括第二混凝土层，所述第一凸块浇注成型于所述第二混凝土层的一侧内部。本实用新型可以使整体结合更加牢固同时可以提高整体的应力缓冲强度使用效果更好。
一种设有应力缓冲结构预制

[发明专利]电子封装结构-CN201710217037.3在审
发明人：张景尧;张道智;吕芳俊;韩伟国;高国书 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电子封装结构，该电子封装结构通过将芯片结合于承载件的金属凸块上，且通过应力缓冲材包覆该金属凸块周围以作为应力缓冲部，而提升应力缓冲的效果，由此防止该芯片因应力而破裂的问题。
电子封装结构金属凸块应力缓冲应力缓冲部芯片结合承载件包覆破裂芯片

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