“应力缓冲结构”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果10080366个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电路板钻孔导引结构及具有其的印刷电路板制造方法-CN201610827999.6有效
发明人：苏佳鸿;邓自强;石汉青;杨伟雄 -专利权人：健鼎(无锡)电子有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种电路板钻孔导引结构及具有此钻孔导引结构的印刷电路板制造方法。该电路板钻孔导引结构包含有一电路板基材以及一钻孔辅助层形成于电路板基材之上。其中，钻孔辅助层形成有一钻孔辅助图案，而钻孔辅助图案包含有一导引区用以导引一钻针进行电路板基材钻孔加工时的行进方向，一应力缓冲区形成于导引区的外围，用以缓冲钻针钻孔时所施加于电路板基材的应力，以及一包覆区形成于应力缓冲区的外围此外，具有此电路板钻孔导引结构的印刷电路板制造方法也在此公开。
电路板钻孔导引结构具有印刷制造方法

[发明专利]往复输送泵脉冲缓冲装置-CN201210292816.7无效
发明人：李宁 -专利权人：李宁
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： F04B53/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种适用于往复泵输出流体的脉冲缓冲装置，它由流体进口1、出口4、应力缓冲筒体2、缓冲板3利进出口联接法兰5组成。往复泵产尘的脉冲应力在进入缓冲装置时，由于应力缓冲筒体2截面积的扩大，单位而积应力减小：流体在继续通过缓冲板3时，由于缓冲板的阻挡，脉冲应力得到了衰退、吸收，因此，在离开缓冲装置进入输出管道时，结晶流体几乎构成了推动力均衡的流体
往复输送脉冲缓冲装置

[发明专利]一种低应力SiC单晶的制备装置-CN201910344230.2在审
发明人：刘新辉;杨昆;张福生;路亚娟;牛晓龙;郑清超 -专利权人：河北同光晶体有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低应力SiC单晶的制备装置，包括耐高温高热导率的材料制成的坩埚，其内部的底部装有SiC多晶原料，所述坩埚上盖内侧固定有耐高温柔性材料制成的应力缓冲层，籽晶粘接在应力缓冲层上，位于籽晶外侧紧挨着籽晶设置有用来限制晶体直径的耐高温柔性材料制成环状结构的应力缓冲层
应力缓冲层籽晶坩埚耐高温柔性材料隔热保温层制备装置低应力耐高温单晶外周金属材料低热导率多晶原料感应线圈高热导率环状结构晶体的上盖粘接缠绕

[实用新型]生物传感器芯片的针尖结构-CN202120026924.4有效
发明人：张意潇;陈洪雷;夏志平;叶青青 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种生物传感器芯片的针尖结构，包括多个检测部件，每个所述检测部件包括探针信号传导层以及位于所述探针信号传导层上方的探针，每个所述检测部件还包括位于所述探针信号传导层与所述探针之间的探针应力缓冲导电层通过在探针与探针信号传导层之间增加探针应力缓冲导电层用于改善应力匹配问题，从而使探针在水平面上不会出现高低不平的现象，保证探针能够同时检测信号。探针应力缓冲导电层选用与探针以及探针信号传导层导电性能近似的金属，不会影响到信号的传递。
生物传感器芯片针尖结构

[发明专利]复合钎料及其制备方法和应用、焊接件-CN202010024203.X有效
发明人：董博文;裴夤崟;董显;孙华为;侯江涛;丁天然;黄俊兰;程战 -专利权人：郑州机械研究所有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B23K35/02 文献下载
摘要：所述复合钎料包括多根钎料筋条和多根应力缓冲筋条，多根钎料筋条和多根应力缓冲筋条相互编织连接。该复合钎料结构新颖，具有良好的缓释热应力的作用，焊接强度高，焊接接头处不易发生撕裂和脱焊等问题。
复合料及制备方法应用焊接

[实用新型]车用散热器-CN201320731123.3有效
发明人：程利辉;刘盈利;宋珍;高杰;孙桂仙;王帅军;刘炳寅;毛桢淼;李庆成;冯杰;石永泉 -专利权人：郑州日产汽车有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： F28F9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车用散热器，包括芯体及设置在所述芯体两侧的侧板，所述侧板包括底边及对称设置在底边上的两侧边，在所述侧板的两端位于侧边上均向内对称冲压有应力缓冲槽，在所述侧板的底边上对应所述应力缓冲槽位置开设有应力缓冲孔本实用新型优点在于通过在散热器侧板的两端开设应力缓冲槽和应力缓冲孔，可以有效缓冲侧板在散热器四角形成的应力集中，避免了由于应力集中而导致散热器四角漏水现象的发生，有效降低了散热器的故障率，提高了其使用寿命
散热器

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202311108420.7在审
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力调制层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述应力调制层包括依次层叠的位错填充层、过渡层和应力缓冲层；位错填充层为三维BN层和二维BGaN层交替层叠形成的周期性结构，过渡层为N型AlGaN层，应力缓冲层为YGaN层和GaN层交替层叠形成的周期性结构。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极-CN201310394901.9有效
发明人：刘玮;程龙;孙云;李祖亮;周志强;张毅 -专利权人：南开大学
申请日： 2013-09-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池的背电极，用薄层Ag作为应力缓冲层并与Mo薄膜构成复合结构，由聚酰亚胺衬底、薄Mo薄膜层、Ag薄膜层和厚Mo薄膜层依次叠加构成，薄Mo薄膜层为高阻Mo层，Ag薄膜层为应力缓冲层本发明的优点是：采用简单、低廉的磁控溅射技术，制备薄Ag薄膜作为应力缓冲层来平衡聚酰亚胺衬底与Mo之间热膨胀系数不匹配所带来的应力，这种复合结构的背电极电阻率比较低，其反射率比较高，对于超薄CIGS电池效率的提升具有重要作用
一种用于聚酰亚胺衬底铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极

[发明专利]薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法-CN201910971659.4有效
发明人：温志杰;魏伯州 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设计及制造领域，特别是涉及一种薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法，薄膜堆叠结构的制备方法包括：形成氧化硅层的步骤；形成氮化硅层的步骤；以及形成氢氮氧化硅缓冲层的步骤，其中，所述氢氮氧化硅缓冲层形成于所述氧化硅层与所述氮化硅层之间本发明在氧化硅层及氮化硅层之间插入氢氮氧化硅缓冲层，降低了氧化硅层及氮化硅层间的应力梯度，从而最大限度地减小层间应力差引起的剪应力，提高氧化硅层及氮化硅层的结合强度，防止氧化硅层及氮化硅层间由于应力不平衡引起的开裂风险
薄膜堆叠结构三维存储器及其制备方法

[实用新型]管件夹和管件夹持结构-CN201420106232.0有效
发明人：李润;肖宏;刘知汉 -专利权人：北汽福田汽车股份有限公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： F16L3/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种管件夹和管件夹持结构，该管件夹包括用于夹持管件的管夹部（1），其中，所述管件夹还包括缓冲装置（2），该缓冲装置（2）连接于所述管夹部（1）并具有用于安装所述管件夹的安装部。所述管件夹能够通过所述缓冲装置（2）部分结构的受力变形以改变其所夹持的管件的空间位置，从而能够优化被夹持的管件的空间位置，避免由于布局和/或空间问题而导致的安装困难和/或与其他零部件发生干涉的现象，改善了被夹持管件应力集中区域的应力，避免出现应力集中区域（如管件的接头处）因应力过大而损坏的现象。
管件夹夹持结构

[发明专利]一种硬质合金钎焊用复合钎料及其制备方法-CN202210798755.5在审
发明人：钟素娟;刘攀;秦建;路全彬;董媛媛;张冠星;纠永涛;董宏伟 -专利权人：郑州机械研究所有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B23K35/14 文献下载
摘要：该硬质合金钎焊用复合钎料包括沿侧向交替复合的钎料条、应力缓冲条，所述应力缓冲条有至少一个，所述钎料条有至少两个，所述钎料条为钎焊连接硬质合金与基体的合金钎料，所述应力缓冲条为熔点高于钎焊温度的金属，钎料条的宽度大于应力缓冲条的宽度该硬质合金钎焊用复合钎料在钎焊时，钎料条熔化，实现硬质合金与钢基体之间的钎焊连接，由于应力缓冲条的熔点高于钎焊的温度，在钎焊时应力缓冲条不熔化，起到切断应力线的作用，有效解决了硬质合金与钢钎焊时接头存在的残余应力大
一种硬质合金钎焊复合料及制备方法

[发明专利]阵列基板及显示屏-CN201810373807.8有效
发明人：杨宁;张丽 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：阵列基板具有非显示区，阵列基板上设有应力缓冲孔，应力缓冲孔位于非显示区内。本发明的上述阵列基板，由于在其表面设有应力缓冲孔，显示屏在切割等过程中产生的应力能够传递至上述应力缓冲孔处，以使上述应力被合理释放掉，从而避免了薄膜封装层破损，能够提高薄膜封装的可靠性。
阵列显示屏

[实用新型]一种缆线式复合钎料条、复合钎料片及焊接件-CN202222261748.X有效
发明人：秦建;董显;钟素娟;董媛媛;张冠星;纠永涛;董宏伟 -专利权人：郑州机械研究所有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： B23K35/14 文献下载
摘要：单根应力缓冲丝形成应力缓冲芯或多根应力缓冲丝绞合成一股形成应力缓冲芯，应力缓冲芯处于缆线式复合钎料条的中心轴线上，多根钎料丝并列螺旋缠绕在应力缓冲芯的外周面上形成具有中心通道的钎料层，以使钎料丝在钎焊过程中熔化后能够完全包覆应力缓冲芯的外周面本实用新型以多根钎料丝绞合螺旋盘绕应力缓冲芯的方式形成缆线式复合钎料条，又以该缆线式复合钎料条铺设形成复合钎料片，有利于保证钎焊质量，进而提高了焊接件的质量。
一种缆线复合钎料条钎料片焊接

[发明专利]外延结构、外延生长方法及光电器件-CN202110528418.X在审
发明人：李雪飞;陆书龙;吴渊渊 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明揭示了一种外延结构、外延生长方法及光电器件，所述外延结构由下向上依次包括InP衬底、第一缓冲层、第二缓冲层及InxGa1‑xAs外延层，其中：所述第一缓冲层为InP缓冲层；所述第二缓冲层包括若干由下向上As组分递增的InAsyP1‑y应力调制缓冲层；所述InxGa1‑xAs外延层为高In组分的InxGayP1‑y应力调制缓冲层，能突破InxGa1‑xAs外延层和InP衬底之间的晶格常数限制，释放晶格失配应力，降低外延层表面粗糙度，获得高质量的高In组分InGaAs外延层，从而提高光电器件的性能。
外延结构生长方法光电器件

[实用新型]扫描平台的承载结构-CN03203460.1无效
发明人：曾仁寿;黄玮祥 -专利权人：力捷电脑股份有限公司
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G06K9/24 文献下载
摘要：一种扫描平台的承载结构，其中每一扫描平台的承载结构配置有至少一缓冲构件，是顶住扫描平台的周围，以避免扫描平台受到外力撞击时，可由缓冲构件的应力缓冲部以缓冲局部的外力，而使扫描平台具有防撞的功能。
扫描平台承载结构

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top