专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置及计算机可读存储介质-CN201210067556.3有效
  • 秋庭亚辉 - 东京毅力科创株式会社
  • 2012-03-14 - 2012-09-19 - H01L21/3065
  • 本发明提供一种蚀刻方法、蚀刻装置及计算机可读存储介质,所述蚀刻方法是即使对多层结构体中的膜,也可以使用抗蚀膜、有机膜作为掩模而进行蚀刻,并且,还可以将膜以及存在于该膜下的氧化物膜一并蚀刻蚀刻方法该方法对包含氧化物膜(2)以及形成于该氧化物膜(2)上的膜(3)的多层结构体进行蚀刻,对多层结构体中的膜(3)及氧化物膜(2)进行蚀刻时,使用抗蚀膜(6)或有机膜作为蚀刻的掩模,使用包含CH2F2气体的蚀刻气体作为蚀刻气体,将多层结构体中的膜(3)及氧化物膜(2)一并蚀刻
  • 蚀刻方法装置计算机可读存储介质
  • [发明专利]蚀刻液和蚀刻方法-CN200980116681.5有效
  • 矢口和义;外赤隆二 - 三菱瓦斯化学株式会社
  • 2009-04-24 - 2011-04-20 - H01L21/308
  • 本发明提供一种蚀刻液和蚀刻方法,在蚀刻加工中,特别是在MEMS部件的制造工序中的的各向异性蚀刻加工中,通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的加温时的蚀刻速度的降低,使得蚀刻液的寿命延长。一种蚀刻液、且使用该蚀刻液的蚀刻方法,其特征在于,所述蚀刻液为含有碱金属氢氧化物、羟基胺和无机碳酸化合物的pH值12以上的碱性水溶液,且各向异性地溶解单晶
  • 蚀刻方法
  • [发明专利]蚀刻液和蚀刻方法-CN200980129912.6无效
  • 矢口和义;外赤隆二 - 三菱瓦斯化学株式会社
  • 2009-06-25 - 2011-06-29 - H01L21/308
  • 本发明提供一种蚀刻液和蚀刻方法,在蚀刻加工中,特别是在MEMS部件的制造工序中的的各向异性蚀刻加工中,通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的加温时的蚀刻速度的降低,使得蚀刻液的寿命延长。一种蚀刻液、及使用该蚀刻液的蚀刻方法,其特征在于,所述蚀刻液各向异性地溶解单晶,其是含有(A)四甲基氢氧化铵、(B)羟基胺、以及(C)二氧化碳(CO2)和/或四甲基碳酸铵盐的、pH值13以上的碱性水溶液
  • 蚀刻方法
  • [发明专利]晶圆的蚀刻方法及蚀刻装置-CN202180030950.7在审
  • 大西邦明 - 信越半导体株式会社
  • 2021-03-02 - 2022-12-09 - H01L21/306
  • 本发明是一种晶圆的蚀刻方法,包括:旋转蚀刻工序,通过供给喷嘴向晶圆的正面或背面、或两面供给酸蚀刻液,使所述晶圆旋转,将所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述晶圆整面而进行酸蚀刻,其特征在于,在所述旋转蚀刻工序中,将所述晶圆的中心轴从保持所述晶圆的台的旋转轴错开15mm以上设置而进行蚀刻。由此,本发明的目的在于提供一种能够改善蚀刻加工余量的晶圆的蚀刻方法及蚀刻装置。
  • 硅晶圆蚀刻方法装置
  • [发明专利]使用化学气相沉积钝化的蚀刻-CN200980141317.4有效
  • 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克;罗伯特·P·谢比 - 朗姆研究公司
  • 2009-10-09 - 2011-09-14 - H01L21/3065
  • 使用蚀刻室通过在层上形成的图案化掩模蚀刻层。在所述蚀刻室中提供含氟(F)蚀刻气体和含(Si)化学气相沉积气体。所述含氟(F)蚀刻气体用于蚀刻特征到所述层,所述含(Si)化学气相沉积气体用于在所述特征的侧壁上形成含沉积层。由所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体产生等离子体,并提供偏压。使用所述等离子体蚀刻特征到所述层,在蚀刻的所述特征的侧壁上沉积含钝化层。所述钝化层中的主要来自所述化学气相沉积气体。然后停止所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体。
  • 使用化学沉积钝化蚀刻
  • [发明专利]蚀刻方法和半导体元件的制造方法-CN202180003611.X在审
  • 松井一真 - 昭和电工株式会社
  • 2021-03-25 - 2022-01-07 - H01L21/311
  • 提供不使用等离子体就能够相对于特定的非蚀刻对象物选择性地对蚀刻对象物进行蚀刻蚀刻方法,蚀刻对象物含有化合物,化合物具有氮原子和氧原子中的至少一者以及原子。一种蚀刻方法,具备蚀刻工序,蚀刻工序在等离子体不存在的条件下使含有氟气的蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件接触,相对于非蚀刻对象物选择性地对蚀刻对象物进行蚀刻蚀刻对象物含有化合物,化合物具有氮原子和氧原子中的至少一者以及原子。非蚀刻对象物具有选自钽、钴、铜、氮化钛、镍和无定形碳中的至少一种。在40℃以上且低于350℃的温度条件下实行蚀刻工序。
  • 蚀刻方法半导体元件制造
  • [发明专利]制造由基材料构成的结构化粒子的方法-CN200980148882.3有效
  • M·格林;F-M·刘 - 奈克松有限公司
  • 2009-10-02 - 2011-11-09 - H01M4/04
  • 本发明提供了蚀刻以形成柱体的方法,所述柱体可用作Li离子电池中的阳极材料;作为蚀刻程序的一部分,该方法包括将银沉积到上。被蚀刻粒子显示在图1中。蚀刻之后存在的银可以通过用硝酸处理而除去。在一个实施方案中,该方法包括:-用包含HF、Ag+离子和硝酸根离子的蚀刻溶液处理,例如颗粒或块状材料,由此蚀刻以形成在其表面上具有蚀刻柱体的;该包括银的表面沉积物,-将所述被蚀刻与用过的蚀刻溶液分离,-使用硝酸从所述被蚀刻溶解银,以形成含有Ag+离子和硝酸根离子的溶液,-将所述含有Ag+离子和硝酸根离子的溶液与另外的HF混合,以形成另外的蚀刻溶液,和-使用所述另外的蚀刻溶液处理另外的
  • 制造基材构成结构粒子方法
  • [发明专利]减少块表面有机物的方法及单晶的制备方法-CN201910475513.0有效
  • 宮尾秀一;同嘉锡 - 西安奕斯伟硅片技术有限公司
  • 2019-06-03 - 2020-10-30 - C30B35/00
  • 本发明涉及多晶领域,尤其涉及减少块表面有机物的方法及单晶的制备方法。所述减少块表面有机物的方法,包括以下步骤:在特氟龙板上将锭破碎成块,然后利用所述特氟龙板将所述块运送至蚀刻容器的上方;倾斜所述特氟龙板使所述块滑落入所述蚀刻容器内;在所述蚀刻容器内对所述块进行蚀刻处理,蚀刻处理后排出蚀刻液;将包装袋套于所述蚀刻容器的开口处,翻转所述蚀刻容器,使所述蚀刻处理后的块直接落入包装袋内,完成包装。本发明完全实现了无手套化操作,同时避免了机械手等运送块时产生的磨损。实验结果表明,本发明的方法可有效减少原料块表面的有机物浓度。
  • 减少表面有机物方法单晶硅制备
  • [发明专利]晶圆的蚀刻方法-CN202180034174.8在审
  • 大西邦明 - 信越半导体株式会社
  • 2021-03-02 - 2022-12-30 - H01L21/306
  • 本发明是一种晶圆的蚀刻方法,其包含旋转蚀刻工序,所述旋转蚀刻工序一边通过供给喷嘴对晶圆的表面或背面供给酸蚀刻液,一边使所述晶圆旋转,从而使所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述晶圆的表面或背面的整面以进行酸蚀刻,在开始晶圆的旋转之前,向从供给喷嘴供给的酸蚀刻液在供给喷嘴的正下方与所述晶圆的表面碰撞的碰撞喷流区域内滴加至少含有氢氟酸和硝酸的混合酸,用所述混合酸覆盖所述碰撞喷流区域后,开始所述晶圆的旋转,以进行所述旋转蚀刻工序由此,可提供一种晶圆的蚀刻方法,其于旋转蚀刻方式的蚀刻中,可加快碰撞喷流区域中的蚀刻速度。
  • 硅晶圆蚀刻方法

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