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[实用新型]交变应力产生装置-CN201220009881.X有效
发明人：丁皓;尚昆;沈力行 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2012-01-11 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种交变应力产生装置，心泵流出的脉动流经顺应性部件调节血压幅度后分两路流动：分支1依次经过试验模块和第一外周阻力部件，实现人体血流的动力；分支2经过第二外周阻力部件起分流作用，两路培养液都回到储液罐和恒温装置
应力产生装置

[发明专利]具有固有压应力的构件、产生固有压应力的方法以及产生固有压应力的装置-CN200480042388.6有效
发明人：沃尔特·戴维 -专利权人：西门子公司
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： C21D7/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有固有压应力的构件、用于产生固有压应力的方法以及产生固有压应力的装置。本发明的方法包括借助于至少两个压力产生装置(25，25’，25”)在凸、凹弯曲区域(例如透平叶片的叶根区域)局部地、匹配地、受控地引入固有压应力。
具有固有应力构件产生方法以及装置

[发明专利]在表面上产生应力-CN200710109872.1有效
发明人： W·J·格雷戈里;T·泰萨克;N·沙 -专利权人：罗门哈斯公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：提供了在表面上产生应力的设备，所述设备包含一种或多种服务组件和一种或多种清洁组件，(1)其中所述服务组件包括一个或多个向所述表面施加灰尘的部件，或者一个或多个磨损所述表面的部件，一个或多个将测试材料拉过所述表面的部件
表面上产生应力

[发明专利]一种用于物理模型试验的深部岩体封闭应力构建方法-CN202211010104.1在审
发明人：李正伟;王海曦;冯夏庭;梅诗明;黄川圆 -专利权人：东北大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于物理模型试验的深部岩体封闭应力构建方法，涉及相似物理模型试验技术领域。该方法首先通过膨胀材料和透水层制备封闭应力产生元件，并测试封闭应力产生元件的性能，优化封闭应力产生元件的设计，获得满足试验要求的封闭应力产生元件；再在物理模型中根据试验要求安装封闭应力产生元件，布置应力和应变测量装置，用于测量封闭应力产生元件激发时产生的应力及物理模型的应变；最后对物理模型试样施加真三向边界应力，评估封闭应力产生元件的激发与封闭应力的产生效果。该方法通过封闭应力产生元件的不同组合形式，可以实现同一物理模型试样内部不同方向、不同量值、不同作用空间的封闭应力构建。
一种用于物理模型试验深部岩体封闭应力构建方法

[发明专利]包含一层应力产生材料的电路组件及其形成方法-CN201410052718.5有效
发明人： J·冯克鲁格 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及包含一层应力产生材料的电路组件及其形成方法，一种晶体管包含源极区域、漏极区域、通道区域、栅极电极以及一层应力产生材料。该应力产生材料提供响应作用在该应力产生材料上的信号而可调变的应力。该层应力产生材料是设置成在至少该通道区域中提供应力。提供在至少该通道区域中的应力是响应作用在该应力产生材料上的信号而可调变。提供响应作用在该应力产生材料上的信号而可调变的应力的该层应力产生材料也可以被用在不同于晶体管的电路组件中，举例而言，电阻器。
包含一层应力产生材料电路组件及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其方法-CN200810109056.5无效
发明人： T·S·卡纳尔斯基;欧阳齐庆;尹海洲 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在至少一个PFET和至少一个NFET上形成应力传递电介质层。诸如氮化硅的拉应力产生膜通过均厚沉积和构图形成在至少一个NFET上。可以是耐熔金属氮化物膜的压应力产生膜通过均厚沉积和构图形成在至少一个PFET上。密封电介质膜沉积在压应力产生膜之上。应力从拉应力产生膜和压应力产生膜转移到下面的半导体结构中。从耐熔金属氮化物膜转移的压应力的大小可以在约5GPa到约20GPa。在退火期间，应力被记忆，并且在去除了应力产生膜后保持在半导体器件中。
半导体结构及其方法

[发明专利]具应力吸收半导体层之半导体组件及其制造方法-CN03816784.0有效
发明人： G·坦佩 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-07-11 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明乃涉及一种具应力吸收半导体层(SA)之半导体组件及其制造方法，产生机械应力的一结晶性应力产生层(SG)乃形成于载体材料(1)上。传送已产生的机械应力至应力吸收半导体层(SA)的绝缘应力传送层(2)乃形成于该结晶性应力产生层(SG)的表面，而其除了改良电荷载体移动性之外，亦得到经改良的该半导体组件的电性质。
应力吸收半导体组件及其制造方法

[发明专利]一种地下综合管廊减少纵向收缩缝的方法-CN201610611623.1在审
发明人：韩春斌 -专利权人：江苏开来预应力工程有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： E02D29/045 文献下载
摘要：本发明涉及一种地下综合管廊减少纵向收缩缝的方法，其特征在于：控制管廊截面的应力变化，具体通过控制收缩、温度和徐变应力对地下综合管廊产生裂缝的应力进而减少和降低收缩缝的产生；当满足σ_ck‑σ_pc≤f_tk，就能实现减少纵向收缩缝，σ_ck为抗裂边缘混凝土法向应力；σ_pc抗裂边缘混凝土预压应力；在施工阶段通过控制的是收缩应力与温度应力实现降低应力的目的，减少裂缝的产生；在长期维护阶段通过控制智能张拉与采用有粘结预应力混凝土板，减少徐变应力的产生，从而减少裂缝的产生。
一种地下综合减少纵向收缩方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201110335299.2有效
发明人：鲍宇;平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-29 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，通过在形成的栅极结构上形成第一应力层，并去除位于栅极结构上方的第一应力层，接着沉积具有高密度特性的第二应力层，第二应力层产生的压应力直接作用于栅极结构，对栅极结构产生向下的压力，大于第一应力层对栅极结构产生的拉力，从而第二应力层产生的向下的压力使沿着沟道长度方向产生的单轴拉伸应变增大，进一步增加电子迁移率；同时，第二应力层产生的压应力在退火工艺期间束缚了栅极结构的形变，进一步改善了栅极结构的性能
半导体器件制作方法

[发明专利]用于用压力加载应力产生层以改进地引导分离裂纹的设备和方法-CN201880052283.0有效
发明人：马尔科·斯沃博达;拉尔夫·里斯克;克里斯蒂安·拜尔;扬·黎克特 -专利权人：西尔特克特拉有限责任公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：根据本发明的方法在此优选地至少包括如下步骤：提供供体衬底(2)；在供体衬底(2)的对供体衬底(2)轴向限界的、尤其平坦的表面(5)处产生或设置应力产生层(4)；将压力加载装置(8)的至少一个压力加载元件(6)压紧到应力产生层(4)的至少一个预先确定的部分上，以将应力产生层(4)压紧到表面(5)上；将固体子层(1)从供体衬底(2)通过热加载应力产生层(4)分离，由此在供体衬底(2)中产生机械应力，其中通过机械应力产生用于分离固体子层(1)的裂纹，其中将压力加载元件(6)在热加载应力产生层(4)期间压紧到应力产生层(4)处。
用于压力加载应力产生改进引导分离裂纹设备方法

[发明专利]一种大体积混凝土消应控制裂缝方法-CN201410365667.1有效
发明人：谭恺炎;周厚贵;陈志远;李萌;彭先齐 -专利权人：葛洲坝集团试验检测有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： E02D15/02 文献下载
摘要：一种大体积混凝土消应控制裂缝方法，通过对大体积混凝土施加动应力，使大体积混凝土内部不平衡应力趋于均化，降低混凝土内部应力集中，消散有害应力，从而有效预防和控制混凝土裂缝的产生；对大体积混凝土施加动应力的方式为：通过激振锤施加动应力和/或爆破振动产生动应力和/或低频的温度升降产生的交替拉压应力产生动应力。本发明提供的一种能将混凝土内部有害不平衡应力均化和消散的大体积混凝土消应控制裂缝方法，可以解决混凝土裂缝问题，能有效降低混凝土内部应力集中水平，均化不平衡应力，进而达到提高混凝土抗裂性的目的。
一种体积混凝土控制裂缝方法

[发明专利]显示面板-CN201710559939.5有效
发明人：刘富均;裵规汉 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：可弯曲部分包括：应力集中部分，应力施加到应力集中部分；第一应力产生部分和第二应力产生部分，位于应力集中部分的在第一方向上的相对侧处，施加到第一应力产生部分和第二应力产生部分的应力比施加到应力集中部分的应力小第一应力产生部分和第二应力产生部分中的每个在第二方向上限定第二宽度，应力集中部分在第二方向上限定比第二宽度小的第三宽度，第二宽度小于第一宽度。
显示面板

[发明专利]具有介质应力产生区的晶体管及其制造方法-CN200610153801.7有效
发明人： D·奇丹巴拉奥;B·J·格林;K·里姆 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过包括分离介质应力产生区的结构给PFET的沟道区施加压缩应力，所述介质应力产生区完全位于其中设置PFET的源极、漏极和沟道区的有源半导体区的底表面下面。具体地，所述介质应力产生区包括与所述有源半导体区的所述底表面完全接触的收缩氧化物区，以使它具有与所述底表面区共同延伸的区域。所述介质应力产生区边缘处的鸟嘴状氧化物区在所述介质应力产生区的边缘处施加向上的力，以给所述PFET的所述沟道区施加压缩应力。
具有介质应力产生晶体管及其制造方法

[发明专利]一种综合环境应力的仿真方法-CN201710799881.1在审
发明人：荣丽梅;刘博;刘魁;邓珣;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及有限元仿真技术，其公开了一种综合环境应力的仿真方法，能够分析在综合环境下的仿真模型的应力分布，使得仿真结果更符合实际情况。该方法包括a.创建几何模型，定义不同温度下的材料参数，切分模型并划分网格，生成有限元模型；b.进行热‑结构耦合的预应力分析即施加温度及压力载荷，得到高温所产生的热应力和压力载荷产生的静应力结果的综合应力，作为后续随机振动分析的预应力；c.将所述预应力加载到有限元模型中，进行带预应力的模态分析；d.施加振动激励，进行随机振动分析，得到随机振动应力结果；e.将随机振动应力结果和高温所产生的热应力、压力载荷产生的静应力结果相叠加本发明适用于综合环境应力仿真分析。
一种综合环境应力仿真方法

[发明专利]具有应力保护结构的半导体结构与其形成方法-CN201210108912.1有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有应力保护结构的半导体结构，包括有基底、应力产生元件以及应力保护装置。基底具有第一表面以及第二表面，两个相对设置。应力产生元件设置在基底中。应力保护结构，设置在基底第一表面的一侧，应力保护结构包围应力产生元件，且应力保护结构内部具有密封的空气空间。本发明还提供了一种形成具有应力保护结构的半导体结构的方法。
具有应力保护结构半导体与其形成方法

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