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[发明专利]用于处理副产物的设备及用于确定收集器的更换期的方法-CN201710870113.0在审
发明人：金泰勳;金俊浩 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于处理工艺副产物的设备以及一种用于使用所述设备确定收集器的更换期的方法，且更明确地说，涉及一种用于处理排放管线中的工艺副产物的设备以及一种用于使用所述设备确定收集器的更换期的方法。用于处理工艺副产物的所述设备包含收集器，收集器安装在工艺腔室与被配置成用于控制工艺腔室的压力的阀之间的排放管线上，以收集从工艺腔室排出的工艺副产物。收集器包含收集器外壳，其与排放管线连通；以及中空收集结构，其安装在收集器外壳中以收集工艺副产物且被配置成控制工艺副产物的流动路径。所述用于处理工艺副产物的设备能够有效地防止工艺副产物积聚在排放管线以及控制工艺腔室的压力的阀中。
用于处理副产物设备确定收集更换方法

[实用新型]半导体工艺设备及其副产物收集装置-CN202222251457.2有效
发明人：韩兴;李洪利;宋新丰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B01D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体工艺设备及其副产物收集装置，其中，冷凝腔室(100)设有副产物排放孔(110)，副产物收集容器(200)通过副产物排放孔(110)与冷凝腔室(100)连通，螺旋输送件(400)至少部分设于冷凝腔室(100)内，且一端部伸至所述副产物排放孔(110)中，驱动机构(300)与螺旋输送件(400)相连，用于驱动螺旋输送件(400)转动，以使螺旋输送件(400)向副产物收集容器(200)输送副产物。上述方案能解决相关技术中副产物收集装置通过超声波振动器来协助副产物排放存在的不良影响的问题。
半导体工艺设备及其副产物收集装置

[发明专利]一种SDS脱硫副产物的处理工艺及系统-CN202010893687.1在审
发明人：王建华;张传波;郝景章;任乐;崔岩;邱明英 -专利权人：中冶京诚工程技术有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本发明提供一种SDS脱硫副产物的处理工艺及系统，所述工艺包括将SDS脱硫副产物溶解于水中制得含有有效脱硫剂成分的贫液，将贫液回用作湿法烟气脱硫工艺或半干法脱硫工艺的脱硫剂。本发明还提供了一种用于实现以上所述SDS脱硫副产物的处理工艺的SDS脱硫副产物的处理系统。本发明提供的工艺及系统实现了SDS干法脱硫工艺所得副产物的回用和处理，解决了SDS干法脱硫工艺所用脱硫剂成本高，脱硫反应不充分，产生的副产物仍然含有较多有效脱硫剂成分的二次利用问题，为SDS脱硫工艺的推广提供了很大的技术支撑同时该工艺还充分利用了SDS脱硫工艺未反应完全的有效脱硫剂成分，进而节约了脱硫剂用量，降低了脱硫运行成本。
一种 sds 脱硫副产物处理工艺系统

[发明专利]确定干法蚀刻工艺的后热处理的工艺完成的系统和方法-CN201780014542.6有效
发明人：雅各布·泰桑;艾兰·莫斯登 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-01-31 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种用于确定和利用干法蚀刻工艺的PHT(PHT)的工艺完成的方法，所述方法包括：在处理室中提供基底，所述基底具有膜层和下层，所述膜层具有一个或更多个区域；进行干法蚀刻工艺以去除所述膜层或所述膜层的区域，所述干法蚀刻工艺产生副产物层；以及测量所述副产物层的一个或更多个特性；基于所测量的所述副产物层的一个或更多个特性来调节PHT工艺；进行PHT工艺以去除所述基底上的所述副产物层，其中所述PHT工艺利用实时原位工艺以同步地确定何时完成所述副产物层的去除
确定蚀刻工艺热处理完成系统方法

[发明专利]一种富含黄酮和多糖的膳食纤维组合物、加工工艺及应用-CN202111583884.4在审
发明人：巫径;仇菊;王丽娟 -专利权人：成都乾坤动物药业股份有限公司;四川乾坤生物科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： A23K10/37 文献下载
摘要：本发明公开了一种富含黄酮和多糖的膳食纤维组合物、加工工艺及应用，组合物包括苦荞副产物和食用菌副产物；所述苦荞副产物包括苦荞壳，苦荞秸秆和苦荞未成熟粒。本发明将苦荞副产物中丰富的纤维、黄酮等功效与食用菌副产物的多糖的功效相结合，可以达到互补和增强的作用，更好地达到提高畜禽的免疫力，预防便秘、腹泻等的功效。同时还优化了苦荞副产物和食用菌副产物的粉碎粒度，优化了加工工艺，以进一步提高功效、降低能耗。将本发明提供的组合物用于动物饲料或添加剂领域，具有重要的经济价值和社会价值。
一种富含黄酮多糖膳食纤维组合加工工艺应用

[发明专利]等离子体清洗方法-CN202210482509.9在审
发明人：戚利;张建坤;赵尊华;桑强强;胡李松;谢梦雨 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体清洗方法，用于去除半导体工艺设备的工艺腔室中的副产物，包括第一清洗步骤，去除所述工艺腔室的上部区域中的所述金属副产物；第二清洗步骤，去除所述工艺腔室的上部区域中的所述有机副产物；第三清洗步骤，去除所述工艺腔室的下部区域中的所述有机副产物；第四清洗步骤，去除所述工艺腔室的下部区域中的所述金属副产物。本发明提供的等离子体清洗方法，其可以对工艺腔室的整个区域进行全面清洗，有效改善清洗效果，而且还可以延长MTBC，提高设备利用率。
等离子体清洗方法

[发明专利]半导体工艺设备的副产物处理装置及半导体工艺设备-CN202011267623.7有效
发明人：姚晶;谢远祥;韩子迦 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B01D45/08 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备的副产物处理装置及半导体工艺设备，半导体工艺设备的副产物处理装置包括冷却组件和分离组件，其中，冷却组件与半导体工艺设备的工艺腔室的排出口连通，用于对自排出口排出至其中的副产物进行冷却本发明提供的半导体工艺设备的副产物处理装置及半导体工艺设备，能够对副产物中的气液进行分离，以满足环保要求。
半导体工艺设备副产物处理装置

[发明专利]钨工艺副产物捕捉装置及具有其的半导体薄膜加工设备-CN202011435911.9在审
发明人：金暻台;白国斌;高建峰;王桂磊;田光辉;丁云凌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种钨工艺副产物捕捉装置及具有其的半导体薄膜加工设备。钨工艺副产物捕捉装置包括：壳体，壳体的一端用于连通半导体反应室；内部加热组件，内部加热组件设置在壳体的内部；吸附组件，吸附组件设置在壳体的内部，吸附组件用于吸附半导体反应室内产生的副产气体。根据本发明的钨工艺副产物捕捉装置，半导体反应室生成的副产气体从半导体反应室输入到钨工艺副产物捕捉装置中，副产气体被内部加热组件加热后附着在吸附组件的表面，从而将副产气体留在钨工艺副产物捕捉装置中，防止副产气体进入真空泵，减少副产气体造成真空泵故障的现象，减少副产气体在真空管线内沉积积累造成真空管线堵塞的现象。
工艺副产物捕捉装置具有半导体薄膜加工设备

[发明专利]一种半导体器件的形成方法-CN202310324421.9在审
发明人：李超;陆向宇;王卓斌 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层经过旋涂、软烘、曝光、曝光后烘焙和显影处理，所述半导体衬底上具有显影后的副产物；旋转处理所述半导体衬底，以去除部分所述副产物；冲洗处理所述半导体衬底，以去除剩余所述副产物，并形成图形化的光刻胶层，其中，图形化的所述光刻胶层具有尺寸大于预设尺寸的开口。本发明通过增加步骤旋转处理半导体衬底，以去除部分副产物，以在冲洗工艺之前先行清除一部分的副产物，减小了冲洗处理工艺的负担，这样有利于完全清除掉显影后的副产物，从而解决显影工艺所产生的大量副产物造成的单个巨大通孔附近的正常开孔缩小或消失的问题
一种半导体器件形成方法

[实用新型]一种SDS脱硫副产物的处理系统-CN202021863681.1有效
发明人：王建华;张传波;郝景章;任乐;崔岩;邱明英 -专利权人：中冶京诚工程技术有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种SDS脱硫副产物的处理系统，所述SDS脱硫副产物的处理系统包括副产物仓、称重给料机及溶解箱，副产物仓设置有进料口及出料口，副产物仓的出料口通过管路经由卸料阀组与称重给料机的入口相连；本实用新型提供的该系统实现了SDS干法脱硫工艺所得副产物的回用和处理，解决了SDS干法脱硫工艺所用脱硫剂成本高，脱硫反应不充分，产生的副产物仍然含有较多有效脱硫剂成分的二次利用问题，为SDS脱硫工艺的推广提供了很大的技术支撑
一种 sds 脱硫副产物处理系统

[发明专利]一种甲醇生产过程中产生的副产物成分分析方法-CN201910104040.3有效
发明人：朱忠垒;周春燕;孔凡玲;钱金国;马飞 -专利权人：兖州煤业榆林能化有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01N5/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种甲醇生产过程中产生的副产物成分分析方法，属于化工分析技术领域，其方法具体包括：1)收集甲醇副产物；2)对副产物进行预处理；3)分析中间副产物，分析项包括计算中间副产物中可燃物的百分含量和测量中间副产物中氧化铝的百分含量本发明的目的主要是检测出甲醇生产罐体中出现的白色沉淀颗粒的成分及其含量，通过其成分及其含量分析找出副产物的来源，进一步优化甲醇生产工艺，提高甲醇的生产质量。
一种甲醇生产过程产生副产物成分分析方法

[发明专利]通用的氧化副产物净化方法-CN201510642492.9在审
发明人： P.E.吉布森;K.R.帕克 -专利权人：奇派特石化有限公司
申请日： 2007-02-27 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C07C51/42 文献下载
摘要：本申请涉及通用的氧化副产物净化方法。本申请公开了用于处理羧酸制备工艺中净化流的方法和装置。该方法采用了容许将氧化副产物分离为苯甲酸和非苯甲酸的氧化副产物的净化方法，由此提供了在该氧化副产物的处理和使用上的灵活性。
通用氧化副产物净化方法

[发明专利]半导体工艺炉的炉门及半导体工艺炉-CN202210461291.9在审
发明人：程晨 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺炉的炉门及半导体工艺炉，炉门本体用于对半导体工艺炉的炉体进行密封，炉门本体中设置有气冷通道，气冷通道均匀分布在炉门本体中，气冷通道用于供预设温度的冷却气体通入，冷却气体包括在预设温度下为气态的工艺副产物；检测组件用于检测气态的工艺副产物是否在气冷通道中冷凝；加热部件设置在炉门本体上，用于在检测组件检测到气态的工艺副产物在气冷通道中冷凝时，对炉门本体进行加热，直至工艺副产物恢复为气态。本发明提供的半导体工艺炉的炉门及半导体工艺炉，能够减少工艺副产物冷凝颗粒及金属离子的产生，从而能够改善工艺结果，并能够延长零部件的使用寿命，从而能够提高工艺炉的利用率。
半导体工艺炉门

[发明专利]一种利用有机硅副产物制备有机硅烷的方法-CN202010038526.4有效
发明人：李冲合;洪璞;王伟;徐建清;陈嘉华;王燕锋 -专利权人：浙江衢州硅宝化工有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C07F7/04 文献下载
摘要：本发明涉及有机硅副产物生产技术领域，为解决传统有机硅副产物处理工艺成本高、三废多、持续产生副产物的问题，提供了一种利用有机硅副产物制备有机硅烷的方法，将有机硅副产物加入到氮气保护的带塔的搪玻璃反应釜中，本发明将多组分有机硅副产物三氯氢硅、四氯化硅反应转化为同一产品，只需简单的精馏、提纯即可得到高纯度的产品，工艺简单，处理成本低，产物具有很好的经济价值。
一种利用有机硅副产物制备有机硅烷方法

[发明专利]一种改善SONOS良率的方法-CN202211049305.2在审
发明人：戴有江;肖泽龙;董彦德;李灵均 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述方法包括：利用低功率刻蚀机台刻蚀去除覆盖在所述源漏极所对应的半导体衬底表面上的注入阻挡层，以减少在该刻蚀工艺过程中所形成的副产物。在本发明实施例中，由于利用低功率刻蚀机台干法刻蚀去除覆盖在所述源漏极所对应的半导体衬底表面上的注入阻挡层，减少了在该刻蚀工艺过程中所形成的副产物，对所述副产物进行ASH灰化处理，以降低所述副产物的硬度，使其变的疏松，后续通过湿法清洗工艺对副产物进行充分清洗，以减少源极或漏极之间因残留副产物而造成短路的各种缺陷，因此，提高了SONOS产品的良率。
一种改善 sonos 方法

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