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[发明专利]生成集成电路布局图的方法、集成电路器件和系统-CN202011276793.1有效
发明人：张盟昇;陈建盈;黄家恩;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种生成IC布局图的方法包括：将第一有源区域定位在第二有源区域和第三有源区域之间；使第一有源区域与第一栅极区域至第四栅极区域相交，以限定第一反熔丝位和第二反熔丝位的栅极位置；使第一有源区域和第二有源区域之间的第一导电区域和第二导电区域对准，从而使第一导电区域与第一栅极区域相交，第二导电区域与第四栅极区域相交，以及使第一有源区域和第三有源区域之间的第三导电区域和第四导电区域对准，从而使第三导电区域和第四导电区域与第一栅极区域和第三栅极区域相交，或者使第三导电区域和第四导电区域与第二栅极区域和第四栅极区域相交。
生成集成电路布局方法器件系统

[发明专利]液晶书写膜及基于蒸镀工艺的液晶书写膜加工方法-CN201910744977.7在审
发明人：叶文新 -专利权人：深圳市恒开源电子有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：该液晶书写膜包括有依次排布的上膜基材层、上膜导电层、液晶分子层、下膜导电层和下膜基材层，所述上膜导电层和下膜导电层被分割成若干相互绝缘的导电区域，所述上膜导电层的导电区域和下膜导电层的导电区域在空间上重叠的区域与该区域对应的液晶分子层区域共同形成擦除区域，每个导电区域均引出有电极与所述液晶书写膜的控制电路电连接，为上膜导电层的导电区域、下膜导电层的导电区域分别施加电压，在各擦除区域分别形成电场的叠加，利用在每一个擦除区域形成的不同的压差，实现局部擦除，
导电层导电区域上膜下膜擦除书写液晶液晶分子层基材层控制电路电连接电场区域对应区域形成施加电压膜加工电极排布压差蒸镀绝缘叠加分割

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN201910898439.3有效
发明人：蔡俊雄;彭成毅;李京桦;吴忠政;幸仁·万 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：所述方法的一者包括：接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行非晶化；在所述第一晶体管的所述第一导电区域上执行植入；使接触材料层形成于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行热退火；及对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行激光退火。
制造半导体结构方法

[发明专利]用于液流电池堆的双极板及液流电堆-CN202210204084.5在审
发明人：刘庆华;范永生;缪平 -专利权人：国家能源投资集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究院
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01M8/18 文献下载
摘要：所述双极板包括：一个或多个间隔区域和多个导电区域，多个导电区域至少包括第一导电区域和第二导电区域，一个或多个间隔区域至少包括第一间隔区域，其中，第二导电区域通过第一间隔区域与第一导电区域叠加，第一导电区域用于串联与所述第一导电区域相邻的两个液流电池，第二导电区域用于串联与所述第二导电区域相邻的两个液流电池，第一间隔区域用于使得第一导电区域和第二导电区域之间绝缘。
用于流电极板

[发明专利]带有透明导电层的基材以及有机电致发光元件-CN201380006477.4有效
发明人：忠政明彦;辻本光;松井太佑;安原绘理 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H05B33/28 文献下载
摘要：本发明的带有透明导电层的基材(1)具有基材(11)和配置在基材(11)上的透明导电层(12)。透明导电层(12)具有导电性区域(13)和非导电性区域(14)。导电性区域(13)包括导电性微粒(121)和树脂基体(122)。非导电性区域(14)包括导电性微粒(123)和树脂基体(122)。非导电性区域(14)的雾度值比导电性区域(13)的雾度值大。
带有透明导电基材以及有机电致发光元件

[发明专利]透明导电层、包含该层的膜及其生产方法-CN201580063137.4有效
发明人： R·R·张;G·卡纳莱恩;H·迪奇;A·屈纳 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明涉及包括非导电区域和导电区域的透明导电层，其中导电区域包括导电纳米物的互连网，并且在非导电区域中，纳米物被转化为颗粒，并且其中导电区域和非导电区域的厚度差小于10nm。本发明还涉及一种用于制造图案化透明导电膜的方法，所述膜包括基质和透明导电层，以及制造图案化透明导电膜的方法。
透明导电包含及其生产方法

[发明专利]缺陷检测结构及检测半导体管芯中的缺陷的方法-CN202011533167.6在审
发明人：卢廷铉;李民宰;车云镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：半导体管芯包括：中心区域和包围中心区域的外围区域。外围区域包括左下角区域、左上角区域、右上角区域和右下角区域。缺陷检测结构形成在外围区域中。所述缺陷检测结构包括：穿过左下角区域的第一导电回路、穿过右下角区域的第二导电回路、穿过左下角区域和左上角区域的第三导电回路、穿过右下角区域和右上角区域的第四导电回路以及用于屏蔽所述第一导电回路至所述第四导电回路之间的电干扰的屏蔽回路输入输出电路电连接到第一导电回路、第二导电回路、第三导电回路和第四导电回路的端节点。
缺陷检测结构半导体管芯中的方法

[发明专利]一种可局部擦除的液晶书写板及局部擦除方法-CN201710995703.6在审
发明人：陈可方 -专利权人：深圳市鸿合创新信息技术有限责任公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明公开了一种可局部擦除的液晶书写板，可局部擦除的液晶书写板包括上导电膜、液晶膜、下导电膜，上导电膜、液晶膜、下导电膜依次叠置后附着在底板上，上导电膜和下导电膜分隔有不同的导电区域，导电区域设置有引出电极，引出电极连接擦除模块，擦除模块用于根据上导电膜和下导电膜确定的擦除区域对液晶膜进行定位并施加电压，擦除液晶膜相应区域的字迹。本发明液晶书写板局部擦除方法，包括步骤：A1、预设手势模式；A2、确定触摸的手势所在的上导电膜和下导电膜的导电区域；A3、如果触摸的手势符合手势模式，对液晶膜与上导电膜和下导电膜的导电区域的重叠区域相应的区域施加电压，擦除液晶膜与重叠区域相应区域的书写内容。
擦除上导电膜下导电膜液晶膜导电区域书写板液晶擦除模块手势模式相应区域引出电极重叠区域手势触摸底板区域施加电压施加电压书写内容叠置分隔附着预设字迹

[实用新型]一种可局部擦除的液晶书写板-CN201721367504.2有效
发明人：陈可方 -专利权人：深圳市鸿合创新信息技术有限责任公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可局部擦除的液晶书写板，可局部擦除的液晶书写板包括上导电膜、液晶膜、下导电膜，上导电膜、液晶膜、下导电膜依次叠置后附着在底板上，上导电膜和下导电膜分隔有不同的导电区域，导电区域设置有引出电极，引出电极连接擦除模块，擦除模块用于根据上导电膜和下导电膜确定的擦除区域对液晶膜进行定位并施加电压，擦除液晶膜相应区域的字迹。本实用新型液晶书写板局部擦除方法，包括步骤：A1、预设手势模式；A2、确定触摸的手势所在的上导电膜和下导电膜的导电区域；A3、如果触摸的手势符合手势模式，对液晶膜与上导电膜和下导电膜的导电区域的重叠区域相应的区域施加电压，擦除液晶膜与重叠区域相应区域的书写内容。
擦除上导电膜下导电膜液晶膜导电区域液晶书写板擦除模块手势模式相应区域引出电极重叠区域手势触摸区域施加电压底板本实用新型施加电压书写内容叠置分隔附着预设字迹书写

[发明专利]触摸传感器及其制作方法-CN201680025656.6有效
发明人：胡耀 -专利权人：深圳市柔宇科技有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种触摸传感器，其包括衬底(10)、层叠于所述衬底(10)表面的导电层(12)，所述导电层(12)包括导电区域(121)及绝缘区域(123)，导电区域(121)及绝缘区域(123)由包含导电颗粒的原始材料层(11)经过局部处理形成，在原始材料层(11)被局部处理的区域导电颗粒相互导通而形成导电区域(121)，在原始材料层(11)未被局部处理的区域导电颗粒相互隔开而形成绝缘区域(123)。
触摸传感器及其制作方法

[发明专利]具有垂直FET器件的静态随机存取存储器件-CN201610907979.X有效
发明人：包家豪;张峰铭;杨昌达;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：SRAM阵列包括在列方向上延伸的多组导电区域。多组导电区域中的每一组都包括在行方向上顺序布置的第一至第四导电区域，并且第一至第四导电区域通过绝缘区域彼此分离。第一、第二和第三导电区域耦合至第一导电类型VFET的源极，并且第四导电区域耦合至第二导电类型VFET的源极。多组导电区域布置在行方向上，使得一组导电区域中的第四导电区域邻近相邻的一组导电区域中的第一导电区域。本发明还提供了一种具有垂直FET器件的静态随机存取存储器件。
具有垂直 fet 器件静态随机存取存储器

[实用新型]一种LED灯珠-CN201821997065.8有效
发明人：王宇 -专利权人：广东安珂光电科技有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED灯珠，包括支架及安装于支架上的LED芯片、金线，其特征在于：所述支架包括导电区域一和导电区域二，且导电区域一的面积大于导电区域二的面积，导电区域一和导电区域二通过绝缘带分隔，所述LED芯片位于导电区域一，且所述导电区域二上设有靠近LED芯片的延伸区域，且所述延伸区域也通过绝缘带与导电区域一分隔，所述金线的一端与LED芯片的电极焊接且所述金线的另一端与延伸区域的端部焊接。
导电区域延伸区域金线支架绝缘带本实用新型电极焊接端部焊接分隔

[实用新型]一种电致变色器件及电子终端-CN202121117486.9有效
发明人：何嘉智 -专利权人：深圳市光羿科技有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：所述器件包括依次层叠设置的第一基底层、第一导电层、电致变色层、第二导电层和第二基底层；所述第一导电层包括第一导电区域和第二导电区域，所述第二导电区域与所述第一导电区域的边缘至少部分互不接触；和/或，所述第二导电层包括第三导电区域和第四导电区域，所述第四导电区域与所述第三导电区域的边缘至少部分互不接触。通过在原有导电区域的基础上，增加新的导电区域，起到外观效果的同时，也起降低第一/第二导电层面阻的效果，无需再另外设置周边汇流条，进而无需设置遮挡层，并且可以大大提高电致变色器件的变色速度。
一种变色器件电子终端

[发明专利]半导体装置-CN202110879401.9在审
发明人：一关健太郎;可知刚;大麻浩平 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括第一半导体区域，设置于第一电极之上，与第一电极电连接，是第一导电型；第二半导体区域，设置于第一半导体区域的一部分之上，是第二导电型；第三半导体区域，设置于第二半导体区域之上，是第一导电型；第一导电部，具有与第二半导体区域的侧面对置的部分；第二导电部，具有与第一半导体区域的侧面对置的部分；第二电极，设置于第二半导体区域及第三半导体区域之上，与第二半导体区域及第三半导体区域电连接；第一导电区域，设置于第二导电部之上，与第二导电部电连接；第一电极区域，与第一导电区域电连接；导电层，与第一导电区域及第一电极区域中的至少任一个以及第二电极电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710659295.7有效
发明人：玉城朋宏;中村和敏;下条亮平 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：有关实施方式的半导体装置具有第1电极、多个第1区域、多个第2区域、第1导电型的第8半导体区域、第2导电型的第9半导体区域、第1导电型的第10半导体区域、多个第2电极及第3电极。第1区域具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域及栅极电极。第2区域具有第2导电型的第5半导体区域、第2导电型的第6半导体区域及第1导电型的第7半导体区域。第1区域和第2区域交替地设置。第8半导体区域与多个第1半导体区域电连接。第3电极具有隔着第1绝缘层设在第10半导体区域之上的布线部。
半导体装置