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[发明专利]基于机械力拉伸的大深宽比纳米纤维结构及其制备方法-CN201310344883.3有效
发明人：蒋维涛;刘红忠;马浩赟;王兰兰;尹磊;史永胜;陈邦道;丁玉成 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： B29C55/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于机械力拉伸的大深宽比纳米纤维结构及其制备方法，包括以下步骤：1）采用复型方法制备柔性孔阵列模具；2）将聚合物的溶液涂覆于基材上形成聚合物薄膜；3）使柔性孔阵列模具与聚合物薄膜良好接触，使聚合物填充到模具上的孔内；4）最后通过柔性孔阵列模具对聚合物薄膜进行机械拉伸，拉伸完成后固化脱模，制备出端部有质量块的大深宽比纳米纤维结构。本发明可以模具对聚合物的机械拉伸，形成大深宽比的纳米纤维，克服了复型方法中制备大深宽比纳米结构的难题；本发明工艺结构简单，仅通过机械力拉伸，控制机械力拉伸的方向，制备出大深宽比纳米纤维阵列，与电纺丝，化学法
基于机械拉伸大深宽纳米纤维结构及其制备方法

[发明专利]一种大长径比光纤纳米探针及其制备方法和应用-CN202110567942.8在审
发明人：杨树明;王飞;李少博;程碧瑶;张国锋;刘强;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种大长径比光纤纳米探针及其制备方法和应用，该大长径比光纤纳米探针，包括光纤主体和位于光纤主体前端的光纤细长针，光纤细长针的长度与直径之比不小于20:1。在使用时，将光纤细长针伸入到样品上的大深宽比的孔洞微结构、凹槽或凸台结构内部，使光纤细长针与样品保持相对静止，再在大长径比光纤纳米探针内部导光，进行光学测量或光信号耦合。本发明解决了一些特殊的结构的测量，如具有大深宽比的孔洞微结构、大深宽比的凹槽结构或大深宽比的凸台结构的测量问题。
一种长径光纤纳米探针及其制备方法应用

[发明专利]开采区域采动程度的判断方法、装置、存储介质和系统-CN201711481683.7有效
发明人：郭俊廷;李全生;于瑞雪 -专利权人：中国神华能源股份有限公司;北京低碳清洁能源研究所;神华神东煤炭集团有限责任公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明提出一种开采区域采动程度的判断方法、装置、存储介质和系统，方法包括：统计地表下沉率与深厚比的变化关系，绘制地表下沉率与深厚比的变化曲线或确定地表下沉率与深厚比的函数关系式，统计地表下沉率与宽深比的变化关系，绘制地表下沉率与宽深比的变化曲线或确定地表下沉率与宽深比的函数关系式，根据地表下沉率与深厚比的变化曲线的拐点以及地表下沉率与宽深比的变化曲线的拐点确定采动程度类型对应的深厚比与宽深比取值区间；计算开采区域实际的宽深比和深厚比本发明解决了现有技术中只采用宽深比这一判断方法造成的对厚、特厚或薄煤层的采动程度判断结果偏差大的技术问题。
开采区域程度判断方法装置存储介质系统

[实用新型]基于三维电极的大深宽比三维微型腔结构-CN201721143631.4有效
发明人：唐剑平 -专利权人：深圳市鑫灏源精密技术股份有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C25D1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于三维电极的大深宽比三维微型腔结构，包括封腔口，所述封腔口的上端设置有高压气体排放孔，所述封腔口的两边均设置有保温墙，所述保温墙内设置有电磁波隔离层，所述电磁波隔离层内设置有电磁线圈，电磁波隔离层的内侧设置有绝缘层，两个所述绝缘层的中间设置有大深宽比电融内腔，解决了传统的大深宽比三维微型腔模具通常在工作过程中要承受较大的高温应力和压差应力的作用，工作环境非常恶劣，热防护相当困难，沿用传统的腔室已难以满足工作需要的问题，以及解决了现有的大深宽比三维微型腔模具的电融内腔采用二级电极进行点解，不仅效率低下，而且腔具的体积很大，制造成本较高的问题。
深宽比微型腔电磁波隔离层三维腔口绝缘层三维电极保温墙传统的内腔模具本实用新型电磁线圈高压气体制造成本中间设置电极上端排放孔热防护腔室压差两边

[发明专利]一种对开式机匣高效铣加工工艺方法-CN201711187698.2在审
发明人：刘德生;李海泳;赵明;苗鸿志;李丹 -专利权人：中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： B23C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种对开式机匣高效铣加工工艺方法，采用摆线铣削走刀路径，大切深、小切宽、快进给工艺参数，步骤为高效铣刀具路径规划；采用大切深、小切宽、大进给速度方式，优化切削参数；高效铣刀具路径规划包括选择螺旋线进刀本发明方法在航空发动机对开机匣外型面铣加工中得到应用采用摆线走刀路径、大切深、小切宽、快进给的加工方法，利用刀具刃长的优势，在对开机匣外型铣加工中应用，提高刀具利用率，在降低成本和提高加工效率方面，实现对开机匣的高效铣削
一种对开式机匣高效加工工艺方法

[发明专利]一种大深宽比槽电解加工电极及加工方法-CN202110779056.1有效
发明人：刘萌;黄明涛;张明岐;程小元 -专利权人：中国航空制造技术研究院
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B23H3/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种大深宽比槽电解加工电极及加工方法，加工电极为圆盘薄片结构，加工电极的内缘外表面涂覆绝缘涂层，并留出抛光圈，在加工电极进给过程中对工件进行侧向加工，加工电极安装在电极轴上，并与机床主轴相连本发明的电极加工方法适用范围宽，不受结构和空间的限制，可以用于大深宽比异形窄槽的高效电解加工，通过改进阴极表面结构、运动方式和电解液供液装置结构，为有效改善大深宽比槽加工过程稳定性提供了技术支撑。
一种大深宽电解加工电极方法

[实用新型]二铧犁-CN03284463.8无效
发明人：唐国锋 -专利权人：唐国锋
申请日： 2003-09-22 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： A01B15/14 文献下载
摘要：一种二铧犁属于可调二铧犁，解决了现有的二铧犁存在的垄宽、垄距、垄深不能同时可调的缺点。本实用新型的技术解决方案是：二铧犁由牵引架、大架子、犁铧、固定架、导轮、调整架组成，牵引架与大架子铰接，犁铧通过固定架与大架子连接，导轮与调整架固定连接，调整架与大架子连接。本实用新型的优点是结构简单、成本低，垄宽、垄距、垄深同时可调，翻耕后不用耙地。
二铧犁

[发明专利]传感器及其制造方法-CN201310271600.7有效
发明人：陈志源;詹姆斯·G·费兰札;克莱文·沈;安东尼·J·罗特费尔德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开一种传感器及其制造方法，该方法包括：提供结晶半导体基板；形成第一图案化沟槽结构于结晶半导体基板中；形成一第二图案化沟槽结构于第一图案化沟槽结构中，第二图案化沟槽结构的宽度小等于第一图案化沟槽结构的宽度；形成深宽比捕获材料于第一图案化沟槽结构与第二图案化沟槽结构中，形成于第二图案化沟槽结构中的深宽比捕获材料具有差排缺陷，位于第一图案化沟槽结构中的该深宽比捕获材料不会出现差排缺陷；制作一光检测器，形成于深宽比捕获材料上或于深宽比捕获材料中，以输出电子，电子是于光检测器中通过光吸收所产生本发明利用深宽比捕获材料将以非硅为主体的半导体元件整合于硅工艺中，且该光感测元件具有相对大的微米尺寸。
传感器及其制造方法

[实用新型]一次性髋关节手术包-CN201320347425.0有效
发明人：潘大庆;许松玲;邹凌 -专利权人：北京健康广济贸易有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： A61B19/02 文献下载
摘要：次性髋关节手术包，包括胶条、自粘铺单、袜套、小U型单、大U型单、自粘性头部单和器械台罩，其特征在于所述小U型单无加强层，尺寸200cm×110cm，U型开口宽8cm，深40-60cm，所述大U型单有加强层，尺寸260cm×210cm，U型开口宽8cm，深90-110cm。
一次性髋关节手术

[发明专利]一种微通道散热器芯体的加工方法-CN202211283932.2在审
发明人：张玉克;闫周易;王江辉;杨未未;朱航宇;谭超 -专利权人：新乡航空工业(集团)有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B23P15/26 文献下载
摘要：本发明解决现有的化学蚀刻加工、线切割加工无法加工超薄筋板、超窄槽道、大深宽比槽道的问题，提升微通道散热器的散热性能。解决了微通道加工手段无法加工超薄、大深宽比的微通道芯体，满足大深宽比的微通道芯体的要求，用于微通道冷板或微通道散热器散热。
一种通道散热器加工方法

[发明专利]一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法-CN201510975402.8在审
发明人：陈婷婷 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法，该方法采用光刻胶/SiO₂复合掩膜实现高深宽比结构的高垂直度、低粗糙度刻蚀和精确图形转移，其深宽比可达100:1以上通过控制气体流量、刻蚀钝化时间比、刻蚀功率等刻蚀参数，实现高深宽比的硅微三维结构加工。解决现有深槽结构表面积小、侧壁垂直度差、钻蚀现象严重、表面粗糙度大等技术难题。该硅微三维结构具有大容量体积比、高可靠性等特点，非常适用于MEMS能源储能器件，并满足能源系统微型化、智能化、集成化的发展要求。
一种基于反应离子刻蚀技术制备高深微结构方法

[发明专利]一种金刚石大深宽比垂直沟槽激光加工方法-CN201810742445.5在审
发明人：张振宇;崔俊峰;王博;陈雷雷;刘冬冬 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： B23K26/352 文献下载
摘要：一种金刚石大深宽比垂直沟槽激光加工方法，属于难加工材料特种加工领域。利用激光束对样品表面进行扫描，加工出金刚石深宽比大于9的垂直沟槽。本发明实现了深宽比大于9的金刚石大深宽比垂直沟槽激光加工。
激光束深宽比金刚石垂直沟槽激光加工待加工表面样品表面进给激光束入射角样品表面扫描氮气难加工材料超声清洗方向扫描飞秒激光辅助气体矩形区域扫描方向特种加工样品水平直线扫描工作台激光头焦平面脉冲取出扫描加工

[实用新型]一种深孔板导热适配器及实验设备-CN202320526050.8有效
发明人：冯翠英;李妍珂;曾林;刘永初;李阳;刘阳 -专利权人：深圳安吉康尔医学检验实验室
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01L7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及实验设备技术领域，具体涉及一种深孔板导热适配器及实验设备。深孔板导热适配器的底座上有多个外围凸柱和多个内凸柱，其中外围凸柱沿底座的边沿布置，相邻外围凸柱之间有避让槽，对于不同形式的深孔板，避让槽包括朝孔柱槽和朝凸柱槽，朝孔柱槽和朝凸柱槽分别用于与不同位置的支撑棱适配，能够适应不同类型的深孔板。同时，朝孔柱槽分为宽槽和窄槽，朝凸柱槽处于窄槽之间，宽槽的宽度大于窄槽的宽度，这样使得窄槽和宽槽都不影响对应支撑棱进入，同时宽槽由于空间大，更便于深孔板导热适配器与深孔板的装配。
一种深孔板导热适配器实验设备

[发明专利]具有大深宽比嵌入式金属线的转接板及其制造方法-CN201680058415.1在审
发明人：方向明;伍荣翔;单建安 -专利权人：深圳线易科技有限责任公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种具有大深宽比嵌入式金属线的转接板及其制造方法，该转接板(700)的金属线(722,724)嵌入设置在衬底(710)内，金属线的深度与宽度的比值不小于1。在转接板衬底中嵌入大深宽比的金属线，在不增加金属线宽度的条件下，保持高的金属线布线密度，减小金属线的寄生电阻和寄生电感，提高转接板的功率传输效率和信号传输带宽，用单面工艺方法制造大深宽比嵌入式金属线和通孔
金属线转接板深宽比嵌入式衬底填充金属导电体制造功率传输效率信号传输带宽单面工艺单面刻蚀寄生电感寄生电阻嵌入设置减小刻蚀通孔嵌入

[发明专利]光栅深刻蚀的方法-CN202010634034.1在审
发明人：王勇禄;晋云霞;曹红超;孔钒宇;张益彬;邵建达 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：通过不断重复反应离子束刻蚀→残留掩膜去除→倾斜镀制金属掩膜→反应离子束刻蚀过程，可以在保持光栅占宽比的条件下逐步提升光栅的刻蚀深度，解决了氧化硅、氮化硅、氧化铪等常用光栅材料单次掩膜刻蚀选择比不高、无法实现大深宽比刻蚀的问题，为大深宽比衍射光学元件的刻蚀制备奠定了基础。
光栅深刻方法

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