[发明专利]一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法在审
| 申请号： | 201510975402.8 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105600740A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈婷婷 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法，该方法采用光刻胶/SiO2复合掩膜实现高深宽比结构的高垂直度、低粗糙度刻蚀和精确图形转移，其深宽比可达100:1以上。通过控制气体流量、刻蚀钝化时间比、刻蚀功率等刻蚀参数，实现高深宽比的硅微三维结构加工。解决现有深槽结构表面积小、侧壁垂直度差、钻蚀现象严重、表面粗糙度大等技术难题。该硅微三维结构具有大容量体积比、高可靠性等特点，非常适用于MEMS能源储能器件，并满足能源系统微型化、智能化、集成化的发展要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 反应 离子 刻蚀 技术 制备 高深 微结构 方法 | ||
【主权项】：
一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)清洗一片n型，(100)晶向的单晶硅作为衬底；(2)在硅衬底表面沉积一层一定厚度的SiO2膜；(3)在SiO2膜表面旋涂上一定厚度的光刻胶，经过光刻工艺实现图形转移；(4)采用反应离子刻蚀(RIE)刻蚀技术，通过调节CHF3和CF4气体流量和刻蚀功率，把光刻胶图形精确复制到SiO2膜上，使SiO2膜侧壁垂直度可达85度左右；(5)采用DRIE工艺刻蚀形成高深宽比三维深槽结构：选择一定流量的SF6作为刻蚀气体，选择一定流量C4F8和O2作为钝化气体，进行钝化‑刻蚀的交替过程，在钝化‑刻蚀交替的时候同时通入一段时间的SF6和C4F8，有利于刻蚀与钝化的转换过渡，大大降低侧壁粗糙度，同时设置好线圈功率和平板功率，通过较低的平板功率来实现硅的快速刻蚀；(6)对硅微结构上的刻蚀残留物进行清洗，得到干净的高深宽比硅微结构。
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