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[发明专利]一种大单晶分选方法-CN201910092103.8在审
发明人：张建华;李盟;苏崇;刘创勋;文炯 -专利权人：郑州华晶金刚石股份有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： B07C5/342 文献下载
摘要：本发明公开了一种大单晶分选方法，首先将大单晶混合物料按颗粒排列成一排，通过传送机构依次将每个大单晶颗粒送入第一视觉检测系统中，第一视觉检测系统中的工业相机对大单晶颗粒进行视觉检测，并将晶体颜色为黑色或浅绿色的大单晶筛选出去，然后第一视觉检测系统中的工业相机将剩余的大单晶颗粒拍照后与系统预先存储的晶型照片作对比，并将大单晶颗粒晶型分为八面体、六‑八面体、六面体三类，传送机构再将分类后的大单晶颗粒分别送入第二视觉检测系统中，第二视觉检测系统的工业相机根据大单晶颗粒的颜色和有无包裹体将大单晶颗粒分为一级料、二级料、三级料，从而实现自动分拣，具有自动化程度高，检测准确，检测速度快等优点。
大单晶视觉检测系统工业相机传送机构八面体分选晶型送入混合物料晶体颜色颗粒排列视觉检测预先存储自动分拣包裹体六面体浅绿色检测拍照自动化筛选分类

[发明专利]一种大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底及其制备方法-CN201811204726.1有效
发明人：高超;刘家朋;刘鹏飞 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底及其制备方法，属于碳化硅单晶、单晶衬底领域。该大尺寸高纯碳化硅单晶的制备方法包括下述步骤：将装填碳化硅粉料的坩埚安装籽晶单元后，坩埚置于密闭保温结构的腔内，移至晶体生长装置内；后经除杂阶段、长晶阶段，制得高纯半绝缘碳化硅单晶。将高纯半绝缘碳化硅单晶经切割、研磨和抛光制得半绝缘碳化硅单晶衬底。该大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底的制备方法中使用不同壁厚的坩埚及不同厚度的保温结构制造出轴向温度梯度，同时改变坩埚上侧的保温结构，从而制造出径向温度分布一致的热场，可制得4‑12寸的大尺寸碳化硅单晶、单晶衬底，且制备的大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底的电阻率均匀、内应力小。
一种尺寸高纯碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]基于掺硼过渡层的CVD同质外延金刚石大单晶的分离方法-CN202010427973.9有效
发明人：王兵;熊鹰 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺硼过渡层的CVD同质外延金刚石大单晶的分离方法，属于大尺寸单晶金刚石制备技术领域。包括含掺硼过渡层的CVD同质外延金刚石大单晶的制备及线切割分离：在金刚石单晶衬底表面先通过化学气相沉积外延生长一层掺硼金刚石单晶膜作为中间过渡层，再在其上外延生长大尺寸金刚石单晶，然后通过电火花线切割除去含掺硼过渡层，实现CVD同质外延金刚石大单晶与衬底的分离。本发明在金刚石单晶衬底表面先沉积一层掺硼金刚石膜，再在其上外延生长大尺寸金刚石单晶，使产品局部具有导电性，在外延大尺寸金刚石单晶与衬底的电火花线切割加工中，掺硼过渡层既是放电区，也是分离消耗区，实现线切割技术对CVD同质外延金刚石大单晶的加工分离。
基于过渡 cvd 同质外延金刚石大单晶分离方法

[发明专利]一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法-CN201610369755.8有效
发明人：张甲;白学林;周丽杰;王振龙;石琳 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法，本发明涉及大尺寸单晶薄膜的制备方法，特别是涉及一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术制备的钙钛矿薄膜的单晶尺寸小和结晶质量差导致其电学性能较低的问题。本发明利用有机前驱物和无机前驱物，加热蒸发进行气相反应，在衬底上制备出大尺寸单晶钙钛矿薄膜。该制备方法能稳定的获得大尺寸高结晶质量的单晶钙钛矿薄膜，同时可对薄膜的尺寸、厚度、成分等物性进行精确的调控；本发明所制备的大尺寸单晶钙钛矿薄膜可用于柔性太阳能电池、激光器件、LED器件等方面。
一种尺寸单晶钙钛矿薄膜制备方法

[实用新型]一种大尺寸类单晶籽晶-CN201220327258.9有效
发明人：孙勇 -专利权人：无锡中硅科技有限公司
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种大尺寸类单晶籽晶，其特征在于：其长度为700-1200mm，厚度为5-30mm，宽度为50-400mm。一种大尺寸类单晶籽晶的生产工艺，包括下述步骤：（1）将大直径单晶硅棒去头尾，切割成设定长度尺寸；（2）将去头尾的单晶硅棒纵向切割成设定厚度的薄片；（3）将切割好的薄片去边皮，得到最终成品。本实用新型大尺寸类单晶籽晶面积大，拼接数量少，更利于类单晶的铸锭。大尺寸类单晶籽晶工艺可以在同等长度和直径大小的单晶硅棒中做出更多的籽晶产品，因其最大范围的使用了整个单晶硅棒的圆面积使得利用率大大提高，也使生产成本得到了降低。
一种尺寸类单晶籽晶

[发明专利]一种大尺寸单晶铜箔的制备方法-CN201710020397.4有效
发明人：徐小志;张智宏;吴慕鸿;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸单晶铜箔的制备方法。所述方法为多晶铜箔作为原料，一端剪成尖端，利用特殊退火工艺制备出大尺寸单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸单晶铜箔的制备。
一种尺寸铜箔制备方法

[实用新型]一种加快大尺寸单晶降温的副室装置-CN202020093453.4有效
发明人：宋瑞强;张文霞;郭志荣;钟旭;李晓东;康学兵;赵志远;王胜利;韩凯 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种加快大尺寸单晶降温的副室装置，包括副室、内管，所述副室设置于主室上，用于拉制大尺寸单晶硅棒；所述内管与所述副室均为圆筒结构；所述内管设置于所述副室上，并中心同轴。本实用新型涉及的加快大尺寸单晶降温的副室装置，通过在副室内增设带有氩气口的内管，增大了氩气与大尺寸单晶硅棒表面的接触面积，便于大尺寸单晶硅棒的快速散热降温，节约时间，提高生产效率；且有效地降低了大尺寸单晶硅棒直径较粗热应力大而导致的隔离后单晶发红和炸裂的可能性
一种加快尺寸降温装置

[发明专利]大尺寸单晶金刚石及其制备方法-CN202111613038.2在审
发明人：缪勇;马懿 -专利权人：苏州贝莱克晶钻科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸单晶金刚石及其制备方法。所述制备方法包括：沿第一金刚石单晶片的厚度方向对其周缘部进行切割，使形成的切割面垂直于第一金刚石单晶片的上下表面，之后依次进行研磨、清洗及等离子体刻蚀处理，再以第一金刚石单晶片作为生长基底生长金刚石单晶层；之后从金刚石单晶层中分离获得径向尺寸大于第一金刚石单晶片的第二金刚石单晶片，然后将第二金刚石单晶片作为新的生长基底，并循环以上操作直至获得所需的大尺寸单晶金刚石。本发明有效解决了由小尺寸单晶金刚石不能直接外延生长为大尺寸单晶金刚石以及外延过程中易产生多晶的问题；所制得的制备的到的大尺寸单晶金刚石晶体均匀度高，整体性强。
尺寸金刚石及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸或多联单晶导向叶片的引晶结构及制造装置-CN202110220013.X有效
发明人：李俊;贾敬惠;王君武;孔小青;付秋伟;张海潮;李远兵;张家添;胡琪;谢丹丹 -专利权人：贵阳航发精密铸造有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B22D27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种大尺寸或多联单晶导向叶片的引晶结构及制造装置，属于航空涡轮叶片加工技术领域。本大尺寸或多联单晶导向叶片的引晶结构，包括：连接器；多个引晶杆，多个所述引晶杆的一端均与所述连接器的顶端连接，多个所述引晶杆的另一端成散射状朝向多个方向；至少一个晶粒放大器，所述晶粒放大器与对应所述引晶杆的另一端连接本发明还提供一种大尺寸或多联单晶导向叶片的制造装置。本引晶结构有效提升大尺寸或多联导向单晶叶片的单晶完整性问题，使得大尺寸或多联导向单晶叶片能大规模使用，提升大尺寸或多联导向单晶叶片合格率，同时增加发动机性能。
一种尺寸多联单晶导向叶片结构制造装置

[发明专利]一种大尺寸低应力单晶氮化物厚膜结构及其制备方法-CN202011495161.4在审
发明人：李国强 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸低应力单晶氮化物厚膜结构，包括衬底，及生长在所述衬底上的单晶氮化物厚膜；所述衬底上刻蚀有沟道，所述沟道将所述衬底的表面分成多个不连续的区域；所述沟道的深度大于所述单晶氮化物厚膜的厚度本发明在沟道处理后的衬底上生长的单晶氮化物膜具有尺寸大、膜厚度大，同时应力低、不卷曲、无裂纹的特点。本发明还公开了一种上述大尺寸低应力单晶氮化物厚膜结构的制备方法，对大尺寸衬底进行了沟道图形化，通过刻蚀沟道将衬底表面分割成多个独立的不连续的区域，再进行氮化物的生长，降低了大尺寸单晶氮化物在外延生长过程中的应力积累，解决了目前大尺寸单晶氮化物厚膜易卷曲、裂纹的问题。
一种尺寸应力氮化物膜结构及其制备方法

[发明专利]一种纯无机发窄谱蓝紫光二维钙钛矿单晶材料及生长方法-CN202010181827.2在审
发明人：丁建旭;井琳;姚青;张杰;王开宇;袁野;孙海清 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种纯无机、大尺寸、二维钙钛矿发窄谱蓝紫光单晶材料及其生长方法，该方法利用从溶剂中缓慢降温或挥发溶剂的方法获得大尺寸单晶；其中所述大尺寸二维钙钛矿发光单晶的化学式为CsPb该单晶为二维晶体结构；发光峰半峰宽窄，发光峰位417nm，半高宽小于18nm，单晶尺寸大。
一种无机发窄谱蓝紫光二维钙钛矿单晶材料生长方法

[发明专利]一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉-CN201510970073.8在审
发明人：司佳勇;周浩;尚繁;刘亚静 -专利权人：英利集团有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制备技术领域，尤其是涉及熔融液提拉法的大尺寸单晶生长技术领域，具体公开了一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉，通过优化单晶炉生产工艺及氩气吹扫方式，能够控制单晶硅生长界面保持良好的温度梯度，提高热场稳定性，提高单晶生长速率同时保证稳定的单晶质量，提高了产能，降低了能耗和生产成本。
一种法制尺寸单晶硅方法单晶炉

[发明专利]一种适用于单晶小硅块的切割方法-CN202110175449.1在审
发明人：王康 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于单晶小硅块的切割方法，先将至少两个单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将单晶大硅块粘贴在工件板上进行切割得到硅片，其特征在于：所述单晶大硅块和所述工件板之间设置有胶带。本发明的单晶小硅块的切割方法，利用有机硅压敏胶带将拼接后的单晶小硅块之间的缝隙同工件板之间隔离开，防止粘棒胶渗入拼接后的单晶小硅块的缝隙中，切割完成后厚片与厚片之间不存在残胶粘连。本发明的单晶小硅块的切割方法，提高了厚片回收利用率，减少了硅料损失。
一种适用于单晶小硅块切割方法

[发明专利]一种大尺寸HPHT金刚石单晶片同质外延生长方法-CN202210747489.3有效
发明人：陈明;张国凯;曹通;薛晨阳;朱培;郭鋆;郭崇 -专利权人：中南钻石有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明属于大尺寸单晶金刚石制造工艺技术领域，具体涉及一种大尺寸HPHT金刚石单晶片同质外延生长方法。本发明的方法以大尺寸HPHT单晶片作为晶种，采用CVD法同质外延生长，通过控制生长初期的等离子刻蚀条件和CH4的添加方式，并合理设置CH4的添加浓度和保持时间，大幅度降低了HPHT单晶片表面因缺陷密度高易形成多晶杂质的概率，实现生长表面状态的顺利过渡，保证了结晶质量和生长时间。该方法直接解决大尺寸HPHT单晶片生长难度大的难题，而且经激光切割和抛光处理后，原HPHT单晶片和分离的CVD单晶片均可用于再次生长，重复利用率高，也证明了制备的CVD单晶片质量良好稳定，具有较高的发展前景和应用价值
一种尺寸 hpht 金刚石晶片同质外延生长方法

[发明专利]一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法-CN202310055979.1在审
发明人：陈晶莹;罗烨栋;浩瀚;赵新田;杨弥珺;章宣;都佳豪 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法，属于碳化硅单晶制备技术领域。本发明提供的大尺寸低缺陷碳化硅单晶的生长方法中，利用大尺寸低缺陷碳化硅单晶生长装置，以碳化硅粉料为原料，在N型掺杂剂存在条件下基于PVT法进行第一阶段长晶，得到晶锭；以硅粉、碳粉、铬粉和P型掺杂剂的混合物为原料，以所述晶锭作为籽晶，基于LPE法进行第二阶段长晶，得到大尺寸低缺陷碳化硅单晶。采用本发明提供的方法可以生长得到大尺寸低缺陷碳化硅单晶，且可在同一块碳化硅单晶上实现不同类型的掺杂。
一种尺寸缺陷碳化硅生长方法

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