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[发明专利]一种多晶硅片的制备方法-CN201410342919.9在审
发明人：段金刚;明亮;谭晓松;黄俊;瞿海斌;陈国红;杨晓生 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅片的制备方法，该方法先在石英坩埚底部铺设一层颗粒料或其他晶硅碎料，厚度约10～40mm，再将硅料和母合金放入石英坩埚中，进料，抽真空，加热使硅料熔化；熔化过程中，加热器温度控制1530-1550℃，隔热笼提升至开度a为5～80mm，并控制TC2熔化阶段温度不超过1370℃，控制底部颗粒料层剩余10—30mm，进入降温阶段，梯度慢慢降温同时慢慢打开隔热笼；最后长晶，形成晶粒小且均匀的多晶硅采用本发明方法制成的多晶硅片，晶粒均匀，电池效率比一般高效多晶硅片要高0.1-0.2%，整锭硅片的平均电池效率达到17.8%以上，效率17.6%以上硅片比例大于80%。
一种多晶硅片制备方法

[发明专利]一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法-CN201811491382.7在审
发明人：杨金凤;商继芳;毛乾辉;郝好山;李耀宇;晋振杰 -专利权人：河南工程学院
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法，步骤如下：（1）利用碳酸锂和五氧化二钽制备钽酸锂多晶料；（2）放置晶片：将钽酸锂多晶料装入坩埚中，然后从上到下依次放入铂金片、待极化晶片和铂金片，且铂金片上均接有铂金导线本发明采用的电极是铂金电极和钽酸锂多晶料，铂金电极稳定，钽酸锂多晶料直接接触晶片且在所处的温度下不与晶片反应不污染晶片，因此可以长期重复使用。
极化多晶料钽酸锂极化晶片铂金片晶片近化学计量比钽酸锂晶片铂金电极铂金坩埚五氧化二钽从上到下放置晶片施加电压外加电压污染晶片碳酸锂电极放入制备装入

[发明专利]金刚石多晶体合成超硬材料及其生产工艺-CN201610089647.5有效
发明人：彭建国 -专利权人：长春阿尔玛斯科技有限公司
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用来制作工具类多晶体的金刚石多晶体合成超硬材料及其生产工艺，由以下重量百分比原料制成：金刚石75—93%、硅5—10%、铝1—8%、硼1—7%，将金刚石微型粉、硅粉、铝粉和非晶体硼粉混成混合料；将混合料加入行星式球磨机中研磨，采用50HZ及100转/分钟—500转/分钟研磨混合料0.5—5小时，取出弥散状混合料用扫描电子显微镜对其测试分析，触媒同金刚石微粉间分布均匀，无明显团聚现象则符合要求；将混合料制成圆柱状胚料送入高压室，在压力4—5个季帕和温度1000—1600℃下处理；将胚料在高压床上锻压成圆柱形多晶体，降低了金刚石多晶体烧结温度并提高其耐热性。
混合料金刚石多晶体金刚石超硬材料多晶体胚料生产工艺耐热性合成扫描电子显微镜行星式球磨机金刚石微粉重量百分比测试分析团聚现象研磨混合制作工具烧结研磨非晶体高压床高压室弥散状圆柱状触媒锻压硅粉铝粉硼粉送入取出

[发明专利]一种多晶硅块料的挑拣方法及装置-CN202010597662.7在审
发明人：邓韬;俞仕伟;杨宝辉;张万宝;杨强;马义虎;陈朝霞 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： B07C5/02 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶硅块料的挑拣方法，包括：获取块料的图像；将块料的图像与标准块料进行比对，并根据比对结果判断块料是否为合格块料；将判断为不合格块料放置在异常料盒中。相应的，本发明还提供一种多晶硅块料的挑拣装置。该挑拣方法能够提高挑拣辨识度，并提高挑拣效率。
一种多晶硅块料挑拣方法装置

[实用新型]一种多晶硅破碎台-CN201721839168.7有效
发明人：何振贤 -专利权人：登封市绿奥农林科技有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B02C23/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶硅制备领域，尤其涉及一种多晶硅破碎台，包括与支腿连接的台板，所述台板顶部设有三侧围板和一侧铰接门，铰接门沿台板宽度方向设置，三侧围板与铰接门之间的台板上用于放置紧密排列的多晶硅棒，台板上设有漏料孔，漏料孔位于多晶硅棒的间隙处，台板底部设有卸料装置，卸料装置与台板转动连接。本实用新型结构简单，设计合理，能够提高多晶硅棒的破碎合格率，同时便于对破碎后的多晶硅碎块卸料，提高生产效率。
台板多晶硅棒铰接门破碎卸料装置侧围板多晶硅漏料孔碎块多晶硅破碎台单晶硅本实用新型方向设置紧密排列生产效率台板顶部台板宽度转动连接间隙处卸料支腿制备合格率

[发明专利]一种用于大直径多晶硅棒料的提纯线圈及方法-CN201811472935.4在审
发明人：刘洪;庞炳远;董军恒;闫萍;于鹏;李春龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大直径多晶硅棒料的提纯线圈及方法。在对多晶料进行真空区熔提纯的过程中，为了提高提纯效率及多晶直径，设计了一种新型线圈。与传统整体式线圈不同，分为左右对称的两部分；由于线圈可分拆为独立的两部分，可在熔区将线圈上下的多晶料凝固在一起时拆下线圈。所以提纯过后多晶料依然与上轴相连，省去了拆装料及后续的酸洗程序，生长的单晶最大直径由两寸变为三寸。
提纯多晶料大直径多晶硅棒料产品合格率整体式线圈操作程序生产效率提纯效率线圈设计新型线圈杂质沾污左右对称分体式真空区拆下拆装单晶多晶分拆熔区上轴酸洗凝固生长概率维护

[发明专利]多晶立方氮化硼磨料及其制备方法-CN202110710760.1有效
发明人：邹泽宏;李海燕;崔静芝;李长虹 -专利权人：郑州益奇超硬材料有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及超硬材料合成技术领域，提供一种多晶立方氮化硼，该多晶立方氮化硼磨料在半破碎率冲击韧性测定中未破碎的本粒度重量比低于25％；还提供了一种多晶立方氮化硼的制备方法，由六方氮化硼和触媒配成均匀混合粉本申请的有益效果为：本申请的多晶立方氮化硼磨料由多个亚晶体组成，亚晶之间为含有碳原子的共价键结合面，具有中等强度和良好的自锐性。本申请多晶立方氮化硼磨料又有单晶二型料的强度，制成的砂轮等制品既有单晶立方氮化硼磨料一型料的高磨削效率，又有比单晶立方氮化硼磨料二型料更好的表面加工精度和更长的使用寿命。
多晶立方氮化磨料及其制备方法

[实用新型]多晶硅片水平制绒机的自动下料装置-CN201320662135.5有效
发明人：徐光;李永杰;吴绍波;王学成;何晨旭;朱姚培 -专利权人：江苏荣马新能源有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了多晶硅片水平制绒机的自动下料装置，包括机体，所述机体的出料口设有支撑台，所述支撑台上从机体出料口沿着支撑台依次设有多根传送辊，所述传送辊的下料处，设有下料板，所述下料板远离机体的一端向下倾斜，并固定有多块挡料板。从上述结构可知，本实用新型的多晶硅片水平制绒机的自动下料装置，结构简单，可以使制绒后的多晶硅片累叠于下料板上，当下料板上的多晶硅片累叠至一定数量后，操作工直接取下；降低了操作工的数量要求，提高了下料效率；另外也避免了多晶硅片在下料过程中损坏，降低了企业的生产成本。
多晶硅片水平制绒机自动装置

[发明专利]多晶硅铸锭硅固液分离方法及设备-CN201310210007.1有效
发明人：谭毅;姜大川;石爽;任世强 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅铸锭硅固液分离方法及设备，该多晶硅铸锭硅固液分离方法包括以下步骤：将硅料在容器内熔化成熔融硅料，拉锭至熔融硅料中硅液的量为10~20%时，采用与容器横截面相配合的压板对熔融硅料施加压力，熔融硅料内部硅液在压力作用下沿容器与压板之间的缝隙被挤压至压板之上；待硅液全部挤压至压板之上，停止对熔融硅料施加压力；压板下方为高纯度铸锭。本发明还公开了一种能实现多晶硅铸锭硅固液分离方法的设备。本发明克服了现有技术的诸多缺点，实现了保证富集杂质熔体与高纯度铸锭的分离的同时，抑制反向扩散，提高多晶硅生产中的出成率。
多晶铸锭硅固液分离方法设备

[发明专利]一种多晶硅铸锭炉及其坩埚-CN201210389622.9有效
发明人：姜磊;荣丹丹;吕景记;魏文秀;杨杰 -专利权人：天津英利新能源有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅铸锭炉，包括设于炉腔内的顶部加热器和侧面加热器，还包括设于炉腔内的中心加热器，以便对坩埚内的中部硅料进行加热。由于在多晶硅铸锭炉的炉腔中部安装有中心加热器，在顶部加热器和侧面加热器加热的同时，中心加热器也同时加热，可以快速提高坩埚内硅料的温度，同时缩短了坩埚内外侧硅料到中部硅料热传递的距离，减少了热传递时间，避免了因加热时间过长造成的能量损失此外，中心加热器的设置还可以减小坩埚内中部硅料和外侧硅料的温度差，保证多晶硅铸锭的质量。本发明还公开了一种用于上述多晶硅铸锭炉的坩埚。
一种多晶铸锭及其坩埚

[发明专利]一种用于多晶炉铸锭的化料工艺-CN201611009813.2在审
发明人：金国俊;王海庆;路景刚 -专利权人：江苏美科硅能源有限公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开的一种用于多晶炉铸锭的化料工艺，包括多晶炉预热、预加热、升温、熔化4个步骤，其中多晶炉预热分为3个阶段，缩小硅料上部与下部的温差，升温分为4个阶段，缩短了升温过程，本发明的升温、熔化2个步骤较以往工艺相比，其消耗的总时间可耗时缩短了至少1小时，且硅料上部与下部的温差更小，不仅缩短了工艺耗时，提高了生产效率，同时也大大节约了能耗，降低了生产成本。
一种用于多晶铸锭工艺

[发明专利]一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法-CN201711067237.1在审
发明人：王姗 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：一种多晶硅生产原料及多晶硅生产方法，属于多晶硅领域。晶硅生产方法利用来自三氯氢硅和氢气还原制备多晶硅的生产工艺中产生的还原尾气为原料制备多晶硅。多晶硅生产包括从还原尾气中回收含有三氯氢硅、四氯化硅以及二氯二氢硅的氯硅烷物料；调节氯硅烷物料中的三氯氢硅、四氯化硅和二氯二氢硅的摩尔比为10.03～0.20.05～0.3以得到混合料；使氢气与混合料接触并发生还原反应本发明提供的多晶硅制备方法能够充分利用在现有生产过程中产生的二氯二氢硅、四氯化硅，以提高多晶硅在反应炉中的沉积速度和产品质量，同时能有效的降低企业处理废弃物二氯二氢硅、四氯化硅的成本，减少硅的损耗，提高利用率
一种多晶生产料及方法

[实用新型]一种多晶硅破碎装置-CN201920351476.8有效
发明人：李力;刘逸枫;李玉忠;付绪光;沈峰;阮继政;郭磊;陈其国;田野;郭伟 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： B02C4/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅破碎装置，包括多晶硅破碎仓，位于多晶硅破碎仓内的一对破碎辊轮以及破碎辊轮的驱动装置；多晶硅破碎仓设有进料口和出料口，待破碎的多晶硅从进料口进入多晶硅破碎仓内，通过仓内的一对破碎辊轮进行挤压破碎，破碎后的多晶硅从出料口卸料；破碎辊轮包括第一破碎辊轮和第二破碎辊轮；第一破碎辊轮和第二破碎辊轮的外表面均间隔分布有凸出的齿轮和凹槽，第一破碎辊轮上凸出的齿轮与第二破碎辊轮上的凹槽相匹配，第二破碎辊轮上凸出的齿轮与第一破碎辊轮上的凹槽相匹配；当第一破碎辊轮和第二破碎辊轮旋转时，二者之间通过外表面上凸出的齿轮和凹槽相互啮合，从而对之间的多晶硅进行挤压破碎。
破碎辊轮多晶硅破碎仓凸出的齿轮挤压破碎出料口进料口匹配破碎多晶硅破碎装置本实用新型啮合间隔分布驱动装置卸料

[发明专利]多晶硅的生产工艺-CN201510550781.6有效
发明人：李宁;李海军;陈乾坤;王三妹 -专利权人：中国化学工程第六建设有限公司
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅的生产工艺，包括以下步骤步骤一、在坩埚的表面从内到外依次设置第一涂层、第二涂层和第三涂层，铺设有晶体硅边角料层；步骤二、在坩埚中盛放熔融状态的少量多晶硅原料，控制坩埚的温度低于晶体硅边角料层的熔点，使得熔化后的少量多晶硅原料形成结晶保护层；步骤三、真空环境下，在坩埚中盛放待处理的多晶硅原料，置于带有电子束发生装置的熔化炉，采用激光辐照处理；步骤四、在真空环境下，进行高频感应加热，加入造渣剂，进行等离子加热，通入掺有水蒸汽和氢气的氩气，定向凝固得到目标产物多晶硅。本发明能够有效降低硼、磷、金属杂质的含量，制备完全多晶硅，长晶错位少、晶界适量，提高多晶硅电池的转化率。
多晶生产工艺

[发明专利]多晶硅锭及其制备方法、多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚-CN201310311124.7有效
发明人：雷琦;胡动力;何亮;张学日;董一迪 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供了多晶硅锭的制备方法，包括以下步骤：在坩埚内壁喷涂氮化硅层之前或之后，在所述坩埚的侧壁内侧上设置阻隔层，所述阻隔层为硅粉涂层、或石英粉涂层、或硅粉与石英粉混合涂层，所述硅粉和所述石英粉的纯度为99.99%以上；然后在所述坩埚内设置熔融状态的硅料；控制所述坩埚内的温度沿垂直与所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使所述熔融状态的硅料开始结晶；待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明还提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片和多晶硅铸锭用坩埚。该制备方法制得的多晶硅锭靠坩埚壁区域的晶粒较小、均匀、规则、位错密度低且杂质少。
多晶及其制备方法硅片铸锭坩埚