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[发明专利]垂直半导体装置及制造垂直半导体装置的方法-CN201911179080.0在审
发明人：朴寅洙;金种基;金海元;郑会民 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种垂直半导体装置包括：下结构；多层堆叠结构，其包括形成在所述下结构上方的源极层和形成在所述源极层上方的栅极；垂直结构，该垂直结构贯穿所述多层堆叠结构并且包括与所述源极层绝缘的沟道层；垂直源极线，该垂直源极线与所述垂直结构间隔开，以贯穿所述多层堆叠结构并与所述源极层接触；以及水平源极沟道接触件，其适于联接所述源极层和所述沟道层，并且包括第一导电层和第二导电层，该第一导电层和该第二导电层包含不同的掺杂剂。
垂直半导体装置制造方法

[发明专利]多层电容器-CN202110798474.5在审
发明人：李大熙;李相赫;宋琯宇;赵洙玎;李钟和;车梵夏;郑东俊;金润 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括多层结构，在所述多层结构中堆叠有多个介电层并且堆叠有多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述内电极。
多层电容器

[发明专利]LED芯片和使用该LED芯片的LED模块-CN201811092507.9有效
发明人：金大原;元艺琳 -专利权人：株式会社流明斯
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：该LED模块包括：安装基板，其包括电极；LED芯片，其包括半导体堆叠结构、覆盖半导体堆叠结构的外表面的钝化层、以及通过形成在钝化层中的开口连接到半导体堆叠结构的外表面的电极焊盘；以及焊接凸块，其将电极焊盘连接到对应的电极并使用由电极焊盘中的每个包括：多层体，所述多层体包括多个金属层；和被连接到该多层体的接触体。接触体包括在开口外部与钝化层接触的表面接触部分以及通过开口与半导体堆叠结构接触的欧姆接触部分。
led 芯片使用模块

[实用新型]一种多层板三维堆叠结构-CN201821246722.5有效
发明人：李曦;宋志东;王帅 -专利权人：中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及微波多层板结构设计技术领域，特别涉及一种多层板三维堆叠结构。该结构包括：第一多层板，沿其垂直方向开设有通槽；第一器件，设置在通槽中，且烧结在腔体上；导电胶膜，其一侧黏贴在第一多层板的表面，且覆盖所示凹槽；第二多层板，其表面与导电胶膜的另一侧粘结；第二器件，固定设置在第二多层板背向导电胶膜一侧的表面其可实现多层板电路的三维堆叠及器件的内埋置，同时使屏蔽效果可以得到保证，减少器件间的耦合，增加电路的稳定性；且多该层板电路的三维堆叠可在常温下通过黏贴实现，不会对第一多层板、第二多层板及其上面安装的器件产生损伤，简单易于组建，方便大规模推广应用；此外，该结构中第二多层板可用于走线，增加电路的可用面积。
多层板导电胶膜三维堆叠结构电路三维堆叠可用通槽设计技术领域本实用新型多层板结构固定设置屏蔽效果烧结耦合板电路常温下埋置腔体粘结走线损伤微波覆盖组建保证

[发明专利]一种多层堆叠式光纤载体、通信设备和装配方法-CN201811460631.6有效
发明人：李刚;胡邦红;王华;楚广虎 -专利权人：华为机器有限公司
申请日： 2018-12-01 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G02B6/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种多层堆叠式光纤载体、通信设备和装配方法，涉及光通信技术领域，能够降低光纤载体的加工难度和加工成本。该多层堆叠式光纤载体包括多个光纤载体模块，多个所述光纤载体模块沿第一方向依次堆叠设置，每个所述光纤载体模块均包括光纤载体和调整结构，所述光纤载体上设有光纤安装部，所述调整结构用于使相邻两个所述光纤载体模块中所述光纤载体上的光纤安装部之间沿第一方向的距离等于目标值本申请实施例提供的多层堆叠式光纤载体用于通信设备。
一种多层堆叠光纤载体通信设备装配方法

[实用新型]一种多层堆叠的装配式建筑结构板体制作模具-CN201921403231.1有效
发明人：唐明君 -专利权人：四川长豪科技有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B28B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多层堆叠的装配式建筑结构板体制作模具，用于单次制作多个相同的装配式结构板体的组合装置，包括多个堆叠放置的用于浇筑单个结构板体的环状包围结构，在堆叠的环状包围结构两侧设有用来夹持并固定的固定机构，所述相邻环状包围结构、固定机构与环状包围结构之间均设有用于间隔的底板；所述固定机构与环状包围结构、相邻环状包围结构之间均通过螺栓进行可拆卸连接，固定后所述固定机构与环状包围结构构成密封的堆叠模块，所述环状包围结构设有注浆口通过竖向堆叠的多层结构进行同时浇筑，不仅能够形成较为均质的板材结构，同时还能够降低成本提高生产效率。
一种多层堆叠装配式建筑结构体制模具

[发明专利]一种多层堆叠的复合结构及电磁波宽波段吸收器-CN201711183961.0有效
发明人：程强;周昆;宋金霖;卢璐;王小婷;李博文;姚巍 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明属于电磁波宽波段吸收器领域，其公开了一种多层堆叠的复合结构及电磁波宽波段吸收器，所述复合结构包括多层上下堆叠设置的氧化铟锡层，多层所述氧化铟锡层的掺杂浓度自底层至顶层逐渐增大；每层所述氧化铟锡层形成有周期性排列的纳米线阵列或者纳米孔阵列本发明提供的多层堆叠的复合结构及电磁波宽波段吸收器提高了吸收效率及吸收谱谱带宽度，且结构简单，易于制造，灵活性较高，有利于推广应用。
一种多层堆叠复合结构电磁波波段吸收

[发明专利]无机多层堆叠件及其相关的制造方法以及组成成分-CN201710090395.2在审
发明人：拉维·普拉沙德;丹尼斯·R·霍拉斯 -专利权人：维特瑞弗莱克斯公司
申请日： 2012-01-27 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本发明描述了一种多层堆叠件。所述多层堆叠件包括(i)一层或多层用于降低气体分子或蒸汽分子通过率的无机阻隔层；(ii)与一层或多层无机阻隔层相邻设置的无机反应层，该无机反应层能够与气体分子或水蒸汽分子发生反应；(iii)其中，在所述多层堆叠件工作过程中，由所述一层或多层无机阻隔层渗透出的气体分子或蒸汽分子与所述无机反应层发生反应，使气体分子或是蒸汽分子基本上不能从所述的多层堆叠件通过。
无机多层堆叠及其相关制造方法以及组成成分

[发明专利]无机多层堆叠件及其相关的制造方法以及组成成分-CN201280006469.5有效
发明人：拉维·普拉沙德;丹尼斯·R·霍拉斯 -专利权人：维特瑞弗莱克斯公司
申请日： 2012-01-27 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本发明描述了一种多层堆叠件。所述多层堆叠件包括（i）一层或多层用于降低气体分子或蒸汽分子通过率的无机阻隔层；（ii）与一层或多层无机阻隔层相邻设置的无机反应层，该无机反应层能够与气体分子或水蒸汽分子发生反应；（iii）其中，在所述多层堆叠件工作过程中，由所述一层或多层无机阻隔层渗透出的气体分子或蒸汽分子与所述无机反应层发生反应，使气体分子或是蒸汽分子基本上不能从所述的多层堆叠件通过。
无机多层堆叠及其相关制造方法以及组成成分

[发明专利]半导体装置及制造方法-CN201010238249.8有效
发明人：韦国樑;余旭昇;李鸿志 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该制造方法，使用衬垫层以防止金属导线受到伤害，包括提供一多层堆叠结构，该多层堆叠结构包含一绝缘基底层、一底阻障层、一顶阻障层、及一介于底阻障层与顶阻障层之间的导电层，蚀刻该多层堆叠结构以提供多条金属导线，每一金属导线自底阻障层延伸且具有自所蚀刻的顶阻障层形成的一覆盖的顶阻障层，其中底阻障层被部分蚀刻以在每一相邻导电线间形成一连接区域，形成一衬垫层于被蚀刻的多层堆叠结构上及裸露出连接区域，及蚀刻衬垫层且移除裸露的连接区域以形成多条导线
半导体装置制造方法

[发明专利]一种多层堆叠的环栅场效应晶体管沟道温度预测的方法-CN202011388665.6有效
发明人：刘人华;李小进;孙亚宾;石艳玲 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层堆叠的环栅场效应晶体管沟道温度预测的方法，包括：步骤一：获取多层堆叠的环栅场效应晶体管的结构参数和热学参数；步骤二：基于有限元仿真工具，搭建第一类去嵌入结构；步骤三：提取各层沟道的结构热阻；步骤四：基于有限元仿真工具，搭建第二类去嵌入结构；步骤五：提取各层沟道间的耦合热阻；步骤六：基于热阻矩阵理论和热的线性叠加理论，使用牛顿迭代算法，预测多层堆叠的环栅场效应晶体管各层沟道的工作温度。本发明提出的温度预测方法纳入了各沟道间热耦合的实际情况，分离了多层堆叠的环栅场效应晶体管的材料热阻和耦合热阻，从而能精准地预测各层沟道的工作温度。
一种多层堆叠场效应晶体管沟道温度预测方法

[发明专利]多层堆叠存储器及制作方法-CN202111493913.8在审
发明人：杜茂华 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层堆叠存储器及制作方法，所述多层堆叠存储器制作方法包括以下步骤：准备存储芯片和基板，使用热压键合的方式将存储芯片通过微凸点焊接堆叠在基板上；将另一层存储芯片通过微凸点焊接堆叠在上一层存储芯片上，形成堆叠模块；在所述基板与存储芯片之间、以及上下相邻的存储芯片之间均充满塑封料或底充胶，对所述堆叠模块进行塑封；将塑封后的堆叠模块分割成独立封装。本发明提供的多层堆叠存储器制作方法可以有效降低多层堆叠存储器的生产成本。
多层堆叠存储器制作方法

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202111261694.0在审
发明人：汤召辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的栅极层和介电层；或者，所述堆叠结构包括交替层叠的伪栅极层和所述介电层，其中，所述栅极层可替代所述伪栅极层；在所述堆叠结构的栅线隙区中形成凹槽，其中，所述凹槽贯穿多层所述栅极层和所述介电层；或者，所述凹槽贯穿多层所述伪栅极层和所述介电层；在所述堆叠结构表面及所述凹槽中形成绝缘层，其中，所述凹槽上方的绝缘层相对远离所述衬底的表面具有凹陷
三维存储器及其制造方法

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202180006374.2在审
发明人：汤召辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的栅极层和介电层；或者，所述堆叠结构包括交替层叠的伪栅极层和所述介电层，其中，所述栅极层可替代所述伪栅极层；在所述堆叠结构的栅线隙区中形成凹槽，其中，所述凹槽贯穿多层所述栅极层和所述介电层；或者，所述凹槽贯穿多层所述伪栅极层和所述介电层；在所述堆叠结构表面及所述凹槽中形成绝缘层，其中，所述凹槽上方的绝缘层相对远离所述衬底的表面具有凹陷
三维存储器及其制造方法

[实用新型]热交换器-CN201420215187.2有效
发明人： C·M·格雷纳;L·M·罗斯 -专利权人：福特环球技术公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： F28D9/00 文献下载
摘要：该热交换器包括堆叠的多层翼片以及第一冷却剂管道和第二冷却剂管道，其中每个翼片均包括重复形式的折叠，堆叠的多层翼片形成多个反复偏移的单元结构，第一冷却剂管道和第二冷却剂管道被耦接至堆叠的多层翼片中的周边翼片热交换器还包括引导空气通过反复偏移的单元结构的风扇。所述热交换器具有增加的热传递能力。
热交换器