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[发明专利]基于带的外延剥离设备和方法-CN200980155618.2无效
发明人：汤玛士·J·吉密特;何甘;美利莎·艾契尔;安德瑞斯·海吉杜斯 -专利权人：奥塔装置公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明的实施方式大体上涉及用于通过外延剥离(ELO)过程来制作外延薄膜和器件的设备和方法。在一个实施方式中，提供了用于在ELO过程期间形成薄膜器件的方法，该方法包括：将多个基底连接至细长的支撑带，其中每个基底包括被布置在牺牲层上方的外延膜，该牺牲层布置在晶片上方；在蚀刻过程期间将基底暴露于蚀刻剂，同时移动细长的支撑带；以及蚀刻牺牲层并将外延膜从晶片剥离，同时移动细长的支撑带。实施方式还包括一些设备，连续型以及分批型设备，用于形成外延薄膜和器件，这些设备包括用于从外延膜生长所在的晶片上移除支撑带和外延膜的设备。
基于外延剥离设备方法

[发明专利]外延生长方法及外延硅片-CN202211677623.3在审
发明人：张远超;王力;梁鹏欢;张奔 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延生长方法及外延硅片，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室和位于所述反应腔室内的基座，所述外延生长方法包括：将抛光后的硅片放置在所述基座上；利用硅源气体在抛光后的硅片上依次沉积预制层和外延层，使得所述预制层的致密度高于所述外延层的致密度本发明的技术方案能够抑制或防止重掺衬底中的杂质向外延层的扩散，减小重掺外延片的过渡区宽度。
外延生长方法硅片

[发明专利]一种外延设备的生长腔室-CN202110944338.2在审
发明人：王慧勇;孔倩茵;唐卓睿 -专利权人：季华恒一（佛山）半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延设备的生长腔室，用于外延生长，包括：腔室本体，呈水平设置的圆柱状；承托组件，用于承托并驱动衬底旋转使衬底进行外延生长；所述腔室本体内设有两个以上的反应腔，两个以上的反应腔为竖向排列，每个所述反应腔内均设有所述承托组件；该外延设备的生长腔室为外延设备中的高温反应装置，其内设有两个以上的反应腔，而每个反应腔中均设置有用于承托衬底的承托组件，使得本申请实施例的生长腔室能在同一个腔室本体中提供两个以上的反应空间，在对应的反应腔内置入衬底便能同时进行多个外延片的外延生长工艺，在保证外延厚度、掺杂均匀性的前提下，显著地提高了外延设备的产能，并有效地降低设备成本。
一种外延设备生长

[实用新型]一种提高硅外延生长速率的设备-CN202222250112.5有效
发明人：沈恒文;吉双平;刘彤辉;金修领;郝小峰;王伟康;高月华;程宣林 -专利权人：江苏艾匹克半导体设备有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及气象外延炉技术领域，且公开了一种提高硅外延生长速率的设备，包括气象外延炉，气象外延炉左右两侧固定连接有移动机构，气象外延炉左右两侧位于移动机构外圈位置固定连接有防护机构，移动机构包括固定块，固定块固定连接于气象外延炉左右两侧，固定块远离气象外延炉一侧固定连接有机箱，机箱内固定连接有电机，电机底部固定连接有螺纹转轴，螺纹转轴外圈螺纹连接有伸缩螺筒。该提高硅外延生长速率的设备，通过设置的移动机构，使工作人员可以独自对气象外延炉进行移动工作，无需使用装卸设备进行辅助，增加了气象外延炉在移动时的便捷性，降低了气象外延炉移动时工作人员的工作强度。
一种提高外延生长速率设备

[发明专利]一种外延生长温度测量方法以及外延设备温度校准方法-CN202210064387.1在审
发明人：王凯华;许健;严瑶 -专利权人：厦门士兰集科微电子有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：公开了一种外延生长温度测量方法以及外延设备温度校准方法，所述外延生长温度测量方法包括将待测衬底置于外延设备的腔体内进行外延生长；获取所述待测衬底在所述腔体内外延生长之后的当前对位标记参数；将所述当前对位标记参数与多个预设的标准对位标记参数进行对比，以获取所述腔体内的外延生长温度；其中，不同的标准对位标记参数对应不同的温度，与当前对位标记参数差异最小的标准对位标记参数所对应的温度为所述待测衬底的外延生长温度。本发明通过将当前对位标记的参数与标准对位标记的参数进行对比来测量外延生长温度，以避免温度计测温不能模拟外延设备腔体内部的温度环境、人为测量误差及多次反复测量的问题。
一种外延生长温度测量方法以及设备校准方法

[发明专利]一种外延反应加热控制方法、系统、电子设备及存储介质-CN202210794117.6有效
发明人：谢利华;毛朝斌;王慧勇 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延反应加热控制方法、系统、电子设备及存储介质，外延反应加热控制方法用于外延反应设备，包括以下步骤：输出最大加热功率信息以使外延反应设备的外延腔迅速升温至预设的第一温度信息；根据第一温度信息、预设的第二温度信息以及第二温度信息对应的起始加热功率信息生成加热功率曲线；根据加热功率曲线调节并输出加热功率信息以使外延腔逐渐升温，直至加热功率信息下降至起始加热功率信息；对外延腔进行PID控制加热使外延腔升温至预设的外延反应温度信息所对应的温度，本申请通过上述方法使外延腔在加热过程中不会因为加热功率突变而导致温度产生波动，从而提高加热效率及加热稳定性。
一种外延反应加热控制方法系统电子设备存储介质

[发明专利]一种外延设备、设备制作方法及外延方法-CN201610664963.0在审
发明人：刘源;保罗·邦凡蒂 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提供一种外延设备、设备制作方法及外延方法，所述外延设备包括石英腔室、设于所述石英腔室内的用于支撑晶圆的支撑平台及分别设于所述石英腔室一对相对侧面的反应气体进气口及废气排气口；其中所述反应气体进气口所在石英腔室侧面上还设有两个氢气进气口本发明可以有效抑制外延过程中石英腔室腔壁上的多晶硅覆盖，减少颗粒污染，可以一次性得到较厚的硅外延层（>30μm），无需中途取出晶圆并对石英腔室进行清洗，从而有利于快速制备大面积、高质量的硅外延层。
一种外延设备制作方法方法

[发明专利]一种用于外延设备的测温装置及外延设备-CN202011276432.7在审
发明人：曹岩;牛景豪 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于外延设备的测温装置及外延设备；所述测温装置用于测量放置于所述外延设备中的承载托盘上表面的晶圆温度值，所述装置包括：多个均匀埋设于所述承载托盘内的温度传感器，每个所述温度传感器用于感测自身在所述承载托盘的埋设点处所对应区域的温度值；每个所述温度传感器均引出导线与设置于外延设备外部的温度控制器相连接；所述温度控制器，用于基于所有温度传感器通过所述导线传输的温度值确定所述承载托盘上表面放置的晶圆的温度分布。
一种用于外延设备测温装置

[发明专利]用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备-CN202010614408.3有效
发明人：夏俊涵;孙中岳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种用于外延生长设备的进排气构件及外延生长设备，该进排气构件包括环形主体，沿环形主体的周向侧壁设置的进气通道和排气通道，进气通道和排气通道的对称面为同一平面，且环形主体的轴线位于对称面内；进气通道和排气通道设置于环形主体上，消除现有技术中分体式进排气口的装配间隙，减少腔室边缘区域的气体紊流，改善晶圆表面生长的外延层厚度均匀性；同时气体从进气通道至排气通道的流动方式，扩大气流的流动空间，减少边缘紊流区对晶圆上方气流场的影响
用于外延生长设备排气构件

[实用新型]一种用于外延设备的气体管路及外延设备-CN202122971524.3有效
发明人：尹宁;燕春;杨进 -专利权人：江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于外延设备的气体管路及外延设备，所述用于外延设备的气体管路包括：上游管路、下游管路、可拆卸紧固装置、限流器和防沉积环，所述防沉积环设置在限流器与上游管路的接头之间和/或限流器与下游管路的接头之间
一种用于外延设备气体管路

[实用新型]一种外延设备进气调节装置及外延设备-CN202320901698.9有效
发明人：万胜强;刘柱;王娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延设备进气调节装置及外延设备，装置包括：进气门阀、进气调节组件和阀芯，进气门阀上设有晶圆传送槽和缓冲均压腔，进气调节组件和阀芯分别安装于进气门阀的上下表面，阀芯用于密封隔断进气门阀内部
一种外延设备调节装置

[发明专利]用于产生外延晶片的系统和方法-CN202310145729.7在审
发明人：许致远;塗俊钦;杨燿青;陈世强 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本公开涉及用于产生外延晶片的系统和方法。一种产生外延半导体晶片的方法包含测量一或多个外延半导体晶片以确定由外延设备产生的外延沉积层构型。所述方法进一步包含通过将所述经抛光晶片的所述表面构型与由所述外延设备产生的所确定的外延沉积层构型进行比较而生成所述经抛光晶片的经预测外延后表面构型。所述方法还包含基于所述经预测外延后表面构型确定经预测外延后参数，以及基于所述经预测外延后参数调整所述抛光组合件的工艺条件。
用于产生外延晶片系统方法

[发明专利]一种对外延膜厚进行监控的设备及方法-CN202211245097.3在审
发明人：丁欣;缪燕 -专利权人：上海埃延半导体有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种对外延膜厚进行监控的设备及监控方法，该设备包括：光学系统，其与外延腔体连接，所述光学系统被配置为通过红外光线测量外延腔体内衬底的外延膜厚；以及多个外延腔体，所述外延腔体被配置为容纳衬底，其中所述外延腔体包括光纤集成板，所述光纤集成板包括：光纤接线柱，其通过光纤与所述光学系统连接，并且所述光纤接线柱被配置为使得红外光线通过固定角度射入和\或射出所述外延腔体。本发明可以在外延设备的多个腔体中实时监控外延膜厚，并且根据监控数据对外延工艺进行实时调整，并且通过在多个腔体上设置光纤集成板，在降低了光程差的同时也大大提高了测量的准确性和稳定性。
一种外延进行监控设备方法

[实用新型]一种用于外延生长设备用滤芯的MO源回收处理装置-CN202222809760.X有效
发明人：金宇;茅嘉原;李敏;郑天增 -专利权人：苏州普耀光电材料有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B01D41/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于外延生长设备用滤芯的MO源回收处理装置，具体涉及MO源回收处理领域，包括工作台、外延长设备过滤器、水洗箱、碱洗箱、电泵、收集桶，所述外延长设备过滤器设置在工作台的顶部，所述水洗箱和碱洗箱分别设置在工作台的两侧本实用新型首先通过启动双轴电机带动转动板旋转，可以依次使震动板产生上下震动，并通过连接杆带动第一支撑板上下震动，从而将震动力传递到外延长设备过滤器的内部，使外延长设备过滤器产生震动，从而使外延长设备过滤器内部的沉淀物质通过震动扩散，提高液体对外延长设备过滤器内部沉淀物质的溶解效率，提高使用效果。
一种用于外延生长备用 mo 回收处理装置

[发明专利]一种碳化硅外延层载流子浓度测试的方法及装置-CN202110918071.X在审
发明人：陈志霞;林嘉伟;冉岩松;冯淦;赵建辉 -专利权人：瀚天天成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅外延层载流子浓度测试的方法及装置，所述方法为采用MCV设备测试碳化硅外延层载流子浓度，所述MCV设备包括载物台，所述载物台上方设置离子风帘盘，所述离子风帘盘通过一导管连接离子风枪；在测试碳化硅外延层载流子浓度之前，开启离子风枪，产生的离子风通过所述离子风帘盘对所述载物台上的碳化硅外延层进行吹扫，之后再进行碳化硅外延层载流子浓度的测试。所述装置包括MCV设备、离子风帘盘和离子风枪。本发明所述方法可以保证碳化硅外延片外延层载流子浓度测试结果的准确性，同时提高现有测试设备测试结果的重现性。
一种碳化硅外延载流子浓度测试方法装置