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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]外延设备的工艺管路系统-CN201120379004.7有效
发明人：雷海波;冯慧钦;张洪伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延设备的工艺管路系统，包括内侧气流分配器、外侧气流分配器，工艺气体进气管分别连接内侧气流分配器、外侧气流分配器；所述内侧气流分配器通过两个相互并联的内侧气流管路分别连接内侧喷嘴，所述外侧气流分配器通过两个相互并联的外侧气流管路分别连接外侧喷嘴本实用新型能够实现对片子1/2至片子中心处的气流分布的调节，实现了对片子部分区域的气流可调性，从而能够改善外延设备的外延膜厚均匀性，调节片子1/2至片子中心处的膜厚分布。
外延设备工艺管路系统

[实用新型]制备GaN外延片的设备-CN201620300986.9有效
发明人：李东昇;丁海生;陈善麟 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种制备GaN外延片的设备，提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。
制备 gan 外延设备

[实用新型]制备HEMT外延片的设备-CN201620301984.1有效
发明人：李东昇;丁海生;陈善麟 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种制备HEMT外延片的设备，提供具有若干个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将缓冲层固定于另一个腔体内生长，将沟道层和势垒层固定于其他反应腔室内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量的影响，从而提高HEMT外延层的晶体质量，进一步减小HEMT器件所存在的电流崩塌效应和漏电流效应。
制备 hemt 外延设备

[实用新型]双层外延片的制造设备-CN201821995486.7有效
发明人：陈海波 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C30B31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双层外延片的制造设备，包括：第一掺杂气源管道和第二掺杂气源管道，第一掺杂气源管道用于缓冲层生长时的掺杂气源输送，第二掺杂气源管道用于耐压层生长时的掺杂气源输送，第一掺杂气源管道和第二掺杂气源管道分别独立设置本实用新型研究双层外延片的耐压层过渡区宽的问题，其原因是缓冲层生长完成后，外延机台的气体管路中仍会残留该层生长使用的高浓度掺杂气体，如磷烷、硼烷等，从而导致在低浓度生长的耐压层的过渡区宽，本实用新型在缓冲层生长时和耐压层生长时分别使用独立的掺杂气源输送管道
掺杂气源管道生长耐压层本实用新型双层外延片缓冲层气源输送制造设备过渡区机台气源输送管道高浓度掺杂独立设置气体管路磷烷硼烷残留研究

[实用新型]钝化装置以及外延设备-CN201920775913.9有效
发明人：李国强;林宗贤;吴孝哲 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种钝化装置和外延设备，所述装置包括：钝化气体输送通道，与反应腔连通，用于向所述反应腔内提供钝化气体；离子束发射组件，延伸至所述反应腔的内部，用于向所述反应腔内提供离子束，所述离子束用于离子化位于反应腔内壁的杂质
反应腔钝化气体本实用新型钝化装置离子化离子束反应腔内壁离子束发射钝化反应输送通道外延设备自掺杂连通延伸

[实用新型]预热环及外延生长设备-CN202023138293.X有效
发明人：崔贤斌;金柱炫 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种预热环，用于外延生长设备，包括环形主体，所述环形主体包括相对设置的第一面和第二面，所述第一面与外延生长设备中用于承载硅片的基座的承载面位于同一侧，所述第二面上沿其周向均匀的设置有凹凸结构本实用新型还涉及一种外延生长设备。通过凹凸结构的设置，增加了预热环与环境的接触面积，提高升温或降温的速度。
预热外延生长设备

[外观设计]充电设备（方形外延带支架）-CN201930113297.6有效
发明人：米更林;荆锐 -专利权人：畅充科技(上海)有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：充电设备（方形外延带支架）。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于给手机、平板电脑等电子设备充电并放置手机。;3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
充电设备（方形外延带支架）

[外观设计]充电设备（圆形外延带支架）-CN201930113284.9有效
发明人：米更林;荆锐 -专利权人：畅充科技(上海)有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：充电设备（圆形外延带支架）。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于给手机、平板电脑等电子设备充电并放置手机。;3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
充电设备（圆形外延带支架）

[发明专利]一种硅锗外延层的制备方法-CN202211565732.6在审
发明人：叶斌 -专利权人：江苏天芯微半导体设备有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锗外延层的制备方法，包括以下步骤：S1、提供外延设备，设备包括：腔体，腔体内设置有用于承载衬底的基座；加热组件，能够通过改变各加热组件的顶部和底部功率占比使基座的顶部和底部形成温差；S2、确定不同外延层对应的底部功率占比，其中不同外延层的锗浓度不相同；S3、设置底部功率占比为P1及工艺温度，通入工艺气体，在衬底上沉积第一外延层，其中第一外延层的锗浓度为C1；S4、设置底部功率占比为Pn+1及工艺温度，通入工艺气体，在第n外延层上沉积第n+1外延层，其中第n+1外延层的锗浓度为base:Sub>n+1大于Cn，50％＜Pn+1≤90％，通过上述方法能够制备晶格缺陷少的多层硅锗外延层
一种外延制备方法

[实用新型]快恢复二极管和电子设备-CN202320120030.0有效
发明人：张汝康;张晓昕;史仁先;杨忠武;王国峰 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请涉及一种快恢复二极管和电子设备，快恢复二极管包括：设置在衬底上的外延层，外延层包括第一外延层和第二外延层，第一外延层位于第二外延层远离衬底的一侧，第一外延层依次形成有VLD终端结构、场限环和有源层，场限环间隔环绕在有源层的外侧，VLD终端结构间隔环绕在场限环的外侧；快恢复二极管还包括场氧化层，场氧化层沿厚度方向设置于第一外延层上，场氧化层位于第一外延层远离第二外延层的一侧；场氧化层在第一外延层的宽度方向设有多个间隔设置的注入窗口
恢复二极管电子设备

[发明专利]一种用于外延生长的LPE设备-CN202211058114.2在审
发明人：蒋旭霞;朱佰喜;薛抗美;雷宏涛;邹明蓓 -专利权人：广州志橙半导体有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C30B19/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体外延生长设备的技术领域，公开了一种用于外延生长的LPE设备，包括：反应器和进出气装置；本发明通过将2个动力气孔连通动力气导流结构和托盘结构改为增加至3个及以上的动力气孔连通动力气导流结构和托盘结构，令动力气驱动转盘结构进行更加稳定的旋转，大幅提高晶片的外延性，本发明中的工艺气导流结构设置在中间腔室的两端，工艺气导流结构的两端开口为矩形，其面积大于传统工艺气导流结构中的孔洞式开口，因此能够令中间腔室中的工艺气充足，提升了外延片的寿命，解决了外延反应时工艺气在中间腔室内的均匀性不够高，导致生产出来的外延片的寿命较短的问题。
一种用于外延生长 lpe 设备

[发明专利]外延结构制造方法和外延结构-CN201910110404.9有效
发明人：谈科伟 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供的外延结构制造方法和外延结构，涉及半导体技术领域。其中，外延结构制造方法包括：提供多个衬底，并基于翘曲度将所述多个衬底进行分类，得到至少一个衬底组，其中，同一衬底组中的各衬底的翘曲度属于相同的预设范围、不同衬底组中各衬底的翘曲度属于不同的预设范围；在一个衬底组中获取至少两个衬底；通过同一设备、同一工艺在所述至少两个衬底中的每一个衬底的一面外延生长形成一匹配层，以通过该匹配层和该衬底之间形成的应力对该衬底的翘曲度进行调整。通过上述方法，可以改善现有技术中通过同一设备、同一工艺进行外延生长得到的各外延结构之间存在均匀性较差的问题。
外延结构制造方法

[实用新型]一种城镇用户绿色高效能源装置-CN201921223368.9有效
发明人：周旗 -专利权人：江苏唯绿环境科技有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H02S10/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种城镇用户绿色高效能源装置，包括底座和外延座，所述底座的上方设置设备箱，底座的下方设置移动轮，所述外延座设置在底座的前侧，外延座上端面的两侧加工铰接座，本实用新型结构简单，独立性和可操作性更高，更加方便使用，采用铰接座与光伏面板的底端铰接，即可由外延座低光伏面板的底端进行支撑，并由导轨与导轨壳配合，将外延座与底座连接配合，有效地提高设备的支撑稳定性，同时外延座向外滑移，即可带动光伏面板的底端水平滑移
底座光伏面板底端本实用新型铰接座导轨滑座配合支撑稳定性城镇用户底座连接铰接安装能源装置铅锤方向倾角调整设置设备水平滑移移动轮有效地上端低光滑槽滑轨滑移铰接独立性支撑加工

[发明专利]外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210686166.8有效
发明人：戴科峰;高桑田;仇礼钦;唐卓睿;黄吉裕 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度
外延设备镀膜厚度监控方法装置电子设备存储介质

[发明专利]用于外延工艺的半导体制造设备-CN201280037860.1有效
发明人：金荣大;玄俊镇;禹相浩;申承祐;金海元 -专利权人：株式会社EUGENE科技
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：根据本发明一实施例，一种半导体制造设备，其特征在于，所述半导体制造设备包括：清洗腔室，其实现对基板的清洗工艺；外延腔室，其实现在所述基板上形成外延层的外延工艺；以及搬运腔室，其侧面与所述清洗腔室及所述外延腔室连接，并且具备向所述外延腔室搬运已完成所述清洗工艺的所述基板的基板处理器，所述清洗腔室具备：反应腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的反应工艺；及加热腔室，其与所述搬运腔室的侧面连接，并实现对所述基板的加热工艺
用于外延工艺半导体制造设备

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