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[发明专利]处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置-CN200710154446.X有效
发明人：佐藤亮;齐藤均 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-09-12 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置，该处理气体供给机构能够在短时间内供给使处理容器内变成设定压力的量的处理气体。处理气体供给机构(3)包括：用于向作为收容基板(G)的处理容器的腔室(2)内供给作为处理气体的氦气的He气体供给源(30)；用于暂时贮存来自He气体供给源(30)的氦气的处理气体罐(33)；和将来自He气体供给源(30)的氦气供给处理气体罐(33)并将处理气体罐(33)内的氦气供给腔室(2)内的处理气体流通部件(35)，氦气经由处理气体流通部件(35)被从He气体供给源(30)暂时贮存在处理气体罐(33)中，并从处理气体罐(33)供给到腔室(2)内。
处理气体供给机构方法装置

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序及气体供给系统-CN202080047667.0在审
发明人：永冨佳将;漆原美香;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：基板处理装置包括：处理气体喷嘴，向处理室内供给处理气体；惰性气体喷嘴，以处理气体喷嘴为中心沿周向夹着的方式分别被设置2个以上，并将惰性气体供给到处理室内；处理气体供给部，向处理气体喷嘴供给处理气体；惰性气体供给部，向各个惰性气体喷嘴供给惰性气体；以及控制部，构成为能够分别控制从处理气体供给部向处理气体喷嘴供给的处理气体的流量和从惰性气体供给部向各个惰性气体喷嘴供给的各惰性气体的流量。
处理装置半导体制造方法程序气体供给系统

[发明专利]半导体处理用成膜方法、成膜装置和存储介质-CN200610058179.1有效
发明人：长谷部一秀;冈田充弘;金採虎;李丙勋;周保华 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-03-10 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理用的成膜装置，其包含向处理区域内供给处理气体的处理气体供给系统。上述处理气体供给系统包括：将第一和第三处理气体混合、形成混合气体的气体混合罐；从气体混合罐向处理区域供给混合气体的混合气体供给管线；具有不经过气体混合罐而将第二处理气体供给到处理区域的第二处理气体供给管线的第二处理气体供给系统；分别设置在混合气体供给管线和第二处理气体供给管线上的第一和第二开关阀。控制部控制第一和第二开关阀，使得以脉冲状向处理区域交替供给混合气体和第二处理气体。
半导体处理用成膜方法装置存储介质

[发明专利]成膜装置-CN200910142629.9有效
发明人：长谷部一秀;周保华 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及半导体处理用成膜装置，该装置具有：处理容器，支持被处理基板的支持部件，加热被处理基板的加热器，排放气体的排气系统，供给成膜用第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体以及与第一、第二处理气体均不同的第三处理气体的第一、第二、第三处理气体供给系统，激发第二处理气体的激发机构，控制成膜装置动作的控制部分，为通过CVD在被处理基板上形成薄膜，所述控制部分交叉实施如下工序：供给第一和第三处理气体，同时停止供给第二处理气体，通过激发机构，使第三处理气体以激发状态供给；停止供给第一、第二、第三处理气体；供给第二处理气体，同时停止供给第一和第三处理气体；停止供给第一、第二、第三处理气体。
装置

[发明专利]基板处理装置-CN201310152919.8有效
发明人：益田法生 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置。其采用简单的配管结构，有效地进行基板的最外周的特性修正。其具备气体供给装置，气体供给装置具备：喷淋头、向喷淋头供给处理气体的处理气体供给部、流通来自处理气体供给部的处理气体的处理气体供给流路、从处理气体供给流路分支向喷淋头供给处理气体的分支流路及、向喷淋头供给附加气体的附加气体供给部、和使来自附加气体供给部的附加气体流到喷淋头的附加气体供给流路。喷淋头具有向晶片的配置区域供给气体的第一、第二气体导入部、，和向晶片外缘的外侧供给气体的第三气体导入部。分支流路、与第一、第二气体导入部、连接，附加气体供给流路与第三气体导入部连接。
处理装置

[发明专利]基板处理装置及半导体器件的制造方法-CN201410066971.6有效
发明人：广地志有;丰田一行;盛满和广;佐藤武敏;山本哲夫 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种基板处理装置，向处理容器交替地供给第1处理气体和等离子化的第2处理气体来处理基板，该基板处理装置具有供给上述第1处理气体的第1气体供给系统；供给上述第2处理气体的第2气体供给系统；配置在上述处理容器的上游且至少使上述第2处理气体等离子化的等离子体单元；和控制部，该控制部以交替地供给上述第1处理气体和上述第2处理气体的方式控制上述第1气体供给系统和上述第2气体供给系统，并且，以在开始供给上述第2处理气体之前执行上述第2处理气体的等离子化所需要的电力施加的方式控制上述等离子体单元。
处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]气体导入构造、热处理装置以及气体供给方法-CN202010561531.3在审
发明人：菱屋晋吾;孙成德;北村昌幸;小川悟 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制膜沉积于气体供给管的内部并且能够均匀地供给气体的气体导入构造、热处理装置以及气体供给方法。本公开的一形态的气体导入构造是向纵长的处理容器内供给处理气体的气体导入构造，所述气体导入构造具有处理气体供给管，所述处理气体供给管在所述处理容器内沿着该处理容器的长度方向延伸，并且具有沿着该长度方向形成的多个气体喷出孔，从所述处理气体供给管的一端朝向另一端向所述处理气体供给管导入处理气体，向所述处理气体供给管的比所述一端靠近所述另一端这一侧供给稀释气体。
气体导入构造热处理装置以及供给方法

[发明专利]半导体处理用成膜方法和装置-CN200710001998.7无效
发明人：周保华;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-16 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。该成膜方法，重复实行：对处理区域供给第一处理气体，对处理区域供给第二处理气体，和对处理区域供给第三处理气体。第三处理气体的供给，包括将第三处理气体在由激发机构激发的状态下供给至处理区域的激发期间。
半导体处理用成膜方法装置

[发明专利]衬底处理系统、半导体器件的制造方法及存储介质-CN201410124235.1有效
发明人：佐藤武敏 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供衬底处理系统、半导体器件的制造方法及存储介质，来提高形成在衬底上的膜的特性，并提高生产量。上述衬底处理系统具有收纳衬底的多个处理室；向多个上述处理室依次供给处理气体的处理气体供给系统；向多个上述处理室依次供给被活化的反应气体的反应气体供给系统；设在上述处理气体供给系统中的缓冲容器；和控制部，以向多个上述处理室分别交替地供给上述处理气体和上述反应气体的方式，控制上述处理气体供给系统和上述反应气体供给系统，使得向多个上述处理室中的任意一个供给反应气体的时间，成为向多个上述处理室中的任意一个供给处理气体的时间与向上述缓冲容器供给处理气体的时间的合计时间
衬底处理系统半导体器件制造方法存储介质

[发明专利]半导体处理用的成膜方法和装置-CN200710147867.X有效
发明人：长谷部一秀;周保华;梅泽好太;门永健太郎;张皓翔 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。在第一工序中，供给第一处理气体、和第三与第四处理气体中之一的先行气体，另一方面，停止供给第二处理气体、和第三与第四处理气体中的另一种的后行气体。在第二工序中，供给后行气体，另一方面，停止供给第二处理气体和先行气体。在第三工序中，供给第二处理气体，另一方面，停止供给第一处理气体。
半导体处理方法装置

[发明专利]基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法-CN202010875155.5在审
发明人：锅田和弥;竹胁基哉 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明防止以温度为起因的气体流量控制性的降低。本发明的基板处理装置具有：对基板进行处理的处理炉；向处理室供给对基板进行处理的处理气体的处理气体供给路；控制向处理室供给的处理气体的量的处理气体供给控制部；对处理气体供给路或处理气体供给控制部的至少一部分进行加热的加热器；和将处理气体供给路、处理气体供给控制部、和加热器收纳的气柜。气柜具有：将气柜外的环境气体向气柜内吸入的吸入口；与排气管道连接并将气柜内的环境气体向排气管道排出的排气口；冷却气柜内的环境气体并且测定或监视环境气体的温度的温度控制设备；和探测泄漏到气柜内的处理气体的气体泄漏传感器
处理装置以及半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201510501921.0在审
发明人：小川有人;竹林雄二 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在衬底上形成薄膜时，将生成的副产物排出到处理室外。本发明提供一种半导体器件的制造方法及衬底处理方法，其具有下述工序：通过将对衬底供给第一处理气体的工序、对所述衬底供给第二处理气体的工序和对所述衬底供给与由所述第一处理气体及所述第二处理气体反应生成的副产物进行反应的第三处理气体的工序进行规定次数，由此在所述衬底上形成膜，供给所述第一处理气体的工序、供给所述第二处理气体的工序及供给所述第三处理气体的工序在将所述衬底维持为室温以上且450℃以下的规定温度的状态下进行，供给所述第三处理气体的工序与供给所述第一处理气体的工序及供给所述第二处理气体的工序中的至少任一项工序同时进行
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]气体供给装置、基板处理装置和基板处理方法-CN200810173055.7有效
发明人：益田法生 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种气体供给装置、基板处理装置和基板处理方法。其采用简单的配管结构，有效地进行基板的最外周的特性修正。气体供给装置(60)具备：喷淋头(16)、向喷淋头(16)供给处理气体的处理气体供给部(66)、流通来自处理气体供给部(66)的处理气体的处理气体供给流路(64)、从处理气体供给流路(64)分支向喷淋头(16)供给处理气体的分支流路(64a)及(64b)、向喷淋头(16)供给附加气体的附加气体供给部(75)、和使来自附加气体供给部(75)的附加气体流到喷淋头(16)的附加气体供给流路(76)。喷淋头(16)具有向晶片(W)的配置区域供给气体的第一、第二气体导入部(51)、(52)，和向晶片(W)外缘的外侧供给气体的第三气体导入部(53)。分支流路(64a)、(64b)与第一、第二气体导入部(51)、(52)连接，附加气体供给流路(76)与第三气体导入部(53)连接。
气体供给装置处理方法

[发明专利]等离子蚀刻装置-CN201410324224.8有效
发明人：荒见淳一;冈崎健志 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供等离子蚀刻装置，其具备：具有等离子处理室的壳体；被加工物保持构件，其配设在等离子处理室内，在上表面保持被加工物；处理气体喷射构件，其具有处理气体喷射部；处理气体供给构件，其向处理气体喷射构件提供处理气体；和减压等离子处理室的减压构件，该处理气体喷射部具有中央喷射部和外周喷射部，处理气体供给构件具备：处理气体供给源；缓冲箱，其与处理气体供给源连通，暂时收纳处理气体；将缓冲箱和中央喷射部连通的中央喷射部供给路径；将缓冲箱和外周喷射部连通的外周喷射部供给路径；配设于中央喷射部供给路径的第1高频开闭阀；配设于外周喷射部供给路径的第2高频开闭阀；和控制第1高频开闭阀和第2高频开闭阀的控制构件。
等离子蚀刻装置

[发明专利]衬底处理装置和半导体器件的制造方法-CN201410504987.0有效
发明人：丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，衬底处理装置具有：收纳衬底的处理室；从衬底上方供给第一处理气体的第一处理气体供给部；从衬底上方供给第一反应气体的第一反应气体供给部；从衬底侧方供给第二处理气体的第二处理气体供给部；从衬底侧方供给第二反应气体的第二反应气体供给部；和控制部，其以如下方式控制：在处理气体供给工序和反应气体供给工序中的任一工序或者两个工序中，使向衬底中心侧供给的处理气体供给量与向衬底外周侧供给的处理气体供给量不同、或者使向衬底中心侧供给的反应气体供给量与向衬底外周侧供给的反应气体供给量不同。
衬底处理装置半导体器件制造方法

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