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[发明专利]气体供给部、处理装置及半导体器件的制造方法-CN202211713165.4在审
发明人：笠松健太;平野敦士;山本哲夫;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种能够使处理气体在基板上均等地流动的气体供给部、处理装置及半导体器件的制造方法。本发明的技术为一种具有分别向配置有基板的处理室供给气体的第一开口部和第二开口部的气体供给部，构成为第一开口部和第二开口部在相对于上述基板的表面平行的平行方向上排列，从第一开口部供给的气体被向上述基板的中心方向供给，从第二开口部供给的气体被向上述基板的周缘方向供给，从第二开口部供给的气体的朝向以从第一开口部供给的气体的朝向为基准而形成预先决定的角度。
气体供给处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板处理方法以及程序-CN202180052251.2在审
发明人： 佐佐木隆史;堀井贞义;槣原美香 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：基板处理装置具有：第1喷嘴，其与使所述多张基板在反应管内排列的基板排列区域中的供多个产品基板排列的第1区域相对应地配置，向反应管内供给含氢气体；第2喷嘴，其与第1区域相对应地配置，向反应管内供给含氧气体；第3喷嘴，其与比第1区域靠底开口侧的、供虚设基板或者隔热体排列的第2区域相对应地配置，向反应管内供给稀释气体；以及控制部，其构成为能够控制从第1喷嘴供给的含氢气体的供给和从第3喷嘴供给的稀释气体的供给，以使得第2区域的含氢气体浓度比第1区域的含氢气体浓度低，第1喷嘴由多根多孔喷嘴构成，该多根多孔喷嘴具有与在基板的排列方向上将包括第1区域但不包括第2区域的区域分割而成的分割区域相对应的喷射孔。
处理装置半导体器件制造方法以及程序

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201680082247.X有效
发明人：花岛建夫;镰仓司;佐佐木隆史;吉田秀成 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供提高面间均匀性的技术。该技术具备：处理室，其在内部收容将多张衬底以多层保持的衬底保持件，并对衬底进行处理；与处理室邻接的供给缓冲部；设置在供给缓冲部内的原料气体供给部；和设置在供给缓冲部内的反应气体供给部，其中，所述原料气体供给部构成为从衬底保持件的最下层的衬底的高度以下的位置向供给缓冲部内供给原料气体。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]铜颗粒及其制造方法-CN202080098917.3在审
发明人：秋泽瑞树;佐佐木隆史 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B22F1/102 文献下载
摘要：本发明的铜颗粒具备：由铜构成的芯颗粒、和被覆该芯颗粒的表面的被覆层，被覆层由脂肪族有机酸的铜盐形成。铜颗粒还优选在1504cm‑1以上且1514cm‑1以下的范围具有红外吸收峰、并且在1584cm‑1以上且1596cm‑1以下的范围不具有红外吸收峰。铜颗粒还优选在热重分析中，质量减少值相对于500℃下的质量减少值的比例成为10％的温度为150℃以上且220℃以下。另外，本发明还提供一种铜颗粒的制造方法，其中，使由铜构成的芯颗粒与包含脂肪族有机酸的铜盐的溶液接触，从而将该芯颗粒的表面被覆。
颗粒及其制造方法

[发明专利]反应管、处理装置、和半导体装置的制造方法-CN202210273408.0在审
发明人：笠松健太;平野敦士;山本哲夫;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种反应管、处理装置、和半导体装置的制造方法，减小处理室的基板设置区域中的压力差，并使从排出部排出的气体的流动均匀。反应管构成为在内部形成有处理室，该处理室在一端设置有气体供给部且在另一端设置有排出部，具备调节部，该调节部构成为能够抑制从排出部排出的气体的流动，利用该调节部对处理室中的从气体供给部到排出部的气体流动，从而使从排出部排出的气体的流动均匀。
反应处理装置半导体制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质-CN201711230835.6有效
发明人：花岛建夫;佐佐木隆史;平松宏朗;镰仓司 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质，能够控制在基板上形成的膜的面内膜厚分布。本发明的半导体装置的制造方法具有通过将不同时进行(a)工序和(b)工序的循环进行预定次数从而在基板上形成膜的工序，(a)工序为对于基板由第1喷嘴供应原料来形成第1层的工序，(b)工序为对于基板由与第1喷嘴不同的第2喷嘴供应反应体来形成第2层的工序，在(a)工序中，依次进行(a‑1)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量小的第1流量来供应非活性气体的工序和(a‑2)在由第1喷嘴供应原料的状态下由第2喷嘴以比原料的流量大的第2流量来供应非活性气体的工序。
半导体装置制造方法处理以及存储介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序及气体供给系统-CN202080047667.0在审
发明人：永冨佳将;漆原美香;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：控制在基板上形成的膜的膜厚分布。基板处理装置包括：处理气体喷嘴，向处理室内供给处理气体；惰性气体喷嘴，以处理气体喷嘴为中心沿周向夹着的方式分别被设置2个以上，并将惰性气体供给到处理室内；处理气体供给部，向处理气体喷嘴供给处理气体；惰性气体供给部，向各个惰性气体喷嘴供给惰性气体；以及控制部，构成为能够分别控制从处理气体供给部向处理气体喷嘴供给的处理气体的流量和从惰性气体供给部向各个惰性气体喷嘴供给的各惰性气体的流量。
处理装置半导体制造方法程序气体供给系统

[发明专利]基板处理装置以及半导体装置的制造方法-CN201910619215.4有效
发明人：冈嶋优作;西堂周平;吉田秀成;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：提供一种抑制原料气体的副产物相对于炉口部附着的基板处理装置以及半导体装置的制造方法。基板处理装置具有：处理室和多个喷头，处理室具有：筒状的反应管，其一端是开放的；筒状的歧管，其与反应管的开放端连接，并且在侧面具有将来自气体供给管的处理气体向处理室内导入的多个气体供给孔；和盖，其能够开闭地封闭歧管的与连接于反应管的一端为相反端的开口，盖具有：保护板，其以在与盖之间形成有第一间隙的方式设于盖的内表面；和导入口，其从盖的外侧向第一间隙导入清洗气体，歧管构成为，以在与歧管之间形成有第二间隙的方式在歧管的内壁具有引导板，在第一间隙向着歧管流动的清洗气体通过歧管的内壁偏转而向第二间隙流入。
处理装置以及半导体制造方法

[发明专利]气体供给部、衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201680050773.8有效
发明人： 佐佐木隆史;上村大义;吉田秀成 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-09-15 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提高对在纵向上排列的衬底供给的处理气体的浓度均匀性。构成具有气体供给部，气体供给部具备从各自的上端供给相同种类且相同质量流量的处理气体的第一气体供给管和第二气体供给管，气体供给部经由第一气体供给管及第二气体供给管，向收容在纵向上排列的多个衬底的处理室中，供给用于处理衬底的处理气体，其中，当将与配置衬底的衬底配置区域相对的第一气体供给管的长度设为L1、将第一气体供给管的流路截面积设为S1、将与衬底配置区域相对的第二气体供给管的长度设为L2、将第二气体供给管的流路截面积设为S2时，构成为L1比L2长、并且S1比S2小。
气体供给衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置及半导体器件的制造方法-CN201880097988.4在审
发明人：西堂周平;佐佐木隆史;吉田秀成 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种能够缓和将多张晶片并排处理时的多个晶片的面间不均匀性(负载效应)的基板处理装置，基板处理装置构成为，包括：基板保持件，其按照规定的间隔排列保持多个基板；收容基板保持件的反应管，其具备使上端闭塞的顶板，并在下方具有能够使基板保持件出入的开口；炉体，其包围该反应管的上方及侧方；盖，其直接或间接保持基板保持件，并封堵开口；以及气体供给机构，其向在反应管内保持于基板保持件的多个基板各自的表侧的面提供与表侧的面平行的气体流动，基板保持件构成为，保持形成有集成电路图案的产品基板或监控基板和在表侧的面形成有Si熔射层的虚设基板，其中，所述虚设基板位于隔着该产品基板或监控基板的两侧的位置。
处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置-CN201880097690.3在审
发明人：吉田秀成;佐佐木隆史;冈岛优作 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：在层叠于基板处理装置的多个基板(41)中，可以调整各基板的面间的膜厚平衡。具有收纳多个基板的处理室、对处理室内的基板供给处理气体的气体供给部、从处理室排出处理气体的气体排气部、以及设于多个基板之间且靠近基板的背面的圆板。
处理装置

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201880097812.9在审
发明人：西田圭吾;尾崎贵志;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：提供提高在衬底表面形成的氧化膜的面内膜厚分布的控制性的技术。具有下述工序：第1工序，向处于低于大气压的第1压力下并被加热了的衬底供给含氧气体和含氢气体，对所述衬底的表面进行氧化并形成第1氧化层；以及第2工序，向处于与所述第1压力不同且低于大气压的第2压力下并被加热了的所述衬底供给所述含氧气体和所述含氢气体，对形成有所述第1氧化层的所述衬底的表面进行氧化并形成第2氧化层。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质-CN201710657423.4有效
发明人：山口天和;佐佐木隆史;栗林幸永 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-08-03 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，抑制由清洁气体对排气管造成的损伤。清洁方法具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器内的堆积物去除的工序，将堆积物去除的工序具有：第1工序，在该第1工序中，在将对处理容器内进行排气的排气管和处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向处理容器内供给清洁气体；和第2工序，在该第2工序中，当连接部的温度达到第1温度时，一边使清洁气体的流量从第1流量向比第1流量小的第2流量逐渐减少一边向处理容器内供给清洁气体。
清洁方法半导体器件制造衬底处理装置以及记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板保持器具及记录介质-CN202010711171.0在审
发明人：西堂周平;嶋田宽哲;谷山智志;上村大义;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板保持器具及记录介质，提高形成于基板的膜的面间面内均匀性。具备：收纳基板保持器具的反应管、气体供给机构和气体排出机构，基板保持器具具有：多个圆环状部件，其具有基板的外径以下的内径，在与旋转轴正交的面上，与旋转轴同心地以规定间距配置；多个柱，其具有比多个圆环状部件的宽度窄的宽度，沿着与多个圆环状部件的外周大致一致的外接圆配置，保持多个圆环状部件；和多个支承部件，其从多个柱朝向内周伸出，在多个圆环状部件各自之间的位置载置基板，当基板保持器具被收纳到反应管内时，在多个圆环状部件的外周与圆筒面之间形成有能够供基板保持器具旋转的程度的狭小空隙。
处理装置半导体器件制造方法保持器具记录介质

[外观设计]基板处理装置用舟皿-CN201930742769.4有效
发明人：岛田宽哲;上村大义;谷山智志;西堂周平;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基板处理装置用舟皿。2.本外观设计产品的用途：本产品使用在基板处理装置中，其用于在基板处理装置的反应室内将数个基板保持水平的舟皿。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
处理装置舟皿

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