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[发明专利]一种锂化的硅基复合材料及其制备方法和应用-CN201911377839.6有效
发明人：赵岸光;岳风树;姚钧 -专利权人：江西壹金新能源科技有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂化的硅基复合材料及其制备方法和应用，所述硅基复合材料包括纳米硅、硅基氧化物，锂的硅酸盐，以及氮掺杂的碳包覆层，所述硅酸盐均匀地分布在硅基复合物中形成均相复合结构；所述硅基复合材料是将碳包覆的硅基氧化物颗粒浸渍于包括含氮导电聚合物、芳基锂的醚类有机溶剂形成的溶液中，再进行沉降、烧成工序，得到锂化的硅基复合材料。
一种复合材料及其制备方法应用

[发明专利]硅氧烷基压敏粘合剂组合物和粘合带-CN200780045738.8有效
发明人：水野春奈;堀诚司;山田高照 -专利权人：道康宁东丽株式会社
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C09J183/04 文献下载
摘要：一种硅氧烷基压敏粘合剂组合物，它包含组分(A)通过在成分(c)存在下，使在两个分子末端均具有硅烷醇基和位于分子侧链上的一个分子内平均大于或等于2个与硅键合的链烯基的二有机基聚硅氧烷(a)和括一个分子内具有一个或多个可水解基团的有机基聚硅氧烷树脂(b)进行缩合反应获得的缩合反应产物，(B)有机基氢聚硅氧烷，(C)在两个分子末端均具有与硅键合的链烯基的二有机基聚硅氧烷，(D)有机基聚硅氧烷树脂和(E)铂催化剂。
烷基粘合剂组合粘合

[发明专利]一种硅基倒装LED芯片及其制作方法-CN201811406150.7在审
发明人：张秀敏;黄慧诗;华斌;闫晓密;王书宇;郑宝玉 -专利权人：江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及芯片制作技术领域，具体公开了一种硅基倒装LED芯片，其中，所述硅基倒装LED芯片包括：硅基衬底、发光外延层、共晶键合层和电极，所述电极通过所述共晶键合层与所述硅基衬底连接，所述发光外延层设置在所述电极背离所述共晶键合层的一侧，所述硅基衬底上设置有硅通孔，所述硅通孔内填充有通孔金属，所述通孔金属与所述共晶键合层连接，所述硅基衬底与所述共晶键合层之间设置第一石墨烯层，所述发光外延层能够发出光线。本发明还公开了一种硅基倒装LED芯片的制作方法。本发明提供的硅基倒装LED芯片能够有效增强芯片的散热性能。
倒装LED芯片共晶键合硅基硅基衬发光外延层电极硅通孔通孔芯片制作技术金属散热性能石墨烯层填充制作背离芯片

[发明专利]一种硅基液晶面板及其设计方法和制备方法-CN202110393513.3在审
发明人：夏高飞;宇磊磊;张宁峰;王华;高宇 -专利权人：西安中科微星光电科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基液晶面板及其设计方法和制备方法，通过获得硅基液晶面板的目标指标，并将所述目标指标分解的方式，分别对所述硅基液晶面板的上基板、下基板以及液晶盒分别进行设计，最后通过在上基板上蒸镀形成增透膜，并在下基板蒸镀形成高反膜的方式，综合实现对硅基液晶面板的光利用率的有效提升，以此提升使用所述硅基液晶面板的产品的光利用率，有利于增强硅基液晶面板的适用范围，而且本发明的所述硅基液晶面板的制备方在硅基板封装前进行镀膜处理，无需改变现有的硅基板的结构，制备方法简单，易于实现，有利于采用较低的生产成本获得具有更高光利用率的硅基液晶面板。
一种液晶面板及其设计方法制备

[发明专利]硅基负极、包括该硅基负极的锂离子电池及其制备方法-CN202011055610.3在审
发明人：喻维杰;李福生;张锡强;赵常;代学志;詹勇军 -专利权人：拓米（成都）应用技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供了硅基负极、包括该硅基负极的锂离子电池及其制备方法。所述硅基负极包含集流体和集流体上的硅基负极材料涂层，所述硅基负极材料涂层包含硅基负极材料、导电剂和粘结剂，其中所述粘结剂为改性的聚酰亚胺，所述改性的聚酰亚胺是在将硅基负极材料涂层原料施加至集流体后通过热处理由硅基负极材料涂层原料中作为粘结剂前驱体的含有聚硅氧烷类软段结构和由于软段结构的存在，使得最终形成的聚酰亚胺具有更大的断裂伸长率，并且其使得在硅颗粒在嵌锂/脱锂时所致的膨胀/收缩循环过程中维持良好的极片粘结状态以及与集流体之间良好的电接触状态。
负极包括锂离子电池及其制备方法

[发明专利]一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310736872.3在审
发明人：伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅基氮化镓HEMT器件及其制备方法，该方法包括：对N型导电碳化硅衬底进行离子注入；对离子注入后的N型导电碳化硅衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底；获取硅衬底；将硅衬底与绝缘处理后的N型导电碳化硅衬底进行键合，对键合后的复合衬底进行剥离处理，得到复合硅基衬底；对复合硅基衬底的表面进行绝缘处理，得到绝缘处理后的复合硅基衬底；于绝缘处理后的复合硅基衬底的表面外延氮化镓薄膜；于氮化镓薄膜的表面制备HEMT器件层，得到硅基氮化镓HEMT器件。本公开的硅基氮化镓HEMT器件制备方法，不仅可以降低制备成本，还可以扩大硅基氮化镓HEMT器件的尺寸。
一种氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]基于QoS工艺的加速度计芯片及加工工艺和加速度计-CN201811626393.1有效
发明人：李村;韩超;赵玉龙;李波;张全伟;白冰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G01P15/097 文献下载
摘要：本发明提供基于QoS工艺的加速度计芯片及加工工艺和加速度计，芯片包括键合在硅基结构两侧的第一、第二石英结构，石英结构包括石英框架、双端固定石英音叉、石英支撑梁和石英质量块，硅基结构包括硅基框架和硅质量块；在石英框架和硅基框架处，以及石英质量块和硅质量块处完全键合，形成第一石英结构、硅基结构、第二石英结构的三明治形式；加工工艺是先进行硅基初加工，再进行硅基和两个石英片双面键合，两个石英片减薄和抛光，然后进行石英振梁电极及石英结构的制作，最后进行硅基结构的释放。
基于 qos 工艺加速度计芯片加工

[发明专利]硅基复合材料及其制备方法、锂离子电池-CN202111678044.6在审
发明人：陈曦;庞春雷;梁腾宇;任建国;贺雪琴 -专利权人：贝特瑞新材料集团股份有限公司;惠州市鼎元新能源科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种硅基复合材料及其制备方法、以及一种锂离子电池。所述硅基复合材料包括Si‑O‑C球形结构体，且所述硅基复合材料中Si‑O键的数量与Si‑C键的数量之比大于2。从而硅基复合材料可以具有较高的比容量。同时，硅基复合材料的球形结构以及其中Si‑O‑C形成的缓冲骨架可以使得硅基复合材料具有较好的循环容量保持率和较低的循环膨胀，使得硅基复合材料适用于锂离子电池中。
复合材料及其制备方法锂离子电池

[实用新型]一种OLED微显示结构-CN202122316557.4有效
发明人：杭鑫 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种OLED微显示结构，包括硅基OLED器件、彩色滤光层和PAD端子，所述硅基OLED器件包括硅基基板，PAD端子位于硅基基板一侧的端部，PAD端子与外部电路连接，彩色滤光层位于硅基OLED本实用新型通过改变PAD端子的位置，将PAD端子从硅基基板表面移到硅基基板的侧部，模组制程时可以直接从侧面进行绑定，省去了开PAD的步骤，提高了生产效率，节省人力财力，且产品质量一致性好。
一种 oled 显示结构

[发明专利]具有柱状晶粒的硅粘合涂层及其形成方法-CN201910695247.2有效
发明人：格伦·哈罗德·柯比;贾斯汀·迈克尔·纳吉;约翰·塔姆·阮;杰弗里·艾伦·布罗斯;布莱恩·哈维·比尔森纳;罗伯特·马丁·费克 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：该方法可以包括在基底的表面上形成硅基粘合涂层并在硅基粘合涂层上形成隔离涂层。硅基粘合涂层包括晶体硅的柱状晶粒。化学气相沉积(CVD)可用于在沉积温度和沉积压力下通过含硅前体的CVD来形成硅基粘合涂层，该沉积温度和沉积压力在硅基粘合涂层的沉积期间引起硅材料的结晶。含硅前体可以是硅烷、一氯甲硅烷、二氯甲硅烷和/或三氯甲硅烷。
具有柱状晶粒粘合涂层及其形成方法

[发明专利]有机硅合成革面层、制备方法及有机硅合成革-CN202111606081.6在审
发明人：袁振乐;江小牛;卢立成;宋小杰;杨雪忠;宋新锋;汪瑜华 -专利权人：杭州崇耀科技发展有限公司;浙江新安化工集团股份有限公司
申请日： 2021-12-25 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： D06N3/12 文献下载
摘要：本申请涉及有机硅材料领域，具体涉及有机硅合成革面层、制备方法及有机硅合成革，有机硅合成革包括基胶、乙烯基硅油B、交联剂、乙烯基硅树脂、催化剂、硅蜡和聚四氟乙烯粉，基胶A包括乙烯基硅油、硅氮烷和白炭黑。该有机硅合成革面层制备得到的有机硅合成革具有良好仿真的手感，且具有较好的耐磨性、耐折性和耐污性。
有机硅合成革面层制备方法

[发明专利]硅基电极材料、负极片、二次电池和电子设备-CN202210340050.9在审
发明人：方自力;徐少洪;赵骏;程振柯 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种硅基电极材料、负极片、二次电池和电子设备，该硅基电极材料包括含硅材料和β‑锂霞石，含硅材料和β‑锂霞石之间存在化学键。该硅基电极材料通过将含硅材料与β‑锂霞石复合从而降低硅基电极材料的膨胀效应，将该硅基电极材料应用在二次电池可以改善电池的循环性能并延长电池的使用寿命，有利于制备高能量密度的二次电池。
电极材料负极二次电池电子设备

[发明专利]软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料及制备方法和应用-CN202010153328.2在审
发明人：潘明军;刘柏男;罗飞 -专利权人：溧阳天目先导电池材料科技有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料及其制备方法和应用。所述硅基负极材料为粉体材料,粉末电导为2.0S/cm‑6.0S/cm；软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料包括：90wt％‑99.49wt％的硅基粉体材料、0.01wt％‑3wt％的掺杂在硅基粉体材料中的掺杂材料和0.5wt％‑7wt％的软碳材料；硅基粉体材料具体为含有电化学活性粉体材料，包括纳米硅碳复合材料、氧化亚硅、改性氧化亚硅、掺杂氧化亚硅、无定型硅合金中的一种或者几种；掺杂材料包括硼化钛、氮化硼、三氯化硼、硼酸、三氧化二硼、四苯硼钠、硼氢化钠、或硼酸钠中的一种或多种；软碳材料包覆在硅基粉体材料外表面,构成所述硼掺杂硅基负极材料的包覆碳层。
软碳包覆掺杂负极材料制备方法应用

[发明专利]一种硅基负极片及其制备方法和锂离子电池-CN201910151505.0在审
发明人：姚毅;江柯成;张传健;刘娇;李婷 -专利权人：东莞塔菲尔新能源科技有限公司;江苏塔菲尔新能源科技股份有限公司;深圳塔菲尔新能源科技有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基负极片及其制备方法和锂离子电池。本发明提供的硅基负极片的负极涂层包括位于集流体上的第一涂层和位于第一涂层上的第二涂层，所述第一涂层中的活性物质包括硅基负极材料，所述第二涂层中的活性物质不包含硅基负极材料，所述第二涂层表面含有锂。所述制备方法包括1)用含有硅基负极材料的第一浆料涂布在集流体上形成第一涂层；2)用不包含硅基负极材料的第二浆料在第一涂层上形成第二涂层；3)对含有第二涂层的极片进行预掺锂，得到所述硅基负极片。本发明提供的硅基负极片避免了含硅基负极材料的极片在预锂化过程中硅基材料与金属锂的直接接触，显著提升了能量密度和循环稳定性。
硅基负极制备锂离子电池活性物质集流体极片循环稳定性负极材料负极涂层硅基材料浆料涂布涂层表面含硅基金属锂预锂化浆料

[发明专利]一种同时含腈基和乙烯基的硅氧烷的合成及室温加成型腈硅橡胶的制备方法-CN201610173479.8有效
发明人：卢海峰;张悦;冯圣玉;马德鹏;唐波;刘营营;乔瑞景 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C08G77/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种同时含腈基和乙烯基的硅氧烷的合成及室温加成型腈硅橡胶的制备方法，该含腈基和乙烯基的硅氧烷是通过同时含氨基和乙烯基的硅氧烷与含不饱和键的含腈基化合物通过氨基与双键的加成反应制备得到的，使用合成的同时含腈基和乙烯基的硅氧烷制备了室温加成型腈硅橡胶本发明合成的同时含腈基和乙烯基的硅氧烷由于含有腈基基团，改变了硅氧烷的极性和溶解度参数，使用含有腈基的硅氧烷制备的室温加成型腈硅硫化橡胶，能够具有耐溶剂油的性能，可广泛应用于各种耐油、耐低温场所。
一种同时含腈基乙烯基硅氧烷合成室温成型硅橡胶制备方法