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[实用新型]一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风-CN201120341396.8有效
发明人：缪建民 -专利权人：华景传感科技（无锡）有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种与CMOS电路纵向集成的MEMS硅麦克风，其包括背极板硅基及振膜硅基；背极板硅基上设有CMOS电路，背极板硅基对应设置CMOS电路的表面上淀积有电绝缘层，电绝缘层上设有金属键合层，金属键合层与CMOS电路的连接端电连接；背极板硅基上设有若干声孔；振膜硅基对应于与背极板硅基相连的表面设有振膜，振膜硅基内设有贯通振膜硅基的深坑，所述深坑位于声孔的正上方，且深坑与声孔对应分布；振膜硅基对应于设置振膜的表面键合安装于金属键合层上
一种 cmos 电路纵向集成 mems 麦克风

[发明专利]可固化的有机基聚硅氧烷组合物和半导体器件-CN200980122661.9有效
发明人：佐川贵志;寺田匡庆;吉武诚 -专利权人：道康宁东丽株式会社
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C08L83/06 文献下载
摘要：一种可固化的有机基聚硅氧烷组合物包含：(A)在一个分子中含有至少两个烯基和所有与硅键合的一价烃基的至少30mol％为芳基形式的有机基聚硅氧烷；(B)在一个分子中含有至少两个与硅键合的氢原子和所有与硅键合的有机基团的至少15mol％为芳基形式的有机基聚硅氧烷；(C)含有烯基、芳基和含环氧基的有机基团的支链有机基聚硅氧烷；和(D)氢化硅烷化催化剂。
固化有机基聚硅氧烷组合半导体器件

[发明专利]不连续结晶硅基薄膜、异质结晶体硅太阳电池及制备方法-CN201710571340.3有效
发明人：张丽平;刘正新;陈仁芳;吴卓鹏 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种不连续结晶硅基薄膜、异质结晶体硅太阳电池及制备方法，不连续结晶硅基薄膜制备包括：提供一晶体硅衬底；于晶体硅衬底的至少一个表面沉积不连续结晶硅基薄膜，其包括无定形硅基结构和结晶化硅基结构。通过上述方案，本发明提供的不连续结晶化硅基薄膜，无序部分用于提高少子寿命，结晶部分用于提高载流子的有效输运，可以有效提高晶体硅衬底的钝化效果；通过调沉积参数可以得到高质量且不完全结晶的硅基薄膜，利用该薄膜内富含的原子氢有效钝化晶体硅表面的悬挂键；利用该薄膜的部分结晶化结构提高载流子寿命和增强场效应，实现对电子和空穴两种载流子的有效收集，从而有效提高表面使用硅基薄膜钝化层的晶体硅太阳电池的转换效率。
连续结晶薄膜结晶体太阳电池制备方法

[实用新型]一种硅基高光吸墨相纸-CN201921027514.0有效
发明人：李春刚;鹿秀山;王广磊;曹西亮;毛英帅;杨文涛;杨宁宁;石凯 -专利权人：天津碧海蓝天水性高分子材料有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： B32B27/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基高光吸墨相纸，包括淋膜纸基，淋膜纸基上设有硅基高光吸墨涂层，所述硅基高光吸墨涂层包括硅基吸墨层和设置于硅基吸墨层上的高光泽层。本实用新型的硅基高光吸墨相纸，不仅具有吸墨性优良、光泽度高、固墨性好、耐水性优良的优点，还具有优良的耐磨性、抗黄变性和抗划伤性能，为生产综合性能优良的高端相纸提供了可靠途径。
一种硅基高光吸墨相纸

[发明专利]含有多个烯基或炔基的多面体低聚倍半硅氧烷及其制备方法-CN201610285043.8有效
发明人：徐日炜;梁亚利;余鼎声 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有多个烯基或炔基的多面体低聚倍半硅氧烷，其为含有双烯基或双炔基的笼型多面体低聚倍半硅氧烷、含有双烯基或双炔基的双塔型多面体低聚倍半硅氧烷、含有四烯基或四炔基的双塔型多面体低聚倍半硅氧烷所述含有多个烯基或炔基的多面体低聚倍半硅如下合成：先由含有端烯基的多面体低聚倍半硅氧烷与含巯基的烷基羧酸进行巯烯加成反应，再与烯基胺或炔基胺进行缩合反应，得到含有多个烯基或炔基的多面体低聚倍半硅。其中，所述多面体低聚倍半硅含有多个不饱和键，可以进一步进行与单体进行聚合或与双官能化的物质进行缩合，使得多面体低聚倍半硅氧烷接到聚合物主链上，并且，所述合成方法新颖、操作简单、容易实现，且产率较高。
含有多个烯基多面体低聚倍半硅氧烷及其制备方法

[发明专利]乙酰乙酰基官能化的硅基树脂及其制备方法-CN201210032451.4有效
发明人：牛松;段刚;温晋嵩 -专利权人：广东华润涂料有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种乙酰乙酰基官能化的硅基树脂及其制备方法。具体地，所述乙酰乙酰基官能化的硅基树脂至少包含含有支化的含硅原子的分子骨架和化学键合到所述支化的含硅原子的分子骨架上的乙酰乙酰基官能团的级分。所述乙酰乙酰基官能化的硅基树脂可用于配制涂料组合物。
乙酰官能树脂及其制备方法

[发明专利]硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法-CN200610126998.5无效
发明人：张建国;王晓欣;成步文;余金中;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-09-18 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种硅基高效等电子掺杂发光器件，其中包括：一n－型或p－型硅基衬底；一硅基掺杂层，该硅基掺杂层制作在n－型或p－型硅基衬底上面，该硅基掺杂层是发光器件的有源区；一p－型或n－型重掺硅层，该p－型或n－型重掺硅层制作在硅基掺杂层上面；一n－型或p－型重掺硅层，该n－型或p－型重掺硅层制作在n－型或p－型硅衬底下面；一第一金属电极，该第一金属电极制作在p－型或n－型重掺硅层上面；二第二金属电极，该二第二金属电极分别制作在n－型或p－型重掺硅层下面的两侧，其中间为出光口。
高效电子掺杂发光器件制作方法

[发明专利]一种硅基光电子异质集成互连模组-CN202011577275.3有效
发明人：薛海韵;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光电子异质集成互连模组结构，包括：载片；第一电芯片；所述第一电芯片正装贴片埋入在所属载片中；第一硅基光芯片，所述第一硅基光芯片正装贴片埋入在所属载片中，所述第一硅基光芯片的厚度大于所述第一电芯片的厚度；第一电互联结构，所述第一电互联结构电连接所述第一硅基光芯片至所述第一电芯片；第二电芯片；所述第二电芯片正装贴片埋入在所属载片中；第二硅基光芯片，所述第二硅基光芯片正装贴片埋入在所属载片中，所述第二硅基光芯片的厚度大于所述第二电芯片的厚度；第二电互联结构，所述第二电互联结构电连接所述第二硅基光芯片至所述第二电芯片；以及光互连结构，所述光互联结构形成所述第一硅基光芯片至所述第二硅基光芯片的光信号互联通路。
一种光电子集成互连模组

[发明专利]一种硅基陶瓷型芯材料、制备方法以及硅基陶瓷型芯-CN202210489553.2在审
发明人：束国刚;玄伟东;段方苗;白小龙;任忠鸣;张涛 -专利权人：中国联合重型燃气轮机技术有限公司;上海大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基陶瓷型芯材料，包括硅基陶瓷型芯粉料，所述硅基陶瓷型芯粉料包括耐火材料粉和矿化剂，其特征在于，所述耐火材料粉占所述硅基陶瓷型芯粉料的质量百分比为65‑85％，所述矿化剂包括硅酸锆粉和氮化硅粉，所述硅酸锆粉占所述硅基陶瓷型芯粉料的质量百分比为5‑15％，所述氮化硅粉占所述硅基陶瓷型芯粉料的质量百分比为5‑30％。本发明还提供了相应的硅基陶瓷型芯的制备方法和硅基陶瓷型芯。应用本发明的技术方案，解决了硅基陶瓷型芯尺寸收缩大且厚薄壁收缩不一致、高温强度低、高温挠度大等问题。
一种陶瓷材料制备方法以及

[发明专利]显示面板及其制造方法、电子设备-CN202310014277.9在审
发明人：张永峰;王路 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：该显示面板包括硅基基底、多个支撑组件和多个发光单元。支撑组件设置在硅基基底的一侧，具有设计密度，分布在显示区和/或非显示区；设计密度与具有硅基基底的显示面板的显示分辨率相匹配。发光单元设置在硅基基底的一侧；沿垂直于硅基基底的方向，支撑组件远离硅基基底的第一面与硅基基底的垂直距离大于发光单元远离硅基基底的第一面的垂直距离。本申请通过支撑组件支撑超精细掩膜版，确保硅基基底与超精细掩膜版之间的缝隙一致性，以尽量减少蒸镀阴影，从而有利于避免在蒸镀发光单元时出现混色不良现象。
显示面板及其制造方法电子设备

[发明专利]一种硅基芯片封装的方法、装置、存储介质及电子设备-CN202211537974.4在审
发明人：胡辰;王敬好;王震;张瑾;张萌徕;张潜;储涛 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G02B27/62 文献下载
摘要：本说明书公开了一种硅基芯片封装的方法、装置、存储介质及电子设备。首先，获取硅基芯片中的光栅与光纤阵列在耦合过程中的图像数据。其次，根据图像数据，对光纤阵列的姿态进行调整，以使得调整后的光纤阵列在预设坐标系下与硅基芯片相平行。而后，将光信号输入到硅基芯片中的光栅，并平移调整姿态后的光纤阵列，以检测光信号从硅基芯片中的光栅输入到平移后的光纤阵列后，平移后的光纤阵列输出的光信号对应的光功率。最后，若确定光功率满足预设条件，则硅基芯片中的光栅与光纤阵列完成耦合，得到耦合后的硅基芯片，并将耦合后的硅基芯片通过封装设备进行封装。本方法可以提高光纤阵列与硅基芯片中的光栅耦合的效率。
一种芯片封装方法装置存储介质电子设备

[发明专利]一种硅基微显示器片上灰度级扩展电路及实现方法-CN201510361899.4有效
发明人：耿卫东;刘艳艳;曾夕;张蕰千;郭嘉 -专利权人：南开大学
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种硅基微显示器片上灰度级扩展电路及实现方法。该硅基微显示器片上灰度级扩展电路，可用于硅基液晶微显示器(LCoS)、硅基OLED微显示器(OLEDoS)和其他硅基微显示器件等领域，用于硅基微显示器的片上集成数据驱动电路。本发明提供的硅基微显示器片上灰度级扩展电路，可以将N位数据输入线的硅基微显示器的灰度级最多扩展一倍，能够节省高灰度级硅基微显示器片上布线资源，降低成本，可用于要求高灰度级显示的可穿戴显示器。
一种硅基微显示器灰度扩展电路实现方法

[发明专利]一种含钒硅溶液的除硅方法和应用-CN201510155152.3有效
发明人：蒋霖;伍珍秀;肖亮 -专利权人：攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： C22B3/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种含钒硅溶液的除硅方法，该方法包括在pH值为5以下的条件下，将含钒硅溶液与除硅剂接触并共沉淀后过滤；其中，所述除硅剂含有含羧酸基、磺酸基和聚氧乙烯基侧链的聚羧酸系聚合物。本发明还涉及含羧酸基、磺酸基和聚氧乙烯基侧链的聚羧酸系聚合物作为除硅剂的应用。通过本发明的除硅方法，通过采用含羧酸基、磺酸基和聚氧乙烯基侧链的聚羧酸系聚合物作为除硅剂，特别是当所述聚羧酸系聚合物为聚羧酸系减水剂时，能够在酸性条件下较好地除去含钒溶液中的硅，且钒的损失量小。
一种含钒硅溶液方法应用

[发明专利]硅基前驱体的提纯方法及提纯系统-CN202211323659.1有效
发明人：刘颖;裴凯;赵毅;孙良礼;李晓婷 -专利权人：大连科利德光电子材料有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B01D11/04 文献下载
摘要：本发明涉及电子前驱体纯化领域，尤其涉及硅基前驱体的提纯方法及提纯系统，所述方法，包括以下步骤：（S.1）将吸附剂分散于离子液体中，得到吸附浆料；（S.2）将工业级硅基前驱体溶于吸附浆料中，使得工业级硅基前驱体与吸附剂相接触，从而使得工业级硅基前驱体中的金属离子杂质被吸附剂所吸附；（S.3）吸附结束后，对粗品硅基前驱体进行精馏，去除硅基前驱体中的轻组分以及重组分，得到电子级硅基前驱体。本发明通过改变硅基前驱体在提纯过程中的环境，有效将硅基前驱体与混杂在其中的金属离子杂质分离，从而有利于对于金属离子杂质的吸附，同时通过多种手段联用，提升了对于金属离子杂质的物理或化学吸附效果。
前驱提纯方法系统

[实用新型]FPC绑定类硅基OLED模组-CN202223347344.9有效
发明人：徐超;周文斌;曹云岭;孙剑;高裕弟 -专利权人：昆山梦显电子科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型属于OLED显示器技术领域，公开了一种FPC绑定类硅基OLED模组。该FPC绑定类硅基OLED模组包括硅基芯片、玻璃盖板和FPC，硅基芯片的第一表面的一边缘设有绑定区；玻璃盖板盖设且贴合于第一表面的绑定区外，且玻璃盖板延伸至第一表面的其余未设置绑定区的边缘外，玻璃盖板靠近第一表面的一侧涂覆有第一保护件，第一保护件围设于硅基芯片的周侧；FPC绑定于绑定区，绑定区涂覆有第二保护件。本实用新型提供的FPC绑定类硅基OLED模组，在运输和使用时，玻璃盖板的设置能有效防止硅基芯片的边缘受到外力磕碰，避免硅基芯片的边缘出现崩缺，防止硅基芯片上的电路受到损坏。
fpc 绑定类硅基 oled 模组