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[发明专利]一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法-CN202210827239.0在审
发明人：刘富才;卞仁吉;蒙鹏 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：本发明公开了一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法，包括由下至上堆叠设置的支撑衬底、背栅电极、背栅介质层、源极电极、范德华铁电隧穿层、漏极电极、顶栅介质层和顶栅电极，范德华铁电隧穿层由范德华铁电材料制备得到，源极电极、漏极电极分别与范德华铁电隧穿层上下两端连接并形成洁净的原子级范德华界面接触。本发明提供的层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元，以范德华滑移铁电材料为隧穿层的铁电隧穿结，实现由层数滑移调控界面势垒实现单个存储单元的多值擦写。
一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法

[发明专利]高性能铁电隧道结及包括该铁电隧道结的器件-CN202211384063.2在审
发明人：解俊杰;吴兆;刁一凡;孙朱行 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本申请提供一种高性能铁电隧道结及包括该铁电隧道结的器件。其中，铁电隧道结包括层叠设置的第一电极、铁电势垒层和第二电极，铁电势垒层由铁电基体和掺杂在铁电基体中的辅助隧穿结构组成，其中，铁电基体由铁电材料形成，所辅助隧穿结构提高所述铁电隧道结的隧穿电流。与现有技术相比，本申请通过在铁电势垒层中构建一定的缺陷辅助隧穿通路，提高电极中的载流子在铁电势垒层中的隧穿的概率，从而提高铁电隧道结的隧穿电流，从而可以满足如功率半导体器件、叠层光伏串联器件等大电流应用的需求
性能隧道包括器件

[发明专利]一种铁电隧道结器件及其制造方法-CN202111240810.0在审
发明人：毕津顺;杨雪琴 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种铁电隧道结器件及其制造方法，铁电隧道结器件包括依次层叠的第一电极、铁电层、介质层和第二电极，其中介质层的厚度小于铁电层的厚度，介质层厚度较薄，可以作为铁电隧道结器件的隧穿层，为器件提供较大的隧穿电流，以便器件后续进行非破坏性数据读取，此时铁电层不用作为提供隧穿电流的膜层，可以具有较高的厚度，增加铁电层的极化值，提高隧穿电阻比，增加器件的存储性能。也就是说，本申请实施例通过厚度小于铁电层的介质层，利用该较薄的介质层为铁电隧道结器件提供较大的隧穿电流，较厚的铁电层提供较大的隧穿电阻比，平衡铁电隧道结器件的存储性能和进行非破坏性读取这两种性能。
一种隧道器件及其制造方法

[发明专利]一种共振隧穿铁电隧道结-CN202211138016.X在审
发明人：常鹏鹰;解意洋 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种共振隧穿铁电隧道结。一种共振隧穿铁电隧道结，包括依次堆叠的：下电极、第一铁电层、绝缘层、第二铁电层和上电极；其中，所述第一铁电层和所述第二铁电层的厚度不同；所述绝缘层的势垒高度既低于所述第一铁电层的势垒高度，又低于所述第二铁电层的势垒高度本发明具有非对称的三势垒结构，并且为势垒‑势阱‑势垒结构，从而引入了共振隧穿效应，有效地提高了开态电流，同时提高隧穿电阻比值，解决了现有技术中开态电流和隧穿电阻比值不能兼顾的问题。
一种共振隧穿铁电隧道

[发明专利]一种二极管型铁电隧穿结存储器及制备方法-CN202310588392.7在审
发明人：周久人;冯雯静;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：一种二极管型铁电隧穿结存储器，包括依次布置的衬底、势垒调控层、绝缘介质层、铁电材料层和顶电极层，铁电材料层提供极化电荷；势垒调控层采用本征半导体材料或与衬底掺杂类型相反的掺杂半导体材料，以实现对势垒高度的调整，位于衬底和铁电层之间，以实现对势垒高度的调整。本发明通过在传统的铁电隧穿结基础上插入额外的半导体势垒调控层，可以增大存储器铁电层材料两侧电极的屏蔽长度差异，从而获得开关状态下增大的隧穿势垒宽度比和存储窗口，与此同时，额外插入的半导体势垒调控层与衬底形成PN结，使得铁电隧道结获得明显的整流特性，可用于非冯神经形态芯片技术。
一种二极管型铁电隧穿结存制备方法

[发明专利]铁电组件和包括该铁电组件的交叉点阵列器件-CN202110024929.8在审
发明人：李在吉;刘香根;韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本发明涉及铁电组件和包括该铁电组件的交叉点阵列器件。一种铁电组件包括：第一电极；隧道阻挡层，其设置在第一电极上而包括铁电材料；隧穿控制层，其设置在隧道阻挡层上以控制穿过所述隧道阻挡层的电荷的隧穿宽度；以及第二电极，其设置在所述隧穿控制层上。
组件包括交叉点阵列器件

[发明专利]一种三端铁电隧穿结存储器及其制备方法和逻辑电路控制方法-CN202010585672.9在审
发明人：杨玉超;程彩蝶;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：本发明公开了一种三端铁电隧穿结存储器及其制备方法和逻辑电路控制方法。本发明采用两个反向串联的铁电隧穿结器件组成的三端铁电隧穿结存储器来实现布尔逻辑运算，以两个铁电隧穿结器件的操作电压作为逻辑门的输入，读出的电流即为逻辑值，通过外加操作电压和读取电压改变输出结果，实现逻辑操作，运算结果存储在三端铁电隧穿结存储器中。
一种三端铁电隧穿结存及其制备方法逻辑电路控制

[发明专利]增大铁电隧穿结工作电流的器件结构及其制备方法-CN202011080259.3在审
发明人：唐建石;张文彬;吴华强;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请提出了一种增大铁电隧穿结工作电流的器件结构及其制备方法，其中，器件结构包括：上电极、铁电层和下电极；其中，上电极为圆柱形，铁电层包裹在上电极外侧，下电极包裹在铁电层外侧。根据本申请实施例的器件结构，能够增大铁电隧穿结的工作电流。
增大铁电隧穿结工作电流器件结构及其制备方法

[发明专利]基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201610124244.X在审
发明人：韩根全;张春福;彭悦;郝跃;张进城;冯倩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法，解决了现有隧穿场效应晶体管导通电流小和亚阈摆幅无法降低的问题。该铁电隧穿场效应晶体管包括：衬底1、源极2、沟道3、漏极4、绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7、栅电极8。所述源极2、沟道3和漏极4，在衬底1上依次由下至上竖直分布；绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7及栅电极8由内而外环绕覆盖在沟道3的四周。本发明在隧穿场效应晶体管的沟道中引入InAs材料，并在晶体管栅介质中加入了铁电材料，使得该晶体管具有亚阈摆幅小、开关速度高和功耗低的优点。
基于 inas 材料铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]基于GeSn材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201610125287.X在审
发明人：韩根全;张春福;李庆龙;冯倩;张进城;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种基于GeSn材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法，解决了现有隧穿场效应晶体管导通电流小和亚阈摆幅无法降低的问题。该铁电隧穿场效应晶体管包括：衬底1、源极2、沟道3、漏极4、绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7、栅电极8。所述源极2、沟道3和漏极4，在衬底1上依次由下至上竖直分布；绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质层7及栅电极8由内而外环绕覆盖在沟道3的四周。本发明在隧穿场效应晶体管沟道中引入GeSn材料，并在晶体管栅介质中加入了铁电材料，使得该晶体管具有亚阈摆幅小、开关速度高和功耗低的优点。
基于 gesn 材料铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]基于铁电隧道结的阻变存储器及其数据写入方法-CN201911167166.1有效
发明人：马超;罗振;殷月伟;李晓光 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电隧道结的阻变存储器及阻变存储器的写入方法，将金属电极设置为阻变存储器的上电极、且将半导体基底设置为阻变存储器的下电极，构成“金属电极/铁电隧穿层/半导体基底”型的铁电隧道结。铁电隧道结在脉冲电压的调控下实现非易失的超快铁电极化翻转，阻态转变速度可快至亚纳秒量级，在工业集成电路要求的高温测试下仍可正常工作，且阻变存储器的写入电流密度低而具有低功耗的优势；通过施加不同脉冲电压得到的极化状态不同，通过调控隧穿势垒的高度和宽度形成不同的隧穿电阻状态，从而可在单个存储单元中实现更多的非易失的存储状态，使阻变存储器具有超快速度、低功耗、多阻态、非易失等优势，提高阻变存储器的可靠性。
基于隧道存储器及其数据写入方法

[发明专利]一种低温存储器件的制备和调控方法-CN202011517515.0有效
发明人：陈立明;周健;丁健翔;张骁;孙正明;徐东 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明公开了电子科学技术领域的一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极；本发明通过代替传统贵金属电极设计的铁磁金属氧化物电极/铁电层/半导体电极型铁电隧道结存储器件，在35K的低温下可以实现电流开关比(电流开关比ON/OFF，开态隧穿电流值与关态隧穿电流值之比)达到～105，此外，本发明制备工艺简易，操作简便，成本低廉，可在低温下保持较好的信息存储及转换的性能，本发明中的低温存储器件通过电场调控及温度调控克服传统铁电隧道结在低温下性能缺陷Sub>0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结存储器使用范围和使用性能
一种低温存储器件制备调控方法

[实用新型]一种隧穿磁电阻器件-CN201320405203.X有效
发明人：徐荣 -专利权人：徐荣
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实际应用中，隧穿磁电阻器件需要提供一定的偏置磁场，不同的应用需要的偏置磁场不尽相同。现有的方法是采用线圈提供偏置磁场，存在着结构复杂、功耗高等缺点。本实用新型提供一种隧穿磁电阻器件，包括铁电衬底、应力磁性相变材料层、绝缘层、铁磁层，其中，应力磁性相变材料层生长在铁电衬底上，绝缘层生长在应力磁性相变材料层上，铁磁层生长在绝缘层上。对铁电衬底施加电场，在电场的作用下，铁电衬底发生伸缩，应力传递给应力磁性相变材料层，改变其磁性状态，调节隧穿磁电阻器件的偏置状态。本实用新型具有与现有的电控制兼容、功耗低等优点。
一种磁电器件

[实用新型]一种具有铁电薄膜和金属嵌入层的无掺杂隧穿晶体管-CN202321308017.4有效
发明人：刘虎;李佩锋;周晓瑜 -专利权人：兰州交通大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体提供一种具有铁电薄膜和金属嵌入层的无掺杂隧穿晶体管，包括：源极、漏极、栅极、栅介质层、源区、漏区、沟道区、金属嵌入层和铁电薄膜层；在栅介质层中插入Pt金属嵌入层，使得在其下的体材料中形成一个P+‑pocket；采用双金属栅结构来调整隧穿结处的电场强度；在隧穿栅下层加入铁电薄膜层，来提高器件中的电子隧穿率，降低隧穿势垒，增强栅压的控制能力。
一种具有薄膜金属嵌入掺杂晶体管

[发明专利]提升铁电隧穿结性能的器件结构及其制备方法-CN202011079110.3有效
发明人：唐建石;张文彬;吴华强;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本申请提出了一种提升铁电隧穿结性能的器件结构及其制备方法，其中，器件结构包括：上电极、铁电层、绝缘介质层和下电极；其中，上电极位于绝缘介质层和铁电层的上方，下电极位于所述绝缘介质层和铁电层的下方，所述铁电层位于绝缘介质层的上方或下方；绝缘介质层上分布有小孔，铁电层通过小孔与上电极或下电极接触。根据本申请实施例的器件结构，能够提升铁电隧穿结的模拟阻变特性和一致性。
提升铁电隧穿结性能器件结构及其制备方法

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