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[发明专利]包括选择器层的半导体器件-CN202310015545.9在审
发明人： 韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开涉及包括选择器层的半导体器件。一种半导体器件可以包括：第一导电层；第二导电层，其与第一导电层间隔开；隧道绝缘层，其置于第一导电层和第二导电层之间并且被设置成邻近于第一导电层；电荷阻挡层，其置于第一导电层和第二导电层之间并且被设置成邻近于第二导电层；以及选择器层，其置于隧道绝缘层和电荷阻挡层之间，其中，半导体器件用作自选择存储器。
包括选择器半导体器件

[发明专利]蒸发式冷凝器及包含其的空调机-CN202180079474.8在审
发明人： 韩在贤;郑喆基;李东根;黄仁秀 -专利权人：庆东纳碧安株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F25B39/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种在不发生压力损失的同时可以确保制冷性能的蒸发式冷凝器以及包含其的空调机，所述蒸发式冷凝器包括：冷凝模块，包括流体通道；灌注模块，在所述冷凝模块上部喷射通过冷凝模块的水；以及送风模块，设置在所述冷凝模块的一侧，提供通过所述冷凝模块的空气，所述冷凝模块由N个集流管列堆叠，所述N个集流管列包括：设置在一侧并且内部形成有流路的第一集流管；设置在另一侧并且内部形成有流路的第二集流管；以及在所述第一集流管和第二集流管之间连接所述第一集流管和所述第二集流管的流路的多个连接管，其中，N为2以上的自然数，所述冷凝模块、灌注模块和送风模块设置为使所述灌注模块喷射的水以及所述送风模块提供的空气通过所述冷凝模块的连接管之间。
蒸发冷凝器包含空调机

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN202211507352.7在审
发明人： 韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括彼此交替层叠的绝缘层和导电层；沟道结构，其穿过层叠结构的至少一部分；以及存储器层，其插置在导电层与沟道结构之间，其中，存储器层包括布置在导电层与沟道结构之间的浮栅。
半导体装置制造方法

[发明专利]包括包含MXene的互连结构的半导体器件及其制造方法-CN202210833246.1在审
发明人：具元泰;韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：第一导电层，该第一导电层包含第一金属；第二导电层，该第二导电层电连接到第一导电层并且包含第二金属；以及互连结构，该互连结构对第一导电层与第二导电层的连接部分是共同的。互连结构包括：晶种层，该晶种层在第一导电层上，并且包含石墨烯；以及金属迁移阻挡层，该金属迁移阻挡层在晶种层上，并且包含MXene。
包括包含 mxene 互连结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括具有可变电阻的沟道层的电子器件及制造其的方法-CN202210844301.7在审
发明人：具元泰;韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：公开了一种具有可变电阻的沟道层的电子器件及制造其的方法。电子器件包括：基础元件；彼此间隔开布置在基础元件上的源电极层以及漏电极层；沟道层，其在基础元件上布置于源电极层和漏电极层之间，并且容纳金属离子；金属离子导电层，其布置在沟道层上；以及栅电极层，其布置在金属离子导电层上。沟道层包括多个单元膜以及多个单元膜之间的沟道空间。多个单元膜被布置成与基本上垂直于基础元件的表面的方向平行。
包括具有可变电阻沟道电子器件制造方法

[发明专利]电阻式存储器件以及电阻式存储器件的操作方法-CN202210059822.1在审
发明人： 韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本申请公开了电阻式存储器件以及电阻式存储器件的操作方法。该电阻式存储器件包括：交替堆叠的导电层和层间绝缘层；垂直孔，其垂直贯穿导电层和层间绝缘层；栅极绝缘层，其设置在所述垂直孔的内壁之上；电荷俘获层，其设置在栅极绝缘层的内壁之上；沟道层，其设置在电荷俘获层的内壁之上；以及可变电阻层，其设置在沟道层的内壁之上。
电阻存储器件以及操作方法

[发明专利]具有可变电阻结构的三维半导体器件-CN202210311980.1在审
发明人： 韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：在一个实施方式中，一种半导体器件包括：衬底、第一位线、第一隧道绝缘层、可变电阻结构、第二隧道绝缘层、第二位线、阻挡绝缘层和字线，其中所述第一位线设置在衬底上，所述第一隧道绝缘层设置在第一位线上，所述可变电阻结构设置在第一隧道绝缘层上并且具有柱状结构，所述第二隧道绝缘层设置在可变电阻结构的上表面上，所述第二位线设置在第二隧道绝缘层上，所述阻挡绝缘层设置在可变电阻结构的侧壁表面上，所述字线设置在阻挡绝缘层上。所述阻挡绝缘层的介电常数大于第一隧道绝缘层和第二隧道绝缘层中的每一个的介电常数。
具有可变电阻结构三维半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210312176.5在审
发明人：具元泰;韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底和设置在衬底之上的栅结构。栅结构包括彼此交替层叠的栅电极层和层间绝缘结构。该半导体器件包括设置在衬底之上以接触栅结构的侧壁表面的电介质结构，以及设置在衬底之上的电介质结构的侧壁表面上的沟道层。每个层间绝缘结构包括设置在同一平面上的绝缘层和金属‑有机框架层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括具有可变电阻的有源层的半导体器件-CN202210347142.X在审
发明人：具元泰;韩在贤;李在吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请公开了包括具有可变电阻的有源层的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括：衬底；源电极层和漏电极层，它们彼此间隔开地被设置在所述衬底上；有源层，其被设置在所述衬底上而接触所述源电极层和所述漏电极层；以及栅电极层，其被设置在所述有源层上。该有源层包括能够解析和再吸收金属颗粒的金属氧化物。该有源层中的电阻被配置为通过金属颗粒的解析和再吸收而可逆地改变。
包括具有可变电阻有源半导体器件

[发明专利]包括包含金属-有机框架的层间绝缘结构的半导体装置-CN202210186198.1在审
发明人：具元泰;韩在贤;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请涉及包括包含金属‑有机框架的层间绝缘结构的半导体装置。根据本公开的实施方式的半导体装置包括：基板；栅极结构，其设置于基板上方；介电结构，其在基板上方设置为接触栅极结构的侧壁表面；以及沟道层，其在基板上方设置在介电结构的侧壁表面上。栅极结构包括交替层叠的栅电极层和层间绝缘结构。层间绝缘结构包括金属‑有机框架层。
包括包含金属有机框架绝缘结构半导体装置

[发明专利]半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法-CN202111588402.4在审
发明人： 韩在贤;具元泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：沟道层；栅电极，其与沟道层间隔开；阻挡绝缘层，其位于栅电极与沟道层之间；隧道绝缘层，其位于沟道层与阻挡绝缘层之间；以及纳米颗粒，其在隧道绝缘层和阻挡绝缘层之间彼此间隔开。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202111149241.9在审
发明人： 韩在贤;具元泰 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开涉及半导体存储器装置。半导体存储器装置包括依次设置的隧道绝缘层、数据储存层和阻挡绝缘层。隧道绝缘层包括具有比阻挡绝缘层的介电常数更低的介电常数的金属有机框架(MOF)。
半导体存储器装置

[发明专利]包含阻变沟道层的电子器件-CN202111174452.8在审
发明人：具元泰;韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种包含阻变沟道层的电子器件。该电子器件包括：衬底；源电极层和漏电极层，它们被设置在衬底上方而彼此间隔开；沟道层，其能够接收氢，并且被设置在衬底上方在源电极层和漏电极层之间；质子传导层，其设置在沟道层上；氢源层，其被设置在质子传导层上；以及栅电极层，其被设置在氢源层上。
包含沟道电子器件

[发明专利]对包括可逆电阻器件的非易失性存储器件进行编程的方法-CN202110986572.1在审
发明人： 韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供一种对包括多个存储单元的非易失性存储器件进行编程的方法。多个存储单元中的每个存储单元包括可逆电阻器件。从多个存储单元之中选择目标存储单元。确定用于目标存储单元的可逆电阻器件的目标电阻状态。读取目标存储单元的可逆电阻元件的电阻状态。将所读取的电阻状态与目标电阻状态进行比较。当所读取的电阻状态与目标电阻状态不同时，对目标存储单元的可逆电阻器件执行正编程操作和负编程操作之一。
包括可逆电阻器件非易失性存储器进行编程方法

[发明专利]包括阻变层的半导体器件及其制造方法-CN202111174634.5在审
发明人： 韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开提供一种包括阻变层的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括交替叠置在衬底上方的至少一个栅电极层和至少一个层间绝缘层。该半导体器件包括在衬底上方的穿透栅极结构的孔图案，以及在孔图案内顺序地设置在栅极结构的侧壁表面上的栅极绝缘层、通道层、电阻器层和阻变层。电阻器层和阻变层中的每个基于通道层与栅极绝缘层相对地设置。
包括阻变层半导体器件及其制造方法

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