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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610074659.7有效
发明人：李坤宪;黄正同;洪文翰;丁世汎;郑礼贤;郑子铭;梁佳文 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，首先提供一基底，此基底上已形成有第一型金氧半晶体管、输出输入第二型金氧半晶体管以及核心第二型金氧半晶体管。然后，形成第一应力层，以覆盖住基底、第一型金氧半晶体管、输出输入第二型金氧半晶体管与核心第二型金氧半晶体管。接着，至少移除核心第二型金氧半晶体管上的第一应力层，以至少保留第一型金氧半晶体管上的第一应力层。随后，于核心第二型金氧半晶体管上形成第二应力层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有辅助栅极的非易失性存储单元结构及其存储器数组-CN201611041736.9在审
发明人：曹沐潆;陈纬仁 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：各非易失性存储单元包含P型金氧半选择晶体管以及与P型金氧半选择晶体管串联的P型金氧半浮动栅极晶体管。各字线电连接至P型金氧半选择晶体管的选择栅极。各位线电连接至各非易失性存储单元中的P型金氧半浮动栅极晶体管的掺杂区。各源极线电连接至P型金氧半选择晶体管的掺杂区。
具有辅助栅极非易失性存储单元结构及其存储器数组

[发明专利]肖特基二极管及其制造方法-CN201510971913.2有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管，包括金半接触结和位于所述金半接触结周侧的PN结；金半接触结的N型区由位于场氧的底部的N型掺杂区组成；金半接触结的金属形成于场氧去除后的N型掺杂区表面。PN结的P型区形成于金半接触结周侧的有源区中，组成金半接触结的N型区的N型掺杂区同时延伸到有源区中组成PN结的N型区；PN结的P型区的底部区域还延伸到场氧的底部并且金半接触结相交叠。本发明能提高金半接触结性能的稳定性，提高器件的击穿电压，减少器件的反向漏电。
肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]开关电路及显示装置-CN201110232087.1无效
发明人：张荣杰;傅渭峰 -专利权人：苏州佳世达电通有限公司;佳世达科技股份有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H03K17/60 文献下载
摘要：本发明是关于一种开关电路及显示装置，其包含：P型金氧半晶体管，其源极耦接于第一电源；第一电阻，其第一端耦接于电源转换单元，且该第一电阻的第二端耦接于该P型金氧半晶体管的栅极；及第一电容，其第一端耦接于该P型金氧半晶体管的栅极，且该第一电容的第二端耦接于该P型金氧半晶体管的源极。
开关电路显示装置

[发明专利]光电信号转换器及其模拟数字转换电路-CN200710141843.3有效
发明人：曾泓玮;胡凌彰;吕世香;孙文堂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：一种光电信号转换器及其模拟数字转换电路，该光电信号转换电路包括一检测模块、第一P型金氧半晶体管、第一N型金氧半晶体管、第一开关单元以及一输出模块。第一P型金氧半晶体管与第一N型金氧半晶体管构成一反相器结构。第一开关单元配置在此反相器结构的输入端与输出端之间，并依照第一控制信号来决定是否导通。
光电信号转换器及其模拟数字转换电路

[发明专利]非混合型的互补型金氧半晶体管播放机马达驱动电路-CN200410033825.X无效
发明人：林万荣 -专利权人：合邦电子股份有限公司
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： G11B19/20 文献下载
摘要：本发明是关于一种非混合型的互补型金氧半晶体管播放机马达驱动电路，主要是令数字音讯(影像)播放机的马达驱动电路由非Bi－CMOS型的互补型金氧半晶体管构成；其是由一前级及一驱动级组成，其中前级是利用串接的互补型金氧半晶体管以产生较高的触发电压
混合互补型金氧半晶体管播放机马达驱动电路

[发明专利]可预防闩锁效应的逻辑电路-CN202111451817.7在审
发明人：温咏儒;刘汉麒;柯星佑 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种可预防闩锁效应的逻辑电路，其通过在P型金氧半晶体管的N型井区配置额外的重掺杂N型有源区，并在N型金氧半晶体管的P型井区配置额外的重掺杂P型有源区，以阻止寄生硅控整流器的导通来预防发生闩锁效应。
预防效应逻辑电路

[发明专利]一种静电放电保护电路-CN201410132386.1有效
发明人：陈哲宏 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护电路，包括一二极管，设置于一N型井区，一包括一高浓度P型掺杂区与不相邻的一高浓度N型掺杂区；一金氧半(NMOS)晶体管，设置于一P型井区，包括一汲极、一源极与一闸极，汲极与源极皆由高浓度N型掺杂区所形成；其中P型井区更包括一相邻于源极的高浓度P型掺杂区，金氧半(NMOS)晶体管的汲极电性连接于二极管的高浓度N型掺杂区，金氧半(NMOS)晶体管的源极与相邻的高浓度P型掺杂区电性地接地，且金氧半
一种静电放电保护电路

[发明专利]具有热防护功能的晶体管结构-CN200310104671.4无效
发明人：张崇兴 -专利权人：华宇电脑股份有限公司
申请日： 2003-10-29 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：此晶体管结构的一类型包括主要N型金氧半晶体管、次要P型金氧半晶体管以及热防护单元；次要P型金氧半晶体管的漏极端与栅极端分别连接到主要N型金氧半晶体管的栅极端与热防护单元；此两晶体管结构整体架构是仿效标准的N型金属氧化物半导体晶体管；次要P型金属氧化物半导体晶体管的源极端作为此晶体管结构的栅极端。此晶体管结构的漏极端和源极端分别为主要N型金属氧化物半导体晶体管的漏极端与源极端；此热防护单元藉由感测热量、中断流过晶体管的电流以及开闭晶体管，以避免此晶体管结构的两金属氧化物半导体晶体管发生热故障。
具有防护功能晶体管结构

[发明专利]具有擦除元件的单层多晶硅非易失性存储单元结构-CN201710135824.3有效
发明人：孙文堂;陈纬仁;陈英哲 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：包含一硅覆绝缘衬底，包含一硅基底、一埋入氧化层及一半导体层；一第一氧化物定义区域及一第二氧化物定义区域，位于所述半导体层；一绝缘区域，位于所述半导体层，隔离所述第一氧化物定义区域与所述第二氧化物定义区域；一P型金氧半选择晶体管，设于所述第一氧化物定义区域；一P型金氧半浮置栅极晶体管，设于所述第一氧化物定义区域，并串接所述P型金氧半选择晶体管，所述P型金氧半浮置栅极晶体管包含一浮置栅极，位于所述第一氧化物定义区域上；以及一浮置栅极延伸
具有擦除元件单层多晶硅非易失性存储单元结构

[发明专利]金氧半晶体管及应用该金氧半晶体管的电压转换电路-CN200810171151.8无效
发明人：刘中唯 -专利权人：登丰微电子股份有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开一种利用一阻抗组件耦接于金氧半晶体管的基极与第一源/漏极之间。当产生逆电流的情况时，可限制流经体二极管的逆电流，使金氧半晶体管不致因过热而烧毁。而且金氧半晶体管的基极与第一源/漏极为等电位的情况下，金氧半晶体管的漏极至源极电阻Rds(on)相当小，使金氧半晶体管的功率耗损低且使用本发明的金氧半晶体管的转换电路也能有较高的转换效率。
金氧半晶体管应用电压转换电路

[发明专利]互补式金氧半图像传感器的浮动节点结构及其制造方法-CN200710087775.7无效
发明人：高境鸿 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种互补式金氧半图像传感器的浮动节点结构，位于基底中的隔离结构所定义的浮动节点区中，包括一n型掺杂区、一p型阱区、一表面保护层与一接触窗。n型掺杂区，位于浮动节点区中。p型阱区，位于浮动节点区中，环绕于n型掺杂区的周围与底部。表面保护层，至少位于p型阱区的表面上。接触窗，耦接n型掺杂区与互补式金氧半图像传感器的源随器晶体管。
互补式金氧半图像传感器浮动节点结构及其制造方法

[发明专利]使用栅极耦合金氧半场效晶体管的静电保护电路-CN02151341.4无效
发明人：林锡聪;陈伟梵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2002-11-15 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H05F3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用栅极耦合金氧半场效晶体管(Gate－Coupled MOSFET)的电源总线静电保护电路，其所使用的金氧半场效晶体管栅极电位包括由一反向器及一延迟时序控制电路所控制。本发明与现有的电流分流(currentshunting)静电保护装置不同，其电流分流静电保护装置在静电发生时将金氧半场效晶体管完全导通，但本发明使用一拉降(pull－down)组件所形成的一类似分压器的电路，在静电发生时，将金氧半场效晶体管的栅极电位限制于1至2V。此外，本发明亦较现有技术中使用栅极耦合N型金氧半(BCNMOS)晶体管的静电保护装置对栅极电位具有更好的控制力，因而可以在静电发生时更有效率地触动N型金氧半晶体管进入跳通状态(snapback)。
使用栅极耦合半场晶体管静电保护电路

[发明专利]半导体结构-CN201710202281.2有效
发明人：李承翰;马志宇;张世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：第一鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的n型金氧半鳍状物，而第二鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的p型金氧半鳍状物。
半导体结构

[实用新型]一种智能功率级模块-CN202120519644.7有效
发明人：巫岳玟;苏子龙;王光峰 -专利权人：力智电子（深圳）有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能功率级模块，包括引线框架、第一金氧半晶体管芯片、第二金氧半晶体管芯片及导电夹。第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片并排设置于引线框架上。导电夹具有平坦部，平坦部通过焊料层分别电性连接第一金氧半晶体管芯片及第二金氧半晶体管芯片，平坦部具有多个边缘，导电夹至少在相邻的两个边缘上设有齿状边缘，齿状边缘与焊料层接触。
一种智能功率模块

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