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[发明专利]光学可变表面图形-CN201380053789.0有效
发明人： C.弗塞 -专利权人：捷德货币技术有限责任公司
申请日： 2013-10-14 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G02B5/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学可变表面图形，包括载体(18)，载体具有第一和第二表面区域(24,25)，其中两个表面区域(24,25)设计成在第一立体角范围(al)中，第一表面区域(24)呈现看上去弯曲的第一视图(14)，在与第一立体角范围(al)不同的第二立体角范围(oc2)中，第二表面区域(25)呈现看上去弯曲的第二视图(15)。
光学可变表面图形

[发明专利]衍射表面图形-CN98807457.5有效
发明人：勒内·斯托布;韦恩·R·汤普金 -专利权人：伊莱克特罗沃特技术革新股份公司
申请日： 1998-06-04 - 公布日： 2000-08-30 - 主分类号： G06K19/16 文献下载
摘要：按照本发明,表面图形(1)具有N可直观识别的图形,该图形由有衍射效果的微细凹凸结构或平的反射表面构成,或包括吸收或色散结构。该N图形一起包含至少一个共用的独立表面单元(11)。所述表面单元(11)被分成表面部分,按与N图形无关的预定结构设置所述表面部分。各表面部分覆盖有单独的微细衍射结构,或具有吸收或色散性能的结构,或为平的反射表面的结构。表面图形(1)用于文件(2)中作为安全元件并且所述文件可在阅读机中用机器阅读。
衍射表面图形

[发明专利]通过剥脱产生和转印表面形态的方法-CN201310193832.5无效
发明人： S·W·比德尔;K·E·福格尔;A·J·宏;李宁;D·K·萨达那;K·L·森格尔;D·沙赫莉亚迪;徐崑庭 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及通过剥脱产生和转印表面形态的方法。在本公开中无需采用蚀刻工艺便可实现表面图形的产生或表面图形的复制。相反地，本公开中使用被称为剥脱的独特断裂模式来产生或复制表面图形。在表面图形产生的情况下，在应力源层中提供表面图形，然后执行剥脱。在表面图形复制的情况下，在基础衬底的表面内或表面上形成表面图形，然后施加应力源层。在施加应力源层之后，执行剥脱。利用剥脱产生或复制表面图形提供了低成本的用于表面图形产生或复制的方式。
通过剥脱产生表面形态方法

[发明专利]信息验证的方法、装置、计算机设备及存储介质-CN202110630834.0在审
发明人：周逸恒;胡志鹏;程龙;刘勇成;袁思思 -专利权人：网易（杭州）网络有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G06F21/36 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种信息验证的方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法包括：响应信息验证指令，在图形用户界面上显示立体图形以及验证提示信息；响应针对立体图形的变换操作，在图形用户界面上显示立体图形的目标图形表面，所述目标图形表面为通过所述变换操作后所述立体图形在所述图形用户界面上显示的图形表面；根据所述目标图形表面生成校验请求信息；向服务器发送所述校验请求信息，以使所述服务器基于所述校验请求信息校验所述目标图形表面是否满足所述验证要求本申请实施例通过在立体图形的图形表面上设置参考信息，获取图形表面对应的参考信息作为校验信息进行校验，从而增强系统的抗攻击能力，提高验证的安全性。
信息验证方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]生成要显示在屏幕上的图形表面的方法及相关图形处理器-CN202110050390.3在审
发明人：亚历山大·菲内;尼古拉·勒瓦瑟;杨尼克·布勒伊 -专利权人：泰勒斯公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：一种生成要被显示在屏幕上的图形表面(S1，S2)的方法，该方法通过图形处理器来实施并且包括以下步骤：‑生成要被显示在屏幕上的第一图形表面(S1)的步骤(110)；‑在生成第一图形表面(S1)与生成第二图形表面(S2)之间进行切换的步骤(130)；‑生成要被显示在屏幕上的第二图形表面(S2)的步骤，切换步骤(130)包括：保存(150)第一图形表面(S1)的图形执行上下文(CTX1)；以及如果在先前的切换期间第二图形表面(S2)的生成已被另一个图形表面的生成中断，则恢复(160)第二图形表面(S2)的图形执行上下文(CTX2)，所恢复的上下文(CTX2)在先前的切换期间已进行了保存。
生成显示屏幕图形表面方法相关处理器

[发明专利]一种双面图形结构的制备方法及双面图形结构-CN202311056140.6在审
发明人：杨雨帆;陈振浩;李晓军 -专利权人：广纳四维（广东）光电科技有限公司
申请日： 2023-08-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种双面图形结构的制备方法及双面图形结构。双面图形结构的制备方法包括：提供衬底；衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在衬底的第一表面形成第一图形结构；在第一图形结构背离衬底的一侧制备保护层；在衬底的第二表面形成第二图形结构；去除保护层，形成双面图形结构采用上述方法，可避免第一表面制备好的第一图形结构受到污染，同时避免第一图形结构出现变形和破损等问题，保证第一图形结构和第二图形结构的制备效果，进而提升双面图形结构的成品效果。
一种双面图形结构制备方法

[发明专利]投影的后座乘客娱乐系统-CN201210598400.8有效
发明人： T·A·塞德;R·J·马蒂厄;J·F·什切尔巴;O·尖霍尼 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2012-12-09 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： B60R1/00 文献下载
摘要：一种使用后座娱乐投影(RSEP)系统来放大在车辆内的表面上显示的图形的方法，包括产生用于在车辆内表面上显示的图形。当图形显示在表面上时，获得引起对显示在表面上的图形的反应的输入，以及显示在表面上的图形根据对图形的反应被放大。
投影后座乘客娱乐系统

[发明专利]光刻胶图形及其形成方法-CN201910005475.2有效
发明人：张海洋;陈卓凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种光刻胶图形及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成初始光刻胶图形层，包括图形密集区和图形稀疏区；对初始光刻胶图形层进行至少一次蚀刻前预处理，形成光刻胶图形层，蚀刻前预处理的步骤包括：形成附着在初始光刻胶图形层表面的修整层；对表面附着有修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理，以减小初始光刻胶图形层的侧壁与基底表面之间的角度；或者，蚀刻前预处理的步骤包括：对表面附着有修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理以减小初始光刻胶图形层侧壁与基底表面之间的角度；形成附着在剩余初始光刻胶图形层表面的修整层。本发明实施例有利于提高图形密集区和图形稀疏区上关键尺寸的一致性、提高图形转移的精度。
光刻图形及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111345279.3在审
发明人：刘满成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法，在所述基底上形成若干分立的牺牲图形后；在基底的表面上以及若干所述牺牲图形的侧壁表面和顶部表面上形成掩膜材料层；在牺牲图形的两个侧壁表面上的掩膜材料层中注入杂质离子，使得所述牺牲图形的两个侧壁表面上的这一部分掩膜材料层硬度变硬；采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀去除所述牺牲图形顶部表面上和基底表面上的掩膜材料层，保留所述牺牲图形的侧壁表面的掩膜材料层，在所述牺牲图形的侧壁上形成环形掩膜图形；去除所述牺牲图形；将所述环形掩膜图形未注入杂质离子的两端断开，形成若干分立的双重掩膜图形。本申请的方法能防止形成的双重掩膜图形顶端产生圆形或尖角缺陷。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种石墨烯图形化生长方法-CN201710364847.1在审
发明人：张大勇;金智;史敬元;彭松昂;黄昕楠;姚尧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯图形化生长方法，其中包括步骤一、在衬底表面形成镍层，用于提供石墨烯的生长衬底；步骤二、将表面图形化模板覆盖在所述镍层表面，在所述镍层表面生成与所述表面图形化模板相对应的石墨烯图形。本发明能够利用覆盖在金属镍表面的图形化模板对镍表面石墨烯生长的选择性限制作用，在金属镍表面生成图形化石墨烯。本发明工艺简单，生产效率高，并且图形化模板可以重复利用，有效避免石墨烯表面的污染。
一种石墨图形化生方法

[实用新型]一种两侧表面具有对称立体浮雕图形的平面玻璃-CN201420107983.4有效
发明人：刘波 -专利权人：珠海醇逸嘉华包装材料科技有限公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： B44C5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种两侧表面具有对称立体浮雕图形的平面玻璃，该平面玻璃的一侧表面至少设有凹陷的图形或突出的图形，另一侧表面设有与所述凹陷的图形或突出的图形一一对应的突出的图形或凹陷的图形，两侧表面对应设置的所述凹陷的图形和突出的图形共同构成对称的立体浮雕图形这样即可解决贴覆表面印刷有图案的薄膜存在的影响平面玻璃透光性、薄膜容易掉落和图案容易脱色的问题，结构稳定、可靠，经久耐用；而且通过在两侧表面设置一一对应对称的立体浮雕图形，立体效果极好，使平面玻璃双侧表面都可观赏，且呈现效果不同，同时图形边缘的透光性产生镂空感，整体效果丰富多样，美观性、观赏性和艺术性高，应用范围广，易于普及应用、市场开拓。
一种两侧表面具有对称立体浮雕图形平面玻璃

[发明专利]陶瓷外壳及其表面图形加工方法-CN202110994741.6在审
发明人：刘洋;杨振涛;高岭;刘林杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C04B41/91 文献下载
摘要：本发明提供了一种陶瓷外壳及其表面图形加工方法，属于陶瓷封装技术领域，加工方法包括步骤：在陶瓷外壳的表面加工图形凹槽；在图形凹槽内注入图形胶体，图形胶体与陶瓷外壳的表面具有颜色差；初次检验图形胶体的注入情况，筛选得到满足注入要求的陶瓷外壳；在预设条件下固化筛选得到的图形胶体；二次检验图形胶体的固化情况，筛选得到具有预设图形的陶瓷外壳。本发明提供的陶瓷外壳表面图形加工方法，由于图形胶体和陶瓷外壳具有颜色差，能够通过肉眼或设备清晰地识别加工后的图形，满足使用要求；同时，先加工图形凹槽再注入图形胶体的方式，能够防止图形胶体在点胶过程中发生扩散，图形精度更高，容易得到满足使用要求和识别要求的陶瓷外壳。
陶瓷外壳及其表面图形加工方法

[发明专利]一种掩膜版及其制造方法-CN201810354999.8有效
发明人：刘孟彬;罗海龙 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版及其制造方法，包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面，衬底内具有贯穿衬底的多个开口，衬底的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；位于第一表面的掩膜图形层，掩膜图形层的材料为能够进行半导体刻蚀工艺的材料；掩膜图形层具有图形区和遮挡区，图形区具有至少一个通孔，开口暴露出所述图形区，每一开口与一图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔，遮挡区位于图形区的外侧、与衬底相对；顶层衬底层，位于掩膜图形层与第一表面相背的表面上，其中，顶层衬底层中具有贯穿顶层衬底层的多个凹槽，凹槽露出图形区，每一凹槽与一图形区相对且暴露出图形区中的所有通孔。
一种掩膜版及其制造方法

[发明专利]掩模图形检查、曝光条件验证、半导体器件的制造方法-CN200910170956.5有效
发明人：长滨一郎太;山崎裕一郎;大西笃志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-07-06 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模图形检查方法，该方法包括：把掩模图形转印到导体基板或半导体基板上；作成包含与上述基板处于电导通状态的基板表面图形的试料，该基板表面图形由具有与被转印的上述掩模图形对应的形状的凸图形或凹图形，或者在上述凹图形中填埋了材料的表面层构成；通过检测出对上述试料进行电子束照射而从上述试料的表面发出的二次电子、反射电子和后方散射电子的至少任意一种，取得上述试料表面的图像；和根据上述图像检查上述掩模图形
图形检查曝光条件验证半导体器件制造方法

[发明专利]掩模图形检查、曝光条件验证、半导体器件的制造方法-CN200610100292.1有效
发明人：长滨一郎太;山崎裕一郎;大西笃志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-07-06 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模图形检查方法，该方法包括：把掩模图形转印到导体基板或半导体基板上；作成包含与上述基板处于电导通状态的基板表面图形的试料，该基板表面图形由具有与被转印的上述掩模图形对应的形状的凸图形或凹图形，或者在上述凹图形中填埋了材料的表面层构成；通过检测出对上述试料进行电子束照射而从上述试料的表面发出的二次电子、反射电子和后方散射电子的至少任意一种，取得上述试料表面的图像；和根据上述图像检查上述掩模图形
图形检查曝光条件验证半导体器件制造方法

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